16-Hi堆栈和3D封装的三星HBM4内存正在开发中 将于2025年亮相

16-Hi堆栈和3D封装的三星HBM4内存正在开发中将于2025年亮相该公司目前的HBM产品组合包括作为顶级产品的HBM3E"Shinebolt"，采用24GbDRAM，容量达36GB，传输速度达9.8Gbps。该内存技术采用2.5D封装，支持12Hi的堆叠。三星HBM产品组合的下一个演变将以HBM4的形式出现。这种特殊内存的代号目前尚不清楚，但它应该会有更大的发展。从规格开始，三星的HBM4内存预计将包含多达16-Hi堆栈，如果我们使用相同的24Gb模块可以组合出高达256GB的HBM4容量，速度非常快，而目前的峰值约为10Gbps。三星表示：首先是"细分"。在早期市场，硬件的通用性非常重要，但在未来，随着围绕杀手级应用的服务日趋成熟，硬件基础设施将不可避免地经历一个针对每种服务进行优化的过程。三星电子计划通过统一核心芯片、多样化封装和基础芯片（如8H、12H和16H）来应对。目前，NVIDIA的BlackwellB100/B200和AMD的InstinctMI300GPU可提供高达192GB的HBM容量。前者采用较新的HBM3E标准，后者采用HBM3DRAM解决方案。这两款GPU都有8个HBM位点，每个位点都有12-Hi堆栈，因此如果将这些位点升级到较新的16-Hi堆栈，就可以获得256GB的容量。这还不算HBM4将推出的更密集的DRAM模块（24Gb+）。如果说从下一代HBM4开始，为解决功耗墙问题而进行的第一次创新是从推出使用逻辑工艺的基础芯片开始的，那么随着从目前的2.5DHBM逐步发展到3DHBM，将出现第二次创新。随着DRAM单元和逻辑的发展，预计将出现第三次创新，如HBM-PIM。目前，我们正在与客户和合作伙伴讨论如何实现这些创新，并将积极规划和准备开拓市场。此外，HBM4背后的另一项关键技术将是3D封装的利用。最近，JEDEC放宽了对HBM4内存的要求，允许公司利用现有的粘合技术。下一代3D封装还可能克服与混合粘合相关的一些价格问题。AMD预计将通过MI350和MI370系列更新其MI300产品线，这些产品线预计将增加容量，而NVIDIA则可能在HBM4供应稳定后更新其BlackwellGPU，以便在未来推出速度更快的产品。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427795.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1427795.htm

三星将推出代号为"Snowbolt"的HBM3P内存 每个堆栈带宽达5TB/s

三星将推出代号为"Snowbolt"的HBM3P内存每个堆栈带宽达5TB/sZDNetKorea报道，三星于2023年4月26日向专利信息搜索服务机构（KIPRIS）提交了其最新DRAMHBM3PSnowbolt的商标申请。预计它将在今年下半年发布。Snowbolt是三星电子下一代HBMDRAM产品的品牌名称，目前仍未决定该名称是否用于哪一代产品。三星电子HBM分支的前几代产品是：Flarebolt：第一代HBM2内存Aquabolt：三星电子2018年的第二代HBM2内存Flashbolt：该公司的第三代HBM2E内存（2020）Icebolt：这种HBM3内存最初是以原型阶段发布的，但预计将在今年晚些时候量产在上个月给投资者和媒体的电话会议中，引用了三星电子的发言人的话说、我们已经向主要客户提供了HBM2和HBM2E产品，及时提供最高性能和最高能力的产品，满足AI市场的需求和技术趋势，以及HBM3（16GB和12GB）。然而，24GB的产品也正在进行采样，并且已经完成了大规模生产的准备工作。不仅是目前的HBM3，还有市场所需的性能和容量更高的下一代HBM3P产品，都在为下半年的上市做准备，其性能堪称业界一流。这将使HBM3P的整体性能比前代产品提高10%，此外，客户还将利用先进的高多层堆叠和内存宽度实现，预计明年HBM3P内将会出现。路线图还显示，到2025年，HBM3P将采用PIM（内存编程），到2026年将采用HBM4。更多的大型科技巨头正在利用高带宽的内存模块来大幅提高数据的进程，以增强机器学习的AI。在过去的几年里，HBM模块的市场呈指数级增长，HBM的销量慢慢超过了DRAM内存模块。三家公司占据了高带宽内存的市场份额，SK海力士、三星电子和美光。SKHynix占据了50%的市场份额。三星电子紧随SK海力士之后，占40%，美光落到第三位，只占剩余的市场占有率的10%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358143.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1358143.htm

