三星电子将于 2025 年推出新一代 HBM4 内存

三星电子将于2025年推出新一代HBM4内存三星量产了HBM2E和HBM3，并开发了每秒9.8千兆比特（Gbps）的HBM3E，我们将很快开始向客户提供样品，以丰富HPC/AI生态系统。展望未来，HBM4预计将于2025年推出，目前正在开发针对高热性能进行优化的技术，如非导电膜（NCF）组装和混合铜键合（HCB）。帖子中提供的信息显示，三星已经获得了潜在客户对其HBM3内存工艺的兴趣，其中英伟达（NVIDIA）等公司处于领先地位。随着人工智能（genAI）的发展，对相关硬件的要求达到了新的高度，因此对HBM3等必要组件的需求也迅速增加。英伟达正试图实现供应链的多元化，而三星电子在这方面就派上了用场，因为该公司拥有充足的设备来满足人工智能加速器对DRAM的需求。除了当前一代的进展，三星还计划快速推进下一代HBM4工艺，预计将于2025年亮相。虽然有关内存类型的具体细节不多，但三星透露，HBM4将采用"非导电薄膜"和"混合铜键合"，这将有助于提高内存工艺的能效和散热性能。HBM4的确将标志着向下一代人工智能加速器的过渡，为业界的计算能力打开新的大门。三星正在成为一家"与众不同"的供应商，尤其是该公司还在专注于开发芯片封装设备。鉴于该公司成功地赢得了潜在客户的信任，我们有可能看到这家韩国巨头的存储器部门在未来几年重振雄风。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1389583.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1389583.htm

JEDEC应制造商要求放宽HBM4厚度 在现有粘合技术范围内实现16-Hi堆栈

JEDEC应制造商要求放宽HBM4厚度在现有粘合技术范围内实现16-Hi堆栈HBM4是内存领域的下一个大事件，每家公司都参与了该内存类型的最有效开发，因为它最终将为下一代市场的成功奠定基础。据ZDNetKorea报道，为了帮助制造商，JEDEC决定将12层和16层HBM4堆栈的HBM4封装厚度降低到775微米，因为更高的厚度水平会带来复杂性，而且与该工艺相关的需求也非常值得期待。此外，据说制造商以前曾采用混合键合工艺这种较新的封装技术来减少封装厚度，因为这种工艺使用板载芯片和晶片直接键合。不过，由于HBM4内存将是一项新技术，预计采用混合键合技术将导致整体价格上涨，这意味着下一代产品将更加昂贵，但混合键合技术的使用还不确定，因为HBM制造商可能会利用JEDEC做出的"放宽"。至于我们何时能看到基于HBM4的产品亮相，SKhynix计划在2026年实现量产，最初的样品预计每堆栈容量高达36GB。众所周知，HBM4将彻底改变人工智能市场的计算性能，因为这种内存类型将采用"革命性"的板载芯片配置，把逻辑和半导体结合到单个封装中。由于台积电和SKhynix最近建立了联盟，HBM和半导体市场有望在合作的环境中发展。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1423532.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1423532.htm

三星将于2025年推出"SAINT"3D芯片封装服务 为量产HBM4做准备

三星将于2025年推出"SAINT"3D芯片封装服务为量产HBM4做准备就三星3D封装的细节而言，它是2.5D方法的后继者，这一次，这家韩国巨头不再使用硅插层来连接HBM和GPU，而是决定通过将多个芯片堆叠在一起来实现垂直整合。三星计划将其称为SAINT（三星高级互连技术）平台，并将封装分为三种类型：SAINT-S、SAINT-L和SAINT-D。它们都处理不同的芯片，如SRAM、Logic和DRAM。与传统的2.5D相比，三星的3D封装技术具有多项优势。通过垂直堆叠，该公司成功地缩小了芯片之间的距离，从而加快了数据传输的速度。垂直堆叠还能减少碳足迹，这也是广泛采用该技术的另一个好处。韩国媒体称，三星在加利福尼亚州圣何塞举行的"三星代工论坛2024"上展示了这项技术。这是该公司首次向公众展示这项技术，因为英伟达（NVIDIA）和英伟达（AMD）宣布将推出各自的下一代人工智能硬件。由于3D封装将与HBM4一起使用，预计三星的服务将与英伟达的Rubin架构和AMD的InstinctMI400AI加速器一起亮相。三星还计划到2027年发布"一体化异构集成"技术。这项技术将实现统一的人工智能封装，集成商无需处理单独的封装技术。在苹果之后，英特尔在其轻薄设计（如LunarLakeCPU）中采用了非常以SoC为中心的方法，而AMD也在垂直堆叠领域非常活跃，其独特的HBM、MCD和3DV-Cache堆栈横跨多个芯片，可以广泛满足从消费市场到企业市场的各种客户需求。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1435227.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435227.htm

