东芯半导体：19nm闪存完成首轮流片 暂时不做3D闪存

东芯半导体：19nm闪存完成首轮流片暂时不做3D闪存说到国产NAND闪存，大家肯定第一个想到长江存储，但在这一行业努力的还有很多家。8月19日，东芯半导体在回答投资者提问时透露，该公司采用19nm先进工艺的NANDFlash闪存产品已完成了首轮流片，目前正在产品调试的过程中。对于是否会进军3DNAND闪存，东芯回应称，目前聚焦于中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，暂不涉及3DNAND业务。另外，车规级存储器产品对各项指标都有更高的要求，因此认证、导入时间较长，目前相关产品正在积极研发和导入过程中。公开资料显示，东芯半导体股份有限公司(DoSilicon)成立于2014年，总部位于上海，在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司，致力于成为领先的存储芯片设计公司，服务全球客户。作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的设计、生产和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1306493.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1306493.htm

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