台积电首度揭示两纳米制程 2025年量产

台积电首度揭示两纳米制程2025年量产全球芯片制造商巨头台积电今天首次推出采用纳米片电晶体的下一世代先进两纳米制程技术，成为全球第一家率先提供两纳米制程代工服务的晶圆厂，预计2025年开始量产。综合台湾《联合报》《自由时报》报道，台积电北美技术论坛今天于美国加州圣克拉拉市恢复举办实体论坛，为接下来几个月陆续登场的全球技术论坛揭开序幕。台积电此次在论坛上首度宣布两纳米（N2）技术进展明确时程，指出N2技术自N3大幅往前推进，在相同功耗下，速度增快10％至15％；在相同速度下，功耗也降低25％至30％，开启了高效效能的新纪元。台积电称，N2将采用纳米片电晶体架构，使效能及功耗效率提升一个世代，协助台积客户实现下一代产品的创新。除了行动运算的基本版本，N2技术平台也涵盖高效能版本及完备的小晶片整合解决方案。N2预计于2025年开始量产。台积电总裁魏哲家称，半导体业身处快速变动、高速成长的数字世界，对于运算能力与能源效率的需求较以往增加的更快，为半导体产业开启了前所未有的机会与挑战。在此令人兴奋的转型与成长之际，台积电在技术论坛揭示的创新成果彰显公司的技术领先地位，也代表公司支持客户的承诺。台积电技术论坛主要的技术焦点还包括支援三纳米（N3）及N3E的TSMCFINFLEX技术，公司称，领先业界的N3技术预计于2022年下半年进入量产，并将搭配创新的TSMCFINFLEX架构，提供晶片设计人员更多灵活性。台积电称，TSMCFINFLEX技术提供多样化的标准元件选择，鳍结构支援超高效能，也支援最佳功耗效率与电晶体密度，能精准协助客户完成符合其需求的系统单晶片设计，各功能区块采用最优化的鳍结构，支援所需的效能、功耗与面积，同时整合至相同的晶片上。...发布：2022年6月17日3:41PM

台积电宣布2纳米制程预计2025年量产

台积电宣布2纳米制程预计2025年量产台积电宣布，2纳米制程在良率和元件效能进展良好，将如期于2025年量产。同时台积电也推出新3纳米技术，其中强化版3纳米制程预计2024年下半年量产。据台湾中央社报道，台积电于美国时间星期三（4月26日）在北美技术论坛揭示最新技术发展情况。其中，台积电宣布2纳米技术采用纳米片电晶体架构，在良率与元件效能上皆展现良好的进展，将如期于2025年量产。相较于升级版3纳米（N3E）制程技术，2纳米在相同功耗下，速度最快可增加15%；在相同速度下，功耗最多可降低30%，晶片密度增加超过15%。随着3纳米制程已进入量产，N3E制程预计将于2023年量产，台积电将进一步推出更多3纳米技术以满足客户多样化的需求。其中包括支援更佳功耗、效能与密度的强化版3纳米（N3P）预计于2024年下半年进入量产。台积电说，相较于N3E制程，N3P在相同功耗下，速度增快5%；在相同速度下，功耗降低5%至10%，晶片密度增加4%。为让客户能够提早采用3纳米技术来设计汽车应用产品，以便于2025年及时采用届时已全面通过汽车制程验证的N3A制程，台积电预计2023年推出N3AE，提供以N3E为基础的汽车制程设计套件（PDK）。

台积电开始量产3纳米芯片

台积电开始量产3纳米芯片台积电周四开始大规模生产下一代芯片，确保该岛仍然是华盛顿和北京政府争夺的一项关键技术的关键。AppleInc.的主要芯片制造商开始在台湾南部的台南园区批量生产先进的3纳米芯片。为此，台积电效仿三星电子公司，准备生产一项技术，该技术有望控制从iPhone到互联网服务器再到超级计算机的下一代尖端设备系列。周四，台积电董事长刘德音表达了对芯片需求长期前景的信心，并承诺在台湾新竹和台中市生产未来几代2nm芯片。“未来十年半导体产业将快速增长，台湾必将在全球经济中扮演更重要的角色，”刘说。对3nm芯片的需求“非常强劲”。台湾拥有全球90%以上的尖端芯片制造能力。全球政策制定者和客户越来越担心他们对北京威胁要入侵的岛屿的技术依赖，并推动台积电将部分生产转移到国外。——

台积电2纳米芯片或2025年量产

台积电2纳米芯片或2025年量产台湾芯片代工厂台积电2纳米制程将于2025年量产，市场看好进度可望领先对手三星（Samsung）及英特尔（Intel）。综合中央社和台湾经济日报报道，台积电先进制程进展顺利，3纳米在今年下半年量产，升级版3纳米（N3E）制程将于3纳米量产1年后量产，即2023年量产，2纳米预计于2025年量产。台积电研究发展资深副总经理米玉杰表示，将在2024年取得ASML下世代极紫外光微影设备（high-NAEUV），为客户发展相关的基础设施与构架解决方案。台积电业务开发资深副总经理张晓强则说，2024年取得设备后，初期主要用于与合作伙伴共同研究，尚不会量产。台积电2纳米厂将座落于竹科宝山二期扩建计划用地中，台湾竹科管理局已展开公共设施建设，台积电2纳米厂也开始进行整地作业。台积电2纳米首度采用纳米片架构，相较N3E制程，在相同功率下，速度提升10%至15%，在相同速度下，功耗降低25%至30%。台积电总裁魏哲家此前在台湾技术论坛中强调，台积电2纳米将会是密度最小、效能最好的技术。市场也看好，台积电2纳米进度将领先对手三星及英特尔。发布：2022年9月13日9:12AM

消息称台积电3nm工艺将于9月量产

消息称台积电3nm工艺将于9月量产据台媒报道，台积电3nm（N3）制程在完成技术研发及试产后，预计第三季下旬投片量开始大幅拉升，第四季月投片量将达上千片水准，开始进入量产阶段。半导体设备业者指出，以台积电N3制程试产情况来看，预期9月进入量产后，初期良品率表现会比之前5nm（N5）制程的初期更好。台积电总裁兼联合行政总裁魏哲家此前也表示过，台积电的N3制程进度符合预期，将在2022年下半年量产并具备良好良品率。在HPC（高性能计算机群）和智能手机相关应用的驱动下，N3制程2023年将稳定量产，并于2023年上半年开始贡献营收。据悉，台积电3nm仍然采用了鳍式场效晶体管（FinFET）架构，但N3制程已采用创新的TSMCFINFLEX技术，将3nm家族技术的PPA（效能、功耗效率以及密度）进一步提升。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1306251.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1306251.htm

台积电计划2026年下半年量产1.6纳米芯片

台积电计划2026年下半年量产1.6纳米芯片台积电4月24日在美国加州圣克拉拉举行的一场会议上宣布，名为“A16”的新芯片制造技术将于2026年下半年量产。据《日经新闻》报道，“A16”是指1.6纳米芯片技术。称引入1.6纳米芯片制造技术可以“极大地提高逻辑芯片密度和性能”。与此同时，英特尔的目标是到2025年采用2纳米和1.8纳米技术，三星的目标是到2027年采用1.4纳米技术。——、