三星展望HBM4内存 工艺学习Intel 22nm

三星展望HBM4内存工艺学习Intel22nm工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。FinFET立体晶体管技术是Intel22nm率先引用的，这些年一直是半导体制造工艺的根基，接下来在Intel20A、台积电2nm、三星3nm上，都将转向全环绕立体栅极晶体管。封装方面，三星计划从微凸点键合转向无凸点键合(bumplessbongding)，将铜层与铜层直接互连。事实上，这在逻辑芯片领域也是相当先进的技术，仍在研发之中。显然，这些都有助于HBM内存继续扩大容量、提升频率和带宽，但成本也将居高不下，注定它不会和普通用户产生多大关联，依然是HPC、AI领域的专属。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391567.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1391567.htm

三星将推出代号为"Snowbolt"的HBM3P内存 每个堆栈带宽达5TB/s

三星将推出代号为"Snowbolt"的HBM3P内存每个堆栈带宽达5TB/sZDNetKorea报道，三星于2023年4月26日向专利信息搜索服务机构（KIPRIS）提交了其最新DRAMHBM3PSnowbolt的商标申请。预计它将在今年下半年发布。Snowbolt是三星电子下一代HBMDRAM产品的品牌名称，目前仍未决定该名称是否用于哪一代产品。三星电子HBM分支的前几代产品是：Flarebolt：第一代HBM2内存Aquabolt：三星电子2018年的第二代HBM2内存Flashbolt：该公司的第三代HBM2E内存（2020）Icebolt：这种HBM3内存最初是以原型阶段发布的，但预计将在今年晚些时候量产在上个月给投资者和媒体的电话会议中，引用了三星电子的发言人的话说、我们已经向主要客户提供了HBM2和HBM2E产品，及时提供最高性能和最高能力的产品，满足AI市场的需求和技术趋势，以及HBM3（16GB和12GB）。然而，24GB的产品也正在进行采样，并且已经完成了大规模生产的准备工作。不仅是目前的HBM3，还有市场所需的性能和容量更高的下一代HBM3P产品，都在为下半年的上市做准备，其性能堪称业界一流。这将使HBM3P的整体性能比前代产品提高10%，此外，客户还将利用先进的高多层堆叠和内存宽度实现，预计明年HBM3P内将会出现。路线图还显示，到2025年，HBM3P将采用PIM（内存编程），到2026年将采用HBM4。更多的大型科技巨头正在利用高带宽的内存模块来大幅提高数据的进程，以增强机器学习的AI。在过去的几年里，HBM模块的市场呈指数级增长，HBM的销量慢慢超过了DRAM内存模块。三家公司占据了高带宽内存的市场份额，SK海力士、三星电子和美光。SKHynix占据了50%的市场份额。三星电子紧随SK海力士之后，占40%，美光落到第三位，只占剩余的市场占有率的10%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358143.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1358143.htm

消息称 HBM4 标准放宽 三星、SK 海力士推迟引入混合键合技术

消息称HBM4标准放宽三星、SK海力士推迟引入混合键合技术据科技媒体ZDNETKorea报道，业界消息称，国际半导体标准组织（JEDEC）的主要参与者最近同意将HBM4产品的标准定为775微米（μm），比上一代的720微米更厚。据悉，该协议预计将对三星电子、SK海力士、美光等主要内存制造商的未来封装投资趋势产生重大影响。如果封装厚度为775微米，使用现有的键合技术就可以充分实现16层DRAM堆叠HBM4。考虑到混合键合的投资成本巨大，存储器公司很可能将重点放在升级现有键合技术上。