RTX 40显卡的“4N”工艺是什么？定制台积电5nm

RTX40显卡的“4N”工艺是什么？定制台积电5nm之前传闻显示，RTX40系列将采用台积电4nm制造工艺，而在正式发布的时候，官方标注为“4N”，和台积电说的“N4”正好反过来。这是什么鬼？我们的第一反应，是这属于定制版的台积电4nm，结果只猜对了一半。据了解4N工艺确实是NVIDIA与台积电定制的，但并非4nm，而是5nm，所以完整说法应该是台积电4N5nm工艺。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1319801.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1319801.htm

RTX 40显卡从三星8nm升级台积电5nm的表现令黄仁勋感到失望

RTX40显卡从三星8nm升级台积电5nm的表现令黄仁勋感到失望这一代RTX40系显卡采用了全新的Adalovelace架构GPU核心，同时工艺制程升级到了台积电4N5nm工艺。和同期的AMDRadeon显卡相比，NVIDIA这几年在工艺上有点“不思进取”，先是12nm后是8nm，现在才到5nm，且还不是更优势的4nm。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1320621.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1320621.htm

NVIDIA 4nm RTX40显卡将有750亿晶体管 2.65倍于8nm RTX30

NVIDIA4nmRTX40显卡将有750亿晶体管2.65倍于8nmRTX30NVIDIARTX40系列就要来了，不出意外会用上台积电N44nm工艺，在技术上可比三星N88nm强太多了。权威博主kopite7kimi曝出最新猛料，RTX40系列的大核心AD102，要用于RTX4090、RTX4090Ti的，将会集成多达750亿个晶体管！PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1315663.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1315663.htm

RTX 50升级台积电4NP工艺：但其实还是5nm

RTX50升级台积电4NP工艺：但其实还是5nm最新曝料显示，RTX50系列的大核心GB202将使用和B100/B200同款的台积电4NP工艺，而不会使用台积电3nm。但事实上，无论4N还是4NP，其实都不是表面上看起来的4nm工艺，而本质上是5nm，只不过都是NVIDIA特别定制的，确实比常规的5nm强一些。至少，集成密度提升了30％，倒也配得上4N系列这样的命名，只是有点绕。另外，GB202的一级缓存也会大大增加，具体容量不详，但肯定明显多于GA102、AD102的区区128KB，这意味着单个SM阵列的吞吐量会有显著提升。GB202可能会延续384-bit显存位宽，也不排除升级到512-bit，搭配新一代GDDR7显存带宽将迅速膨胀，SM阵列数量则有望从144个大幅增加到192个。此外，RTX50系列还会带来PCIe5.0、DisplayPort2.1。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424289.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424289.htm

GeForce RTX 50"Blackwell"GPU采用台积电3纳米工艺 支持DisplayPort 2.1

GeForceRTX50"Blackwell"GPU采用台积电3纳米工艺支持DisplayPort2.1如果我们将N5（英伟达的4N优化5nm变体）与最新的3nm工艺技术进行比较，那么3nm工艺技术将使功耗降低25-30%，单位晶体管性能提高10-15%，面积缩小42%，密度提高1.7倍。与目前的5nm节点相比，这些都是相当可观的提升，而5nm节点在现有的GeForceRTX40"AdaLovelace"系列中提供了惊人的每瓦性能（效率），因此我们可以期待NVIDIA在效率方面进一步领先于竞争对手。英伟达面向HPC/AI的"Blackwell"GPU预计也将采用台积电的3nm工艺节点和最新的HBM3e内存解决方案。与此同时，英伟达专注于游戏的显卡将采用最近猜测的GDDR7内存解决方案。这将是时隔多年后，HPC和Gaming系列首次采用相同命名规则的架构。除了工艺节点技术，NVIDIA还有望在其下一代显卡中采用DisplayPort2.1技术，这将使其与AMD的RadeonRX7000GPU看齐，后者自去年起就开始提供该技术。GeForceRTX40GPU没有采用DP2.1技术是一大遗憾，但看起来英伟达将在其即将推出的图形架构中支持最新技术。至于上市时间，NVIDIAGeForceRTX50"Blackwell"图形处理器架构预计将于2024年底或2025年初亮相。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1397977.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1397977.htm

骁龙8 Gen4由台积电代工 业者认为不会再现火龙888问题

骁龙8Gen4由台积电代工业者认为不会再现火龙888问题由于当时苹果吃掉了台积电的大部分5nm产能，高通只能退而求其次选择三星作为代工厂。而作为首批使用三星5nm工艺的芯片，骁龙888的发热被指与三星5nm工艺问题有关。据数码博主测评，在相同条件的游戏体验后，麒麟9000和苹果A14两款台积电5nm芯片的平均芯片功耗为2.9W和2.4W，而采用三星5nm技术的骁龙888为4.0W。从晶体管密度上来说，台积电的5nm工艺能达到1.73亿颗晶体管，三星的工艺更为落后，5nm工艺仅达到1.27亿颗晶体管。因三星工艺问题，从骁龙8+Gen1开始，高通转投台积电怀抱，骁龙8+Gen1、骁龙8Gen2、骁龙8Gen3等旗舰平台都选择台积电代工，其市场表现良好。即将在今年10月份亮相的骁龙8Gen4也会选择台积电代工，而且首次使用台积电3nm工艺制程。据爆料，高通骁龙8Gen4使用的是台积电最新一代3nm制程N3E，N3E修复了N3B上的各种缺陷，设计指标也有所放宽，对比N5同等功耗，性能提升15-20％、同等性能功耗降低30-35％，逻辑密度约1.6倍、芯片密度约1.3倍，表现值得期待。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432307.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432307.htm