华为发布麒麟990芯片：全球首款7nm工艺5G SoC

华为发布麒麟990芯片：全球首款7nm工艺5GSoC9月6日下午，华为在德国柏林和北京两地同步推出麒麟990芯片，内置华为自家的巴龙50005G基带，基于台积电7nmEUV工艺，支持NSA和SA网络，包括两个基于A76架构魔改的大核心、两个基于A76架构魔改的中核心、四个公版架构的A55小核心。频率最高分别可达2.86GHz＋2.36GHz＋1.95GHz，号称相比麒麟855CPU单核性能超出10％，多核性能超出9％，大中小核能效分别超出12％、35％、15％

华为高管谈我国芯片技术：3/5nm肯定得不到 解决7nm就非常非常好了

华为高管谈我国芯片技术：3/5nm肯定得不到解决7nm就非常非常好了“中国创新的方向就必须要依托于我们芯片能力的方向，我们的创新方向不能在单点的芯片工艺上，我们的创新方向应该在系统架构上。”这位华为常务董事说道。事实上，对于国产半导体厂商来说，未来很长时间想要生产7nm及其以下的芯片依然是困难的。半导体行业协会（SIA）和波士顿咨询公司（BCG）的报告显示，2032年中国将生产28%的10nm以下芯片，但先进制程预计只有2%。与中国一样，美国目前也不具备生产10nm以下芯片的能力，但这对于他们来说问题并不大，台积电、三星等都已经开始在其本土建厂。预计未来十年，美国的芯片生产能力将增长203%。到2032年，美国的芯片生产能力将占全球总生产能力的14%。对于10至22nm的芯片，到2032年，中国的生产能力份额将增加两倍，从6%增加到19%。对于28nm以上的芯片，预计中国的份额增幅最大，将从2022年的33%增至2032年的37%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432921.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432921.htm

研究公司高管称麒麟9000S采用14nm工艺 中芯国际利用技术手段使其表现更接近7nm

研究公司高管称麒麟9000S采用14nm工艺中芯国际利用技术手段使其表现更接近7nm业内专家称赞采用麒麟9000S的Mate60Pro是因为华为能够在美国贸易制裁的情况下大规模生产芯片。虽然一些研究公司认为最新的芯片是由中芯国际生产的7nm部件，但《南华早报》通过电子邮件与研究公司FomalhautoTechnoSolutions的首席执行官MinatakeMitchellKashio进行了交谈。他认为，显然麒麟9000S并非真正的7nmSoC，而是14nmSoC。总部位于东京的电子研究公司FomalhautTechnoSolutions首席执行官MinatakeMitchellKashio在接受电子邮件采访时告诉《南华早报》，根据他们自己的手机拆解结果，他认为麒麟9000SCPU是采用中芯国际的14纳米工艺制造的。他表示，为了使芯片性能更接近7纳米级处理器，制造过程中还加入了一些特殊技术。一些基准测试也显示，麒麟9000S获得了与7纳米芯片类似的性能表现，而且中芯国际还在使用DUV（深紫外线）设备，可以在这种光刻工艺下制造芯片。遗憾的是，由于美国的制裁，中国公司无法从荷兰的ASML购买先进的EUV设备，因此可能无法突破7纳米的上限。生产7纳米芯片也直接违反了美国的制裁措施，因为美国的出口管制措施旨在将中国的芯片生产限制在14纳米，比最新技术落后10年。一份报告指出，随着麒麟9000S的问世，中国目前已落后美国约四年，大大缩小了技术差距。但研究公司高管给出的看法只是一方面的看法，目前还没有确切证据表明新的SoC是用14nm工艺制造的，因此我们只能等待更多的更新来提供具体信息。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1387593.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1387593.htm

