业务不顺人心思变，消息称部分三星电子员工考虑转投SK海力士https://www.ithome.com/0/781/863.ht

紧追SK海力士，三星电子将在今年推出236层NAND闪存https://www.ithome.com/0/635/586.htm

消息称SK海力士五层堆叠3DDRAM内存良率已达56.1%https://www.ithome.com/0/777/248.ht

芯片利润下滑，三星和SK海力士计划减少采购硅晶圆https://www.ithome.com/0/666/965.htm

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK海力士加强DRAM先进工艺份额在去年内存半导体低迷之后，三星电子和SK海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对DRAM的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM和DDR5的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和SK海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向10nm第四代(1a)和第五代(1b)节点的过渡，以生产HBM、DDR5和LPDDR5等高价值产品。但另一方面，由于NANDFlash存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。——

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