三星宣布五年发展规划:2027年实现1.4纳米工艺量产

三星宣布五年发展规划:2027年实现1.4纳米工艺量产三星电子于10月3日在美国加州硅谷召开的“三星晶圆代工论坛&SAFE论坛”上,宣布了一个非常激进的五年发展规划,目标是在2027年实现1.4纳米工艺量产,并凭借着先进技术吸引美国芯片买家。PC版:https://www.cnbeta.com/articles/soft/1323601.htm手机版:https://m.cnbeta.com/view/1323601.htm

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三星电子公布2纳米芯片量产路线图将于2027年量产1.4纳米芯片根据该计划,三星电子将分别于2025年、2026年、2027年开始批量生产用于移动应用、高性能计算和汽车的2nm芯片。三星表示,与3纳米工艺相比,2纳米芯片的性能提高了12%,功率效率提高了25%,面积减少了5%。作为全球最大的存储芯片制造商和第二大代工企业,三星电子还表示,将按计划于2027年开始量产1.4纳米芯片。去年6月,三星电子开始量产采用GAA(全环绕栅极)技术的3纳米芯片。当时,三星已经表示其2纳米工艺节点处于早期开发阶段,计划于2025年量产。但在周二的SFF论坛上,三星首次公布了2纳米及以下节点的详细路线图。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1367841.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1367841.htm

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三星发布先进芯片工艺路线图:新版2纳米制程2027年量产研发生产时间缩短20%三星电子在“2024年三星代工论坛”上,发布未来多项芯片技术的进展,并表示其代工业务计划为客户提供一站式服务,整合其全球排名第一的存储芯片、代工和芯片封装服务,以更快地生产人工智能芯片,以利用人工智能热潮。三星表示,客户只需一个沟通渠道,就能同时调度三星的存储芯片、晶圆制造和封装团队,与现有工艺相比,从研发到生产的耗时有望缩短20%。三星晶圆制造总裁兼总经理崔时荣(SiyoungChoi)表示:“我们真正生活在AI时代──生成式AI问世正在彻底改变科技格局。”三星在芯片代工领域与台积电展开激烈的竞争,希望在AI代工领域能够迎头赶上。三星引进所谓晶背供电(BSPDN)的先进制程,将电源互连移至晶片背面。此技术提升功率、性能和面积,能用于AI芯片和高效能运算,相较于第一代的2纳米制程显著降低电压,量产时间在2027年。(澎湃新闻)

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三星制定1纳米工艺节点计划七月公布预计2026年量产有趣的是,三星已决定将其1纳米生产时间表从2027年提前到2026年,因此,如果一切按计划进行,2纳米"SF2"工艺将于2025年亮相。关于三星1nm节点的预期,目前披露的信息还不多,但总体而言,1nm工艺被视为计算和半导体领域的一个突破,有望带来超强的性能和效率。一名三星工程师手持公司首批3纳米GAA晶圆就推出时间表而言,这家韩国巨头目前领先于竞争对手。英特尔代工厂计划在2028年量产10A(1纳米)工艺,台积电计划在2030年量产1纳米工艺。因此,三星现在看来领先了好几年。既然他们已经推迟了时间表,那么在工艺质量和性能方面还能做出什么更有意义的承诺,我们将拭目以待。因此,可以说摩尔定律仍然在继续。不过,我们不会质疑它在当代的意义,主要是因为专注于其他因素(如加强架构进步)带来了巨大的性能提升。在人工智能计算时代,工艺缩减发挥了作用,但其他因素的进步也在市场中占据了更重要的位置。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432922.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1432922.htm

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