国产芯片之殇：看了OPPO的泪 才知道华为的难

国产芯片之殇：看了OPPO的泪才知道华为的难会议宣布公司解散的过程中，管理层各个神情凝重，数次低头哽咽。从左至右：李宗霖、刘君（CEO）、朱尚祖（COO）、王泷哲库CEO刘君回忆了哲库成立的过程，4年的时间里，其中3年的疫情，1500个日日夜夜、历历在目。他也解释了公司解散的背景原因，包括全球经济环境和手机行业不乐观，公司营收不达预期，芯片自研投资巨大到公司已承担不起。发言中，他哽咽着说出“自古多情空余恨，好梦由来最易醒”，用一句“对不起”为自己4年来的付出画上句号。2019年，OPPO创始人陈明永高调宣布，未来三年将投入500亿元人民币，自研芯片。但随后手机大盘一路下滑，2022年全球智能手机出货量创下2013年以来最低，2022年第四季度全球智能手机出货量同比下降18.3%，创下有史以来最大单季降幅。在OPPO宣布关停哲库之后，外界流言猜测四起，公司没钱了、流片失败、被制裁警告？其中缘由我们不得而知。但可以肯定的是，与技术无关。哲库CEO刘君在解散会议上已经明确表达，“这次的决定，跟各位的工作质量没有任何关系，我非常感谢大家。”@手机晶片达人昨日也爆料称，ZEKU已经成功流片。该博主还晒出此前ZEKU员工在社交媒体的发文，称已经成功量产全世界最前进RF制程（N6RF制程）的IC。但项目关闭后，与mtk搭配的5Gmodem计划也跟着喊停了，在台积电线上的6nm/4nmRF/APWIP（在制品）也搁置了。显然，哲库的突然解散也完全不是因为所谓“4nmAP流片失败”。步步高品牌创始人段永平在雪球上评价哲库关停消息时，留下一句意味深长的评论：“改正错误要尽快，多大的代价都是多小的代价。”所以，OPPO关停自研芯片的根本，可能还是在于投入产出比差距过大。或许，自研芯片这条路，对于OPPO来说一开始就是个“错误”。但谁又不想将芯片的主动权，掌握在自己手里呢？只能说，国产自研芯片真的是太难了。从一开始就很难。芯片的历史只有短短的六十年，中国芯片业发展则曲折坎坷。1958年，世界上第一块集成电路诞生。1965年，我国第一块集成电路面世。那时，我们和世界的差距只有7年。之后十年动荡，中国集成电路和全球先进水平的差距开始拉大。1978年改革开放后，芯片业的发展进入新时期。“中国造得了两弹一星，为何造不出芯片？”类似的讨论非常广泛。中国开始大力探索集成电路的发展之路，908工程、909工程相继实施。不过因为芯片业投入大、门槛高等特点，中国芯片业的追赶之路颇为艰难。这种难，华为一定比所有人都更有体会。从K3V2到麒麟9000，华为麒麟芯片的成功，一度让华为手机站到了国产手机之巅。但随后的事情，大家都知道了。“因为没有中国芯片制造业能支持，面临着没有芯片可用的问题。”余承东曾无奈的表示，“现在唯一的问题是生产，华为没有办法生产。中国企业在全球化过程中只做了设计，这也是教训。”出路有且只有一个。就是把半导体封装和制造也完全打通！华为2021年年报发布会上，时任华为轮值董事长郭平首次确认芯片堆叠技术。郭平表示，用面积换性能，用堆叠换性能，使得不那么先进的工艺也能持续让华为在未来的产品里面，能够具有竞争力。2022年5月6日，华为公布了一项关于“芯片堆叠封装结构及其封装方法、电子设备”的专利，更进一步披露了华为的堆叠芯片技术，申请公布号CN114450786A。这项专利早在2019年10月30日就申请了，发明人是张童龙、张晓东、官勇、王思敏。该专利描述了一种芯片堆叠封装结构及其封装方法、电子设备，涉及电子技术领域，用于解决如何将多个副芯片堆叠单元可靠的键合在同一主芯片堆叠单元上的问题。4月初，华为还公开了一种芯片堆叠封装及终端设备专利，申请公布号为CN114287057A，涉及半导体技术领域，能够在保证供电需求的同时，解决因采用硅通孔技术而导致的成本高的问题。前几天，国家知识产权局又公布了华为技术有限公司的一项“半导体封装”专利，申请公布日为5月9日，申请公布号为CN116097432A。据悉，本专利提供了一种备选的模具嵌入解决方案，该解决方案实现了成本降低并且提供了半导体封装的高效可靠制造。但前方依然艰险。从沙子到芯片，解决整个半导体的问题，是一个非常复杂的、非常漫长的投入工程，需要有足够的财力和耐心。对OPPO是，对华为是，对试图推动国产半导体自研之路的所有人，都是。最后想说的是，OPPO关停ZEKU自研芯片业务是一家商业公司在权衡生存利弊之后的抉择，无可厚非。投入芯片行业是一条长远的路，即使路途坎坷，我们始终应该站在鼓励，期待成功的立场。正如哲库基带和射频部门负责人王泷在公司解散说的：“只要我们付出过努力，老天一定会看见的。我相信，我们所有人的努力是不会白费的，他一定会在某个时刻，你会看到他对你的帮助。谢谢大家，谢谢所有曾经帮助我的人。”致敬曾经让人心血澎湃的马里亚纳！...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1359761.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1359761.htm

长电科技宣布4nm芯片封装产品出货

长电科技宣布4nm芯片封装产品出货1月5日，长电科技午间宣布，公司XDFOIChiplet高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段，同步实现国际客户4nm节点多芯片系统集成封装产品出货，最大封装体面积约为1500mm2的系统级封装。长电科技表示，目前，长电科技XDFOI技术可将有机重布线堆叠中介层厚度控制在50μm以内，微凸点(μBump)中心距为40μm，实现在更薄和更小单位面积内进行高密度的各种工艺集成，达到更高的集成度、更强的模块功能和更小的封装尺寸。同时，还可以在封装体背面进行金属沉积，在有效提高散热效率的同时，根据设计需要增强封装的电磁屏蔽能力，提升芯片成品良率。据了解，长电科技充分发挥这一工艺的技术优势，已在高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域应用，向下游客户提供了外型更轻薄、数据传输速率更快、功率损耗更小的芯片成品制造解决方案。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1337739.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1337739.htm

俄罗斯：2027年量产28nm芯片 2030年是14nm

俄罗斯：2027年量产28nm芯片2030年是14nm按照俄罗斯的说法，计划到2026年实现65nm的芯片节点工艺，2027年实现28nm本土芯片制造，到2030年实现14nm国产芯片制造，而到2030年需要投资约3.19万亿卢布（384.3亿美元）。在这之前，据俄罗斯国际新闻通讯社报道，圣彼得堡理工大学的研究人员开发出了一种“国产光刻复合体”，可用于蚀刻生产无掩模芯片，这将使“解决俄罗斯在微电子领域的技术主权问题”成为可能。据介绍，其中一种工具的成本为500万卢布（当前约36.3万元人民币），另一种工具的成本未知。据开发人员称，传统光刻技术需要使用专门的掩膜板来获取图像。该装置由专业软件控制，可实现完全自动化，随后的另外一台设备可直接用于形成纳米结构，但也可以制作硅膜，例如用于舰载超压传感器。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1389503.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1389503.htm