NVIDIA B100 "Blackwell"GPU将采用3纳米工艺制造 预计于2024年Q4发布

NVIDIAB100"Blackwell"GPU将采用3纳米工艺制造预计于2024年Q4发布在深入研究报告之前，我们需要回顾一下BlackwellGB100GPU。它们将成为TeamGreen首批采用小芯片设计的AIGPU，预计将在每瓦性能方面带来决定性的提升。过去有报道称，GB100将采用更加复杂的“结构设计”，这可能会在一开始就导致产量下降。据传BlackwellGB100GPU将采用台积电3nm工艺，现在看来这笔交易已经得到证实。然而，目前台积电特别是其3纳米制造面临着利用率和缺乏先进制造工厂等方面的障碍。因此，目前3nm的实际实施可能要到2024年才能实现，届时BlackwellGB100计划发布。DigiTimes的报告再次明确表示，NVIDIA正在人工智能行业内全面进军，甚至阻止英特尔和AMD等竞争对手立足。，而下一代BlackwellGB100AIGPU可能会在这里发挥至关重要的作用，因为它将标志着AI行业向下一代发展的过渡。 AMD的EPYCInstinctMI300加速器预计将于今年晚些时候在5nm工艺节点上推出，因此后续预计将在2025-2026年左右推出，这意味着BlackwellGPU将在先进工艺节点上领先。英特尔预计将于明年推出基于5nm工艺节点的Gaudi3人工智能加速器，并于2025年推出FalconShores后续产品。NVIDIA目前处于主导地位，该公司的目标是到2027年通过人工智能创造高达3000亿美元的收入，因此它不能有任何懈怠。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1386351.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1386351.htm

GeForce RTX 5090 GPU将采用大面积单片式GB202"Blackwell"芯片

GeForceRTX5090GPU将采用大面积单片式GB202"Blackwell"芯片现在，根据内部人士Kopite7kimi发布的一条新推文，GPU将采用单片式设计。虽然英伟达已经为其HPC/AI芯片（如B100和B200）转向了芯片组设计，但该公司似乎仍希望为其面向消费者的GPU芯片保留单片封装。据说，GB202"Blackwell"GPU将采用物理单片设计，而且从早先的报道中，我们知道它的SM和内核数量预计将是GB203的两倍，而GB203则是用于GeForceRTX5080等产品的更为精简的芯片。这将使两款显卡的性能相差悬殊，但RTX5090将是一款不折不扣的猛兽。让我们先来谈谈GB202"黑井"图形处理器本身，目前可以确认的是它会是单片设计，英伟达可能会将两个GB203芯片封装在一个单片封装上，而不会使其看起来像Chiplet结构。这样可以更好地实现芯片间的通信，而不会出现芯片外通信瓶颈。虽然NVIDIA拥有克服瓶颈的解决方案，如NVLINK和其他互连技术，但它们可能会有点昂贵，因为它们会增加GPU的复杂性。英伟达已经有了一种解决方案，这种解决方案已经以GA100和GH100的形式在市场上推出，GA100和GH100本质上是一个较小芯片的两半，通过互连连接，并通过一个分离的二级缓存进行通信。英伟达的BryanCatanzaro解释说，这种实现方式提高了可扩展性，他们最初向这种设计的过渡非常顺利。预计该芯片还将采用台积电4NP工艺节点（5纳米），密度将提高30%（晶体管），因此除了架构升级外，也会带来不错的改进。现在，NVIDIA可能也会在游戏方面采取同样的做法，这意味着如果整个项目取得成功，那么我们就能在未来看到B100/B200型芯片组产品。现在回到NVIDIAGeForceRTX5090，有多份报告称，我们可能会在这款下一代旗舰显卡上采用512bit接口，而且已经有消息称，新一代怪兽级别显卡将采用全新的冷却和PCB解决方案。考虑到有传言称AMD将凭借其RDNA4阵容退出超高端图形性能领域，看起来英伟达一旦推出BlackwellGPU，可能会进一步推动其在游戏领域的领先地位。GeForceRTX5090预计将在RTX5080上市几周后推出，而RTX5080据传将是首款上架的Blackwell游戏GPU。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432488.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432488.htm

苹果A17或采用3nm工艺：台积电代工

苹果A17或采用3nm工艺：台积电代工10月10日消息，据9to5mac报道，苹果明年下半年推出iPhone15系列，顶配版搭载苹果A17仿生芯片，这颗芯片采用3nm工艺，由台积电代工。报道指出，目前唯一能与台积电在先进技术上竞争的是三星电子，然而三星在3nm工艺制程上落后台积电，三星第二代3nm工艺最快要到2024年，因此苹果A17将由台积电代工。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1325359.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1325359.htm

高通、联发科或将采用台积电N3E工艺

高通、联发科或将采用台积电N3E工艺消息人士称，高通已计划在2023第四季度推出骁龙8Gen3作为其下一代旗舰SoC，即将推出的SoC将使用台积电的N3E工艺制造。此外，高通已经使用台积电的4nm工艺生产其Snapdragon8Gen2SoC，该芯片应用于新的三星GalaxyS23旗舰智能手机系列。消息人士指出，联发科计划在2024年开始使用台积电的3nm制造工艺，预计最早将于12月推出采用N3E工艺制造的解决方案。消息人士称，OPPO已经订购了台积电的4nm工艺芯片，也计划向代工厂订购3nm芯片。不久前，据业内消息人士透露，博通已向台积电下了3nm芯片订单，与苹果、高通、联发科、英伟达和AMD一起排队等待台积电的N3和N3E工艺制程。台积电方面，据悉，已于2022年12月29日在中国台湾南部科学园（STSP）的18号晶圆厂新址举行了3nm量产扩产仪式。在市场需求方面，台积电董事长刘德音称，台积电3nm制程市场需求非常强劲，3nm制程技术量产首年开始，每年带来的收入都会大于同期的5nm。根据估计，3nm技术量产5年内，将会释放全世界1.5万亿美元的终端产品价值。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1345487.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1345487.htm