英伟达和AMD的下一代人工智能GPU将主要搭配HBM3内存

英伟达和AMD的下一代人工智能GPU将主要搭配HBM3内存关于HBM3内存，有一个普通的细节不为很多人所知。正如TrendForce所强调的那样，HBM3将以不同的形式出现。据报道，低端HBM3将以5.6至6.4Gbps的速度运行，而高端变体将超过8Gbps。高端变体将被称为"HBM3P、HBM3A、HBM3+和HBM3Gen2"。机构预计，HBM行业的市场份额必将大幅上升，而SK海力士则处于领先地位。预计未来的人工智能GPU，如AMDMI300InstinctGPU和英伟达的H100，都将采用下一代HBM3工艺，而SKHynix在这方面占据了先机，因为它已经进入了制造阶段，并收到了英伟达本身的样品请求。美光（Micron）最近也宣布了其未来的HBM4内存设计计划，但预计要到2026年才会实现，因此即将推出的代号为"GB100"的英伟达BlackwellGPU很可能会采用速度更快的HBM3变体，时间大约在2024-2025年之间。采用第五代工艺技术（10纳米）的HBM3E内存预计将于2024年上半年开始量产，三星/SK海力士预计都将加紧生产。SKhynix率先推出12层HBM3内存，每层24GB容量，向客户提供样品三星和美光（Micron）等竞争对手也在加足马力，有多篇报道都围绕着这两家公司。据说，三星建议英伟达通过其部门负责晶圆和内存的采购。与此同时，据报道美光已与台积电合作，成为英伟达人工智能GPU的内存供应商。在之前的报道中，我们根据TrendForce披露的数据讨论了人工智能产业的前景。据预测，从2023年到2027年，人工智能服务器出货量预计将增长15.4%，复合年增长率（CAGR）预计为12.2%。出货量的大幅增长最终将导致公司之间的竞争加剧，最终推动创新。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1374607.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1374607.htm

三星展望HBM4内存 工艺学习Intel 22nm

三星展望HBM4内存工艺学习Intel22nm工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。FinFET立体晶体管技术是Intel22nm率先引用的，这些年一直是半导体制造工艺的根基，接下来在Intel20A、台积电2nm、三星3nm上，都将转向全环绕立体栅极晶体管。封装方面，三星计划从微凸点键合转向无凸点键合(bumplessbongding)，将铜层与铜层直接互连。事实上，这在逻辑芯片领域也是相当先进的技术，仍在研发之中。显然，这些都有助于HBM内存继续扩大容量、提升频率和带宽，但成本也将居高不下，注定它不会和普通用户产生多大关联，依然是HPC、AI领域的专属。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391567.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1391567.htm

消息称美光下一代 HBM 在功耗方面比 SK 海力士和三星电子更具优势

消息称美光下一代HBM在功耗方面比SK海力士和三星电子更具优势业内人士表示，美光正在研发的下一代HBM在功耗方面比SK海力士和三星电子更具优势。美光的新HBM产品在低功耗性能评估中表现出了优异的成绩。今年年底美光HBM产能为2万片12英寸晶圆。虽然仅为SK海力士和三星电子产能的20%左右，但预计明年将增加三到四倍。美光设定的目标是最早在明年下半年开发第6代HB（HBM4），并预计在2028年开发第7代HBM4E。

