SK hynix发布321层TLC NAND 1Tb闪存技术将于2025年上半年量产

SKhynix发布321层TLCNAND1Tb闪存技术将于2025年上半年量产该公司表示，已量产的全球最高238层NAND的成功为其积累了技术竞争力，为321层产品的顺利开发铺平了道路。"随着解决堆叠限制的又一次突破，SKhynix将开启300层以上NAND的时代，引领市场潮流。"321层1TbTLCNAND与早一代238层512Gb相比，生产率提高了59%，这得益于技术的发展，它可以在单个芯片上堆叠更多的单元和更大的存储容量，这意味着在单个晶圆上可以生产的总容量增加了。ChatGPT的推出加速了生成式人工智能市场的发展，自此，对能以更快速度处理更多数据的高性能、大容量存储器产品的需求迅速增长。因此，在本届FMS上，SKhynix还推出了针对这种人工智能需求进行优化的下一代NAND解决方案，包括采用PCIeGen5接口和UFS4.0的企业级固态硬盘。该公司希望这些产品能够实现业界领先的性能，充分满足客户对高性能的需求。同时，SKhynix还宣布已开始开发下一代PCIeGen6和UFS5.0，并通过这些产品获得了更完善的解决方案开发技术。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1375869.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1375869.htm

Solidimg正在研发192层3D QLC SSD：提升耐久 容量最大61.44TB

Solidimg正在研发192层3DQLCSSD：提升耐久容量最大61.44TB例如，Solidigm公司的30.72TB固态硬盘有希望达到约32PB（Petabyte）的耐久度的PBW，这使用的是该公司所谓的QLCEssentialEnduranceNAND。然而，它的QLCValueEnduranceNAND又将使61.44TB的驱动器成为可能，据说它能提供约65PB的写入耐久性，但应该注意到这是在16KB对齐的数据或其他类型的轻度数据写入期间达成的。到目前为止，这两种类型的NAND都不适合消费者应用，因为Solidigm公司只对其提供E1、E3和U.2形式。无论如何，这也已经是3DQLCNAND的一个巨大进步。Solidigm希望其即将推出的驱动器将能够在企业市场领域取代机械驱动器。除此之外，Solidigm还声称，与竞争对手相比，它能提供更好的吞吐量和延迟，第一批采用新的192层3DQLCNAND的驱动器预计将在明年年初的某个时候上市。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1332341.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1332341.htm

32Gb、400MB/s带宽 江波龙首颗自研2D MLC NAND Flash闪存发布

32Gb、400MB/s带宽江波龙首颗自研2DMLCNANDFlash闪存发布江波龙表示，近年来在存储芯片自主研发投入了大量的精力和资源，公司引进了一批具备超过20年存储芯片设计经验的高端人才。据介绍，该团队不仅精通闪存芯片设计技术，还对于流片工艺制程、产品生产过程有深入了解，对4xnm、2xnm、1xnm等Flash工艺节点的产品实现拥有丰富经验。在产品测试方面，江波龙自研NAND Flash产品通过内嵌片上DFT电路，配合自主开发的测试平台，实现高效生产测试。目前，江波龙已具备SLCNANDFlash、MLCNANDFlash、NORFlash产品的设计能力，并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的Flash产品系列。值得一提的是，江波龙除了在NANDFlash芯片领域持续发力，还在DRAM芯片方面进行深入研究。据江波龙介绍，2023年就已推出复合式存储nMCP，将自研SLCNANDFlash和通过自研测试平台验证的LPDDR4x进行合并封装，实现高频低耗、宽温运行的优异特性，可充分满足5G网络模块存储需求。江波龙表示，未来将继续大力投入存储芯片的自主研发，深入挖掘NANDFlash、DRAM存储芯片的应用潜力。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1415747.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1415747.htm