NVIDIA GeForce RTX 5090和5080"Blackwell"GPU传闻将于四季度发布

NVIDIAGeForceRTX5090和5080"Blackwell"GPU传闻将于四季度发布迄今为止发布的英伟达BlackwellGPU完全是为AI和HPC细分市场打造的，但我们可以确定的是，已经有一个BlackwellGPUIP将为下一代RTX显卡提供动力。预计这些显卡将使用RTX50系列品牌。据悉，英伟达将再次重点推出高端显卡，如GeForceRTX5090，随后在2024年第四季度推出GeForceRTX5080。这些显卡将有利于英伟达的板卡合作伙伴扩大出货量，而且随着越来越多的玩家向高端升级，这些GPU的推出还将有助于推高GPU的平均销售价格（ASP）。随着英伟达猛攻人工智能业务，显卡相关产品也不断推陈出新。板卡制造商预计，英伟达最新的RTX50系列显卡将在第四季度亮相。初期将主打高端和高端的5090和5080产品线。该法人乐观地认为，英伟达两年一次的GPU更新的推出将有助于板卡制造商今年的出货量，并将推动显卡产品平均单价（ASP）的上涨。根据之前的传言，英伟达预计将推出两款旗舰芯片，分别为GB202和GB203。BlackwellGB202游戏图形处理器将采用台积电4NP节点，大幅提升高速缓存和SM吞吐量。前者可能会被GeForceRTX5090采用，而后者则有望被RTX5080采用，两款GPU预计都将使用最新的GDDR7内存接口，总线接口最高可达512位。以下是各种BlackwellGPUSKU的内存配置：GB202-512位/28Gbps/32GB（最大内存）/1792GB/s（最大带宽）GB202-384位/28Gbps/24GB（最大内存）/1344GB/秒（最大带宽）GB203-256位/28Gbps/16GB（最大内存）/896.0GB/秒（最大带宽）GB205-192位/28Gbps/12GB（最大内存）/672.0GB/秒（最大带宽）GB206-128位/28Gbps/8GB（最大内存）/448.0GB/秒（最大带宽）GB207-128位/28Gbps/8GB（最大内存）/448.0GB/秒（最大带宽）最近两次重大发布，Ampere（GeForceRTX3090）和Ada（GeForceRTX4090）都是在第三季度末或第四季度初。因此，下一代旗舰产品GeForceRTX5090和RTX5080在2024年第四季度的发布日期听起来是可信的。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1426638.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1426638.htm

GeForce RTX 50旗舰GPU传闻将采用GDDR7内存和384位总线

GeForceRTX50旗舰GPU传闻将采用GDDR7内存和384位总线今天的主题是讨论显存配置，根据Kopite7kimi的说法，显存配置将采用最新的GDDR7显存标准。GDDR7显存将发展GDDR6和GDDR6X标准，具有更快的针脚速度和更密集的容量。最初发售时会使用24Gb的模块，速度大约32Gbps。这些芯片预计将于2024年面世。计划在2026年推出速度更快的修订版，但英伟达不可能等那么久才使用最新的内存技术。相反，这将被新的或更新的系列所采用。以下是32Gbps针脚速度在多种总线配置中提供的带宽：128位@32Gbps：512GB/秒192位@32Gbps：768GB/秒256位@32Gbps：1024GB/秒320位（32Gbps）：1280GB/秒384位32Gbps：1536GB/秒512位（32Gbps）：2048GB/秒虽然没有提到英伟达GeForceRTX50旗舰版GPU的具体显存配置，但提到了该显卡将采用384位总线接口，这样看来，512位可能不再是规划中的板卡，或者只是为了更高端的变体。384位内存总线表明，根据所使用的DRAM密度，我们将获得相同的24GBVRAM或36GB。在32Gbps的速度下，384位总线接口将提供高达1.5TB/s的带宽，比现有的RTX4090GPU增加50%以上。Kopite7kimi还表示，英伟达的GeForceRTX50旗舰版GPU将采用与多次泄露的"GeForceRTX4090Ti"GPU类似的公版设计。该显卡采用四插槽散热解决方案，具有独特的侧装PCB设计，电源线通过机身周围的大铜环布线。NVIDIAGeForceRTX4090Ti在上一代TitanRTXGPU1面前显得异常巨大图片来源：Reddit该信息还提到，GB202最早将于明年面世。GB203可能会使用256位总线接口，而GB204和GB205GPU据说是互斥的。昨天，RedGamingTech也强调了类似的规格，现在Kopite对这些规格进行了验证，因此看起来英伟达的下一代产品阵容正在逐步形成，尽管该公司还在为GeForceRTX40"SUPER"型号做准备，如果一切按计划进行，该产品将于2024年1月在CES上亮相，并在同月推出。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1397217.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1397217.htm