【三星发布先进芯片工艺路线图：新版2纳米制程2027年量产，研发生产时间缩短20%】

【三星发布先进芯片工艺路线图：新版2纳米制程2027年量产，研发生产时间缩短20%】三星电子在“2024年三星代工论坛”上，发布未来多项芯片技术的进展，并表示其代工业务计划为客户提供一站式服务，整合其全球排名第一的存储芯片、代工和芯片封装服务，以更快地生产人工智能芯片，以利用人工智能热潮。三星表示，客户只需一个沟通渠道，就能同时调度三星的存储芯片、晶圆制造和封装团队，与现有工艺相比，从研发到生产的耗时有望缩短20%。

三星发布先进芯片工艺路线图：新版 2 纳米制程 2027 年量产 研发生产时间缩短 20%

三星发布先进芯片工艺路线图：新版2纳米制程2027年量产研发生产时间缩短20%三星电子在“2024年三星代工论坛”上，发布未来多项芯片技术的进展，并表示其代工业务计划为客户提供一站式服务，整合其全球排名第一的存储芯片、代工和芯片封装服务，以更快地生产人工智能芯片，以利用人工智能热潮。三星表示，客户只需一个沟通渠道，就能同时调度三星的存储芯片、晶圆制造和封装团队，与现有工艺相比，从研发到生产的耗时有望缩短20%。三星晶圆制造总裁兼总经理崔时荣（SiyoungChoi）表示：“我们真正生活在AI时代──生成式AI问世正在彻底改变科技格局。”三星在芯片代工领域与台积电展开激烈的竞争，希望在AI代工领域能够迎头赶上。三星引进所谓晶背供电（BSPDN）的先进制程，将电源互连移至晶片背面。此技术提升功率、性能和面积，能用于AI芯片和高效能运算，相较于第一代的2纳米制程显著降低电压，量产时间在2027年。(澎湃新闻)

三星电子公布半导体技术路线图

三星电子公布半导体技术路线图三星电子12日在美国硅谷举行“2024年三星代工论坛”，公布半导体技术战略。2027年将引入尖端晶圆代工技术，推出两种新工艺节点，加强跨越人工智能芯片研发、代工生产、组装全流程的人工智能芯片生产“一站式”服务。三星电子正通过封装晶圆代工非内存半导体和高带宽内存(HBM)的集成人工智能解决方案致力于研制高性能、低能耗的人工智能芯片产品。据此，与现有工艺相比，从研发到生产的耗时可缩减约20%。——（摘抄部分）

三星公布芯片技术路线图：到 2028 年 AI 相关客户名单将扩大五倍 收入将增长九倍

三星公布芯片技术路线图：到2028年AI相关客户名单将扩大五倍收入将增长九倍6月13日，三星公布芯片技术路线图，以赢得AI业务。根据三星预测，到2028年其AI相关客户名单将扩大五倍，收入将增长九倍，该公司公布了对未来人工智能相关芯片的一系列布局。三星推出的先进工艺采用的背面供电网络技术将电源轨放置在硅晶圆的背面，该公司表示，与第一代2纳米工艺相比，这种技术提高了功耗、性能的同时，显著降低了电压。三星还表示，其提供逻辑、内存和先进封装的能力，将有助于公司赢得更多人工智能相关芯片的外包制造订单。公司还公布了基于AI设计的GAA处理器（(Gate-All-Around,全环绕栅极)，其中第二代3纳米的GGA计划在今年下半年量产，并在其即将推出的2纳米工艺中提供GAA。该公司还确认其1.4纳米的准备工作进展顺利，目标有望在2027年实现量产。

三星宣布五年发展规划：2027年实现1.4纳米工艺量产

三星宣布五年发展规划：2027年实现1.4纳米工艺量产三星电子于10月3日在美国加州硅谷召开的“三星晶圆代工论坛&SAFE论坛”上，宣布了一个非常激进的五年发展规划，目标是在2027年实现1.4纳米工艺量产，并凭借着先进技术吸引美国芯片买家。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1323601.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1323601.htm

三星启动五年芯片发展计划：产能扩大3倍 2027年推出1.4纳米工艺

三星启动五年芯片发展计划：产能扩大3倍2027年推出1.4纳米工艺三星宣布了为期五年的发展计划，计划在2027年提高多种高端芯片的产能。通过该发展计划，三星希望从半导体巨头台积电中夺回市场。三星电子于10月3日在美国加州硅谷召开了“三星晶圆代工论坛&SAFE论坛”，在随后发布的新闻稿中，三星承诺到2027年将先进节点的产能扩大“三倍以上”。该公司还计划在2025年推出2纳米工艺，到2027年推出1.4纳米工艺。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1323797.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1323797.htm