三星正准备量产第8代V-NAND闪存 持续改进存储密度与传输性能

三星正准备量产第8代V-NAND闪存持续改进存储密度与传输性能三星正准备量产第8代V-NAND闪存，包括即将推出的PCIe5.0SSD在内的产品，都有望为用户带来巨大的存储容量和性能体验提升。随着V-NAND升级到236层，同等存储容量的体型也可变得更加紧凑。作为参考，去年发布的第7代V-NAND已提供176层、且支持高达2.0GT/s的传输速率。除了台式机和笔记本电脑，智能手机也有望迎来基于最新一代V-NAND的UFS3.1（以及最新的UFS4.0）标准的高速闪存。不过想要堆砌更多层的3D-NAND也并非易事，尽管三星早在2013年就率先发布了初代V-NAND，但实际推行仍相当谨慎。于是在突破200层大关的时候，三星分别被美光（232L）和SK海力士（238L）给反超。直到去年提供超过200层的V-NAND闪存样品，三星才逐渐积累了所需的先验知识。虽然我们尚未知晓三星第8代V-NAND的确切规格参数，但新一代产品势必会带来性能与密度的大幅提升。作为参考，美光声称其232层NAND可实现单颗2TB容量，以及11.68GB/s读取和10GB/s的写入速度。在将上述特性缩放到一张邮票大小的芯片上的同时，整体读取延迟也有所改进，意味着传输速度的继续提升。最后，随着AMD锐龙7000和英特尔RaptorLake平台即将上市，相信三星页会很快向客户交付更大容量@10+GB/s速率的固态驱动器。相关文章:SK海力士基于UFS4.0规范的238层V8NAND最早明年上半年量产JEDEC宣布UFS4.0新标准和其它附加闪存规范技术支持更新...PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1306233.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1306233.htm

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产据悉，第九代V-NAND闪存凭借其超小的单元尺寸和极致的叠层厚度，实现了比上一代产品高约50%的位密度。新技术的运用，如单元干扰避免和单元寿命延长，不仅提升了产品的质量和可靠性，而且通过消除虚通道孔显著减少了存储单元的平面面积。此外，三星展现了其在制造工艺上的卓越能力，通过采用先进的“通道孔蚀刻”技术，该技术能够在双层结构中同时钻孔，达到业界最高的单元层数，从而最大限度地提高了生产效率。随着闪存单元层数的增加，对更复杂蚀刻技术的需求也日益凸显。值得一提的是，第九代V-NAND还配备了新一代的NAND闪存接口“Toggle5.1”，使数据传速速度提升了33%，最高可达到每秒3.2Gbps。同时，三星还计划通过增强对PCIe5.0的支持来进一步巩固在高性能固态硬盘市场的地位。与上一代相比，第九代V-NAND还在低功耗设计上取得了显著进步，功耗降低了10%，这一改进使得新型闪存成为未来低能耗应用的理想选择。目前，三星已经开始了第九代1TbTLCV-NAND的量产，并计划在今年下半年推出四层单元（QLC）的第九代V-NAND产品。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428345.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1428345.htm

三星准备于5月推出290层3D NAND 计划于明年提升到430层

三星准备于5月推出290层3DNAND计划于明年提升到430层据报道，三星是通过改进闪存层堆叠技术实现290层垂直堆叠密度的，这种技术依赖于通过在闪存层中增加存储孔来增加层数。这样做的代价是每个晶圆的数据密度，但增加层数带来了净收益。报道第9代V-NAND的同一消息来源还称，该公司计划在2025年初推出其后续产品--第10代V-NAND。第10代V-NAND闪存预计将达到430层，比第9代V-NAND闪存增加140层（第9代V-NAND闪存比上一代增加54层）。这将使三星与其竞争对手Kioxia、SKHynix、美光科技和YMTC重新走上正轨，向2030年实现1000层3DNAND闪存的宏伟目标发起冲击。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427377.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1427377.htm

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星HBM3E12-Hi、128GBDDR5、64TBSSD和第9代V-NAND二季度量产首先，三星已开始量产其HBM3E"Shinebolt"内存，本月将首先出货8-Hi堆栈，随后将在第二季度推出12-Hi变体。下一代内存解决方案将在8模块芯片（如AMD的MI300X）上提供每个堆栈36GB的容量，最高可达288GB的产品。据报道，AMD已经与三星代工厂签订了协议，后者将提供HBM3EDRAM，用于现有和下一代产品，如更新的MI350/MI370GPU，据说这些产品的内存容量都会增加。在DDR5DRAM方面，三星将于2024年第二季度推出1b(nm)32Gb内存模块，并投入量产。这些内存IC将用于开发高达128GB的模块。三星已经向客户交付了下一代DDR5解决方案的首批样品。最后，三星将在固态硬盘V-NAND领域推出64TB数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于2024年第二季度向客户提供样品，该公司还预计将于第三季度开始量产第9代V-NAND固态硬盘。第9代V-NAND固态硬盘将采用QLC（四层单元）设计。有报道称，TLCV-NAND（第9代）将于本月开始生产，其传输速度将提高33%，达到3200MT/s。这些固态硬盘将采用最新的PCIeGen5标准。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429185.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429185.htm

任天堂Switch 2可能使用三星第五代V-NAND 读取速度达1.4GB/s

任天堂Switch2可能使用三星第五代V-NAND读取速度达1.4GB/s在主要成就中，这位前三星员工还列出了由三星存储器第五代V-NAND闪存驱动的安全增强型eMMC卡的开发，这似乎不仅与用于未指定任天堂游戏卡的NAND闪存控制器设备相吻合，而且还与其他一些信息相吻合，如创新未指定专有硬件的安全性和设计新的PUFIP（物理不可克隆功能）。任天堂Switch2需要比上一代产品更快的读取速度并不完全令人惊讶，但任天堂使用三星第5代V-NAND仍然是个好消息，尽管以今天的标准来看，这已经是有些过时的技术了，因为三星正在开发第9代和第10代V-NAND，后者计划于2025年发布。不过，第5代产品高达1.4GB/s的速度对于任天堂的游戏来说应该绰绰有余，至少比前一代产品有了很大的提升。关于NintendoSwitch2的细节人们所知甚少，只知道它将再次采用NVIDIA硬件。据说，T239芯片将支持英伟达DLSS和光线重构等功能，这将使它成为市场上光线追踪能力最强的游戏系统。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428035.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1428035.htm

三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产

三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产目前，三星已经减少了主要NANDFlash生产基地的晶圆投入，包括韩国平泽、华城以及中国西安。业界猜测三星的NANDFlash产量可能会减少10%左右。不过，鉴于市场持续低迷，三星在4月份发布的2023年Q1财报中正式宣布存储器减产计划。此外，三星在发布第Q2财报时表示，2023年下半年将重点削减NANDFlash领域的产量。值得注意的是，第6代128层V-NAND系列工艺相对成熟，成为减产目标。目前，三星的主要销售来自第7代和第8代V-NAND产品，分别为176层和236层。值得注意的是，半导体公司通常采用在减产期间保持设备运行而不生产晶圆的方法。这主要是因为如果设备完全关闭，重新启动期间重新建立工艺、达到产量需要额外的时间和金钱投资。不过，三星正在考虑停止设备运转，不仅是为了增强减产效果，也是为了削减成本。据报道，包括半导体在内的三星设备解决方案（DS）部门仅在2023年上半年就累计亏损8.94万亿韩元（约合67.2亿美元）。因此，“降低成本”成为三星存储业务目标管理（MBO）目标的重点之一。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1377189.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1377189.htm