凯侠推出全新工业级闪存阵容BiCS FLASH 3D

凯侠推出全新工业级闪存阵容BiCSFLASH3D凯侠(KIOXIA)宣布引入全新的工业级闪存阵容。该产品系列采用最新一代铠侠BiCSFLASH3D闪存,采用3-bit-per-cell(三级单元,TLC)技术,并以132-BGA形式封装。这些闪存设备提供容量范围从512Gbit(64GB)到4Tbit(512GB),可以满足电信、网络、嵌入式计算等工业场景应用的严苛要求。PC版:https://www.cnbeta.com/articles/soft/1315921.htm手机版:https://m.cnbeta.com/view/1315921.htm

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西部数据推出迄今容量密度最大的2Tb闪存芯片 基于3D QLC技术打造

西部数据推出迄今容量密度最大的2Tb闪存芯片基于3DQLC技术打造虽然各位看到QLC就摇头但按照发展趋势来看QLC颗粒占据市场是无法回避的事情,毕竟容量大而且价格相对来说确实足够便宜。西部数据在最新的投资者会议上展示了该公司研发的最新3DQLC闪存芯片,该芯片容量达到2Tb也是目前全球单芯片中容量最高的。WD2Tb3DQLC闪存芯片基于西部数据的218层BiCS8生产,具有体积小和功耗低的特点,图片中可以看到闪存芯片放在指尖,因此OEM可以基于这些闪存芯片快速制造大容量的固态硬盘。西部数据称在同类型闪存芯片中,2Tb3DQLC无论是功耗、存储密度还是I/O性能方面都领先于竞争对手,而这些芯片至少现阶段主要是面向数据中心和AI存储的需求,并不是面向消费级市场的。在数据中心和AI行业中目前对大容量和高性能存储的需求非常高,QLC确实在寿命方面不如TLC等,但对数据中心来说只要经过合理的配置也可以使用,这样可以提供更大的容量并降低成本。单芯片容量为2Tb也就是256GB,OEM可以使用4块芯片打造1TB的固态硬盘,使用8块芯片打造2TB的固态硬盘,或者使用16块芯片直接封装4TB的固态硬盘。随着时间的推移这些闪存芯片最终还是会面向消费级市场推出的,用户对于QLCSSD的选择才是最重要的,如果价格真的足够便宜的话,相信在消费级市场还是会有订单的。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1434739.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1434739.htm

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铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3DNAND闪存至于使用什么样的新技术、新工艺才能达到1000多层,铠侠没有明说。目前堆叠层数最多的闪存技术来自SK海力士,达到了321层,不过要到2025年上半年才能量产。有趣的是,三星方面此前声称,计划在2030年实现1000层闪存(SSD容量也规划到了1000TB),不知道和铠侠谁能最先做到。三星的V-NAND已经推进到第九代,将在明年初量产,基于双堆栈架构,可达成业界最高堆叠层数,预计超过300层,再往后的第十代则会达到430层左右。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1426484.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1426484.htm

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Kioxia发布最新BG6系列固态硬盘采用第六代BiCSFLASH3D闪存KIOXIABG6系列完全释放了后端闪存性能,同时保持了经济性并增加了容量,KIOXIABG6硬盘支持完全成熟的主机内存缓冲器(HMB)技术,该技术将部分主机内存(DRAM)当作自己的内存来利用,实现了无DRAM的高性能SSD。其他特点和优势包括:容量为256GB、512GB、1024GB和2048GBPCIe标准64千兆/秒(GT/s)接口(第4代x4通道)。每秒6000兆字节(MB/s)的连续读取和每秒5300MB的连续写入850,000IOPS随机读取和900,000IOPS随机写入通过系统管理总线(SMBus)支持NVMe技术1.4c功能集和基本管理命令,实现更严格的热管理支持最新的TCGPyrite和Opal标准,以及端到端的数据保护,确保数据无论在家里还是在办公室都是安全的支持失电通知信号,以保护数据免受强制关机的影响支持1.8V和3.3V的边带信号(PERST#、CLKREQ#和PLN#)支持平台FW恢复功能KIOXIABG6系列将在DELLTechnologiesWorld的815号展位上展出。KIOXIABG6系列将于2023年下半年开始提供样品,供OEM客户评估。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1361059.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1361059.htm

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铠侠正在出样符合JEDECeMMCVer5.1新标准的消费级嵌入式闪存产品铠侠(Kioxia)美国公司今日宣布,其符合JEDECeMMCVer5.1标准、适用于消费级市场的最新一代嵌入式闪存产品已开始出样。即使UFS的参数更加引人注目,但随着平板电脑、物联网等设备对中端存储容量的需求持续增长,铠侠也适时地推出了新一代eMMC产品。据悉,作为消费类应用/移动存储产品的业内领先供应商,铠侠自2007年以来就一直积极支持e-MMC方案,并于2013年初成为了售价推出更高性能的e-MMC后续解决方案(UFS)的供应商。时至今日,铠侠的e-MMC和UFS解决方案已得到相当广泛的运用,涵盖4GB~1TB的各种存储密度。而今日发布的中端容量新品,不仅提供了64/128GB的容量选项,还于单个封装中整合了闪存+主控。以下是基于最新一代BiCSFLASH3D闪存的消费级e-MMC新品的主要特点:●改进架构,减少内部写入放大,实现更稳定的持续写入性能。●预编程用户数据,在客户制造过程/发送回流前具有更高的可靠性。●闲置到自动休眠时间较上一代减少100×6,有助延长电池续航。●通过访问设备内的多个裸片,以实现更快的性能。●支持更快接口速率的JEDECeMMC5.1标准(HS400)。铠侠北美公司存储业务部副总裁ScottBeekman表示:随着新一代e-MMC设备的推出,铠侠可通过提供广泛的高性能产品系列,来巩固自身的市场领先地位。展望未来,铠侠将继续为基于e-MMC嵌入式存储器解决方案的各类应用提供全力支持。目前该公司已在出样下一代e-MMC存储产品,预计将于今年10月全面上市。PC版:https://www.cnbeta.com/articles/soft/1310695.htm手机版:https://m.cnbeta.com/view/1310695.htm

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东芯半导体:19nm闪存完成首轮流片暂时不做3D闪存说到国产NAND闪存,大家肯定第一个想到长江存储,但在这一行业努力的还有很多家。8月19日,东芯半导体在回答投资者提问时透露,该公司采用19nm先进工艺的NANDFlash闪存产品已完成了首轮流片,目前正在产品调试的过程中。对于是否会进军3DNAND闪存,东芯回应称,目前聚焦于中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,暂不涉及3DNAND业务。另外,车规级存储器产品对各项指标都有更高的要求,因此认证、导入时间较长,目前相关产品正在积极研发和导入过程中。公开资料显示,东芯半导体股份有限公司(DoSilicon)成立于2014年,总部位于上海,在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司,致力于成为领先的存储芯片设计公司,服务全球客户。作为Fabless芯片企业,东芯半导体拥有独立自主的知识产权,聚焦于中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的设计、生产和销售,是目前国内少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。PC版:https://www.cnbeta.com/articles/soft/1306493.htm手机版:https://m.cnbeta.com/view/1306493.htm

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