ASML公布下一代"Hyper-NA"极紫外光刻技术发展路线图

ASML公布下一代"Hyper-NA"极紫外光刻技术发展路线图Hyper-NA工具仍处于早期研究阶段，它将把数值孔径从High-NA的0.55提高到0.75，使芯片的晶体管密度在2030年代初超过High-NA的预计极限。更高的数值孔径可减少对增加复杂性和成本的多重图案技术的依赖。Hyper-NA为商业化带来了自身的挑战。主要障碍包括降低成像对比度的光偏振效应，这就需要偏振滤光片来降低光吞吐量。为了保持分辨率，抗蚀材料可能还需要变得更薄。虽然台积电等领先的超紫外芯片制造商可以利用现有的0.33NA超紫外工具，通过多图案化技术将扩展范围再扩大几个节点，但英特尔已采用0.55高-NA来避免这些复杂性。但是，随着High-NA达到物理极限，Hyper-NA很可能在本十年晚些时候成为整个行业的必备技术。除了Hyper-NA之外，除了昂贵的多光束电子光刻技术之外，目前几乎没有其他可供选择的图案化解决方案，而多光束电子光刻技术的吞吐量又比不上EUV光刻技术。为了继续经典的扩展，业界可能需要最终过渡到与硅相比具有更优越电子迁移率特性的新型沟道材料，这就需要新的沉积和蚀刻能力。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1434626.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1434626.htm

东进世美肯计划研发新一代极紫外光刻胶

东进世美肯计划研发新一代极紫外光刻胶相关媒体在报道中表示，东进世美肯研发高数值孔径极紫外光刻机投产后所需的光刻胶，是为了满足阿斯麦这一类极紫外光刻机大量投产之后的需求。阿斯麦高数值孔径的极紫外光刻机，是他们在推出TWINSCANNXE:3400C、TWINSCANNXE:3600D等多个型号的极紫外光刻机之后，所研发的新一代产品，将沿用EXE系列的命名，已有TWINSCANEXE:5000和TWINSCANEXE:5200两个型号。阿斯麦高数值孔径的极紫外光刻机，数值孔径将由0.33增至0.55，用于2nm及以下的制程工艺，首台交由客户用于制程工艺研发的产品，计划在今年年底出货，用于大规模生产的，预计2025年开始在客户的工厂全面投入运营。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1367465.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1367465.htm

Intel 4工艺官宣大规模量产 第一次采用EUV极紫外光刻

Intel4工艺官宣大规模量产第一次采用EUV极紫外光刻目前，Intel正在稳步推进“四年五个制程节点”计划。其中，Intel7和Intel4已实现大规模量产，前者用于12/13/14代酷睿。Intel3正在按计划推进，目标是2023年底。明年上半年，Intel将推出首个采用Inte3工艺的SierraForest至强处理器，基于E核架构，最多288核心，随后是同样Intel3工艺、P核设计的GraniteRapids。Intel20A和Intel18A同样进展顺利，目标是2024年，将首次采用RibbonFET全环绕栅极晶体、PowerVia背面供电技术。此外，Intel即将推出面向代工服务客户的Intel18A制程设计套件（PDK）。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1389397.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1389397.htm

让14nm秒变7nm？华为辟谣开发出芯片堆叠技术方案

让14nm秒变7nm？华为辟谣开发出芯片堆叠技术方案甚至还附带了一份华为技术团队的官方通知。据新浪科技的最新消息，华为对此消息回应称，该通知为仿冒，属于谣言。希望大家能在“冲浪”的时候擦亮双眼，避免被蒙骗，也避免给企业造成不必要的负担。不过需要注意的是，其实华为确实一直在研究芯片堆叠方案，去年还被国家知识产权局公布了一项关于“芯片堆叠封装结构及其封装方法、电子设备”的专利。其中显示，这项专利早在2019年10月30日就申请了，描述了一种芯片堆叠封装结构及其封装方法、电子设备，涉及电子技术领域，用于解决如何将多个副芯片堆叠单元可靠的键合在同一主芯片堆叠单元上的问题。在去年3月底的华为2021年年报发布会上，华为轮值董事长郭平也表示，未来华为可能会采用多核结构的芯片设计方案，以提升芯片性能。同时，采用面积换性能、用堆叠换性能的方法，使得不那么先进的工艺，也能持续让华为在未来的产品里面，能够具有竞争力。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1349391.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1349391.htm

台积电2nm工艺2025年量产 将使用美国EDA技术

台积电2nm工艺2025年量产将使用美国EDA技术台积电9月份将量产3nm工艺，这一代还会继续使用FinFET晶体管，2025年量产的全新一代2nm工艺才会用上GAA晶体管技术，他们也会使用美国厂商的EDA技术，而且依赖性很高。据悉，EDA电子设计自动化在半导体行业并不是一个价值很高的市场，2020年规模约为115亿美元，2022年预计能达到134亿美元，但EDA技术却能影响总价值超过6000亿美元的半导体市场，芯片设计、制造到封装都离不开EDA。目前全球EDA市场主要掌握在三大美国厂商手中，包括Synopsys、Cadence及SiemensEDA，三家合计占有率超过78%，而其他的厂商中，如ANSYS、是德科技Keysight虽然份额不到5%，但也是美国公司。台积电与全球16家主要的EDA厂商都有合作，但美国厂商显然是主导地址的，台积电在2nmGAA工艺上也需要美国EDA的支持，先进工艺上依赖性很高，很难有别的厂商替代。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1312317.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1312317.htm