NAND闪存需求复苏乏力 三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产

NAND闪存需求复苏乏力三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产外媒最新的报道就显示，同DRAM相比，NAND闪存需求复苏缓慢，包括三星电子、SK海力士在内的存储芯片厂商，也就处在了艰难的境地。随着人工智能需求的增加，DRAM的利润状况有改善，但DRAM闪存的需求受到了抑制。而外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士这两大厂商，正计划在下半年通过减少NAND闪存的产量来管理库存，以避免NAND闪存不理想的市场状况对正在复苏的DRAM市场带来负面影响。从外媒的报道来看，在二季度的财报分析师电话会议上，三星电子表示在下半年将继续削减以NAND闪存为中心的存储半导体的产量；SK海力士也宣布他们计划在下半年将NAND闪存的产量削减5%-10%。外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士半导体产品的库存，在上半年都有一定程度的增加。三星电子负责存储业务的设备解决方案部门的库存，在上半年结束时已增至33.69万亿韩元，高于去年年底时的29.06万亿韩元。SK海力士在上半年结束时的库存为16.42万亿韩元，较去年年底也增加了5%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378465.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1378465.htm

知情人士：三星、SK海力士等NAND制造商考虑涨价

知情人士：三星、SK海力士等NAND制造商考虑涨价据电子时报报道，知情人士透露，包括三星电子和SK海力士在内的NAND闪存芯片制造商正在考虑提高报价。报道称，NANDFlash价格暴跌给供应商造成了巨大损失，他们现在正在努力止血。PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1360559.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1360559.htm

长存/三星/SK海力士/美光最新3D NAND芯片对比：谁的密度更高？

长存/三星/SK海力士/美光最新3DNAND芯片对比：谁的密度更高？三星一直凭借其超高纵横比(UHAR)孔蚀刻实现的单层工艺主导了128层3DNAND。目前，三星仍然以最小的字线(WL)间距领先，这允许堆叠更多层，同时最大限度地减少对垂直通道(VC)高度和狭缝深度的工艺要求的影响。虽然看起来三星可能拥有最低的128层工艺成本，但它的裸片尺寸并不是最低的。这很重要，因为裸片面积越小，在300mm晶圆上可以制造的NANDFlash裸片数量就越多，利润也就越高。三星已开始在176层3DNAND（三星的第7代3DNAND）采用外围单元(COP)方法，这导致芯片尺寸相比上一代的73.60mm2显着减小至47.10mm2，存储密度也由6.96Gb/mm2提升至10.87Gb/mm2；美光从32层3DNAND（美光的第一代3DNAND）开始使用类似的方法，美光称之为CMOSunderarray，CuA，其上一代的176层芯片的尺寸为49.84mm2，存储密度为10.27Gb/mm2，而其最新量产的232层芯片存储密度则为14.60Gb/mm2；SK海力士则是从96层3DNAND（SK海力士的第四代3DNAND）开始使用类似的方法，SK海力士将其称为4DNAND，单元下外围或PUC），其176层芯片的尺寸为46.50mm2，存储密度为11.01Gb/mm2；长存在64层3DNAND（长存第二代3DNAND）应用自研的Xtacking技术，通过在外围电路上放置存储器阵列，实现了缩小芯片尺寸的优势，减小的裸片尺寸以及增加的有源字线(AWL)提高了位密度。长江存储最新的Xtacking3.0技术使得其232层3DNAND的存储密度得到了进一步提升，达到了15.03Gb/mm2，是目前最高的。根据长存YMTC232-L六平面1TbTLC芯片拆解来看，其具有CenterX解码器，具有15.03Gb/mm2的最高密度。下图1显示了该芯片的位密度(Gb/mm2)与AWL数量的关系。△图1：YMTC232-L1Tb芯片内部图像TechInsights预计，即将推出的232/238层芯片的平均存储密度将达到大约15Gb/mm2。在ISSCC2022上，三星的200＋层测片（配备四平面1TbTLC芯片和边缘X解码器）的位密度为11.55Gb/mm2。当量产时，TechInsights预计其位密度将增加到14.5Gb/mm2。此外，带有CenterX解码器的SK海力士238层六平面1TbTLC芯片的存储密度估计为14.75Gb/mm2，比上一代将增加34%。美光已量产的232层六平面1TbTLC裸片据称为其存储密度为14.60Gb/mm2。显然，在232/238层级别，长存显示出最高的存储密度，预计三星的存储密度最低。但这并不意味着三星已经落后，因为还需要考虑的更重要的因素——总体成本，因此每bit成本的指标是最理想的比较数据。TechInsights表示，目前正通过其最近收购的ICKnowledge在努力计算每位成本，很快将会提供这些信息。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1339507.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1339507.htm

SK海力士基于UFS 4.0规范的238层V8 NAND最早明年上半年量产

SK海力士基于UFS4.0规范的238层V8NAND最早明年上半年量产SK海力士将把目前最高的238层NAND（V8）应用于新一代内置闪存UFS（通用闪存）的最新规格产品，预计最早明年上半年可以量产。UFS是应用国际半导体标准化机构JEDEC的内置存储器接口的闪存，这是为智能手机、平板电脑等移动家电而制定的新一代标准，与传统的MMC（多媒体卡）相比，数据处理速度和电源效率要高得多。UFS4.0是今年5月正式批准的最新标准，其数据传输带宽为23.2Gbps，是之前UFS3.1的两倍。最先提出UFS4.0内存开发和量产计划的企业是三星电子。三星电子将于5月在世界上首次开发UFS4.0内存，从本月开始正式投入量产。三星电子的UFS4.0内存搭载了自主开发的UFS4.0控制器和第七代176层NAND（V7），连续读取和连续写入速度分别为4200MB/s、2800MB/s。封装水规格为长11毫米、宽13毫米，高1.0毫米。SK海力士也制定了UFS4.0内存的具体开发计划。SK海力士将在UFS4.0内存上搭载V7和V8NAND作为主力。其中，V8是SK海力士在世界上首次开发的目前最高238层NAND，与前几代176层相比，传输速度更加出色。与传统的封装相比，TLC4D封装技术在减少单位单元面积的同时，生产效率更高也是主要特点。SK海力士正在开发的UFS4.0内存的数据处理速度是连续读取4000MB/s，连续写入2800MB/s水平。外形为宽11毫米、长13毫米、高0.8毫米，是一种非常薄的封装形式。目前，SK海力士已经向主要客户公司提供了238层NAND样品，计划明年上半年进行量产。因此，搭载V8NAND的UFS4.0内存最早也有望从明年上半年开始量产。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1305133.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1305133.htm