16-Hi堆栈和3D封装的三星HBM4内存正在开发中 将于2025年亮相
16-Hi堆栈和3D封装的三星HBM4内存正在开发中将于2025年亮相该公司目前的HBM产品组合包括作为顶级产品的HBM3E"Shinebolt"，采用24GbDRAM，容量达36GB，传输速度达9.8Gbps。该内存技术采用2.5D封装，支持12Hi的堆叠。三星HBM产品组合的下一个演变将以HBM4的形式出现。这种特殊内存的代号目前尚不清楚，但它应该会有更大的发展。从规格开始，三星的HBM4内存预计将包含多达16-Hi堆栈，如果我们使用相同的24Gb模块可以组合出高达256GB的HBM4容量，速度非常快，而目前的峰值约为10Gbps。三星表示：首先是"细分"。在早期市场，硬件的通用性非常重要，但在未来，随着围绕杀手级应用的服务日趋成熟，硬件基础设施将不可避免地经历一个针对每种服务进行优化的过程。三星电子计划通过统一核心芯片、多样化封装和基础芯片（如8H、12H和16H）来应对。目前，NVIDIA的BlackwellB100/B200和AMD的InstinctMI300GPU可提供高达192GB的HBM容量。前者采用较新的HBM3E标准，后者采用HBM3DRAM解决方案。这两款GPU都有8个HBM位点，每个位点都有12-Hi堆栈，因此如果将这些位点升级到较新的16-Hi堆栈，就可以获得256GB的容量。这还不算HBM4将推出的更密集的DRAM模块（24Gb+）。如果说从下一代HBM4开始，为解决功耗墙问题而进行的第一次创新是从推出使用逻辑工艺的基础芯片开始的，那么随着从目前的2.5DHBM逐步发展到3DHBM，将出现第二次创新。随着DRAM单元和逻辑的发展，预计将出现第三次创新，如HBM-PIM。目前，我们正在与客户和合作伙伴讨论如何实现这些创新，并将积极规划和准备开拓市场。此外，HBM4背后的另一项关键技术将是3D封装的利用。最近，JEDEC放宽了对HBM4内存的要求，允许公司利用现有的粘合技术。下一代3D封装还可能克服与混合粘合相关的一些价格问题。AMD预计将通过MI350和MI370系列更新其MI300产品线，这些产品线预计将增加容量，而NVIDIA则可能在HBM4供应稳定后更新其BlackwellGPU，以便在未来推出速度更快的产品。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427795.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1427795.htm