台积电准备推出基于12和5纳米节点的下一代HBM4基础芯片

台积电准备推出基于12和5纳米节点的下一代HBM4基础芯片访问：NordVPN立减75%+外加3个月时长另有NordPass密码管理器作为2024年欧洲技术研讨会演讲的一部分，台积电提供了有关将为HBM4制造的基础芯片的一些新细节，该芯片将使用逻辑工艺构建。由于台积电计划采用其N12和N5工艺的变体来完成这项任务，该公司预计在HBM4制造工艺中占据有利地位，因为内存工厂目前没有能力经济地生产如此先进的逻辑芯片——如果他们能够生产的话他们根本。对于第一波HBM4，台积电准备使用两种制造工艺：N12FFC+和N5。虽然它们服务于相同的目的——将HBM4E内存与下一代AI和HPC处理器集成——但它们将以两种不同的方式用于连接AI和HPC应用程序的高性能处理器的内存。台积电设计与技术平台高级总监表示：“我们正在与主要HBM内存合作伙伴（美光、三星、SK海力士）合作，在先进节点上实现HBM4全堆栈集成。”“N12FFC+具有成本效益的基础芯片可以达到HBM的性能，而N5基础芯片可以在HBM4速度下以低得多的功耗提供更多逻辑。”台积电采用N12FFC+制造工艺（12nmFinFetCompactPlus，正式属于12nm级技术，但其根源于台积电经过充分验证的16nmFinFET生产节点）制造的基础芯片将用于在硅片上安装HBM4内存堆栈片上系统(SoC)旁边的中介层。台积电认为，他们的12FFC+工艺非常适合实现HBM4性能，使内存供应商能够构建12-Hi(48GB)和16-Hi堆栈(64GB)，每堆栈带宽超过2TB/秒。“我们还在针对HBM4优化CoWoS-L和CoWoS-R，”台积电高级总监说道。“CoWoS-L和CoWoS-R都[使用]超过八层，以实现HBM4的路由超过2,000个互连，并具有[适当的]信号完整性。”N12FFC+上的HBM4基础芯片将有助于使用TSMC的CoWoS-L或CoWoS-R先进封装技术构建系统级封装(SiP)，该技术可提供高达8倍标线尺寸的中介层—足够的空间容纳多达12个HBM4内存堆栈。根据台积电的数据，目前HBM4可以在14mA电流下实现6GT/s的数据传输速率。“我们与Cadence、Synopsys和Ansys等EDA合作伙伴合作，验证HBM4通道信号完整性、IR/EM和热精度，”台积电代表解释道。同时，作为一种更先进的替代方案，内存制造商还可以选择采用台积电的N5工艺来生产HBM4基础芯片。N5构建的基础芯片将封装更多的逻辑，消耗更少的功耗，并提供更高的性能。但可以说，最重要的好处是，这种先进的工艺技术将实现非常小的互连间距，约为6至9微米。这将允许N5基础芯片与直接键合结合使用，从而使HBM4能够在逻辑芯片顶部进行3D堆叠。直接键合可以实现更高的内存性能，这对于总是寻求更多内存带宽的AI和HPC芯片来说预计将是一个巨大的提升。我们已经知道台积电和SK海力士在HBM4基础芯片上进行合作。台积电也可能为美光生产HBM4基础芯片。否则，我们会更惊讶地看到台积电与三星合作，因为该集团已经通过其三星代工部门拥有自己的先进逻辑工厂。台积电特殊工艺产能扩产50%随着德国和日本的新工厂全部建成，以及中国产能的扩张，台积电计划到2027年将其特种技术产能扩大50%。该公司在欧洲技术研讨会上透露本周，台积电预计不仅需要转换现有产能以满足特殊工艺的需求，甚至还需要为此目的建造新的（绿地）晶圆厂空间。这一需求的主要驱动力之一将是台积电的下一个专用节点：N4e，一个4纳米级超低功耗生产节点。“过去，我们总是对即将建成的晶圆厂进行审查阶段，但在台积电很长一段时间以来，我们第一次开始建设绿地晶圆厂，以满足未来的专业技术要求，”台积电业务发展和海外运营办公室高级副总裁KevinZhang博士出席活动时候说。“在未来四到五年内，我们的专业产能实际上将增长1.5倍。通过这样做，我们实际上扩大了制造网络的覆盖范围，以提高整个晶圆厂供应链的弹性。”除了N5和N3E等著名的主要逻辑节点之外，台积电还为功率半导体、混合模拟I/O和超低功耗应用（例如物联网）等应用提供一套专用节点。这些通常基于该公司的落后制造工艺，但无论底层技术如何，这些节点的容量需求都随着台积电主要逻辑节点的需求而增长。所有这些都要求台积电重新评估他们如何规划其专业节点的容量。台积电近年来的扩张战略追求几个目标。其中之一是在台湾以外建立新的晶圆厂；另一个是普遍扩大产能，以满足未来对所有类型工艺技术的需求——这就是该公司正在建设专业节点产能的原因。目前，台积电最先进的专用节点是N6e，是N7/N6的变体，支持0.4V至0.9V之间的工作电压。对于N4e，台积电正在考虑低于0.4V的电压。尽管目前台积电并未透露太多计划节点的技术细节；考虑到该公司在这里的历史，我们预计一旦新流程准备就绪，他们明年将有更多的话题可以讨论。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431253.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431253.htm