长存/三星/SK海力士/美光最新3D NAND芯片对比:谁的密度更高?
长存/三星/SK海力士/美光最新3DNAND芯片对比:谁的密度更高?三星一直凭借其超高纵横比(UHAR)孔蚀刻实现的单层工艺主导了128层3DNAND。目前,三星仍然以最小的字线(WL)间距领先,这允许堆叠更多层,同时最大限度地减少对垂直通道(VC)高度和狭缝深度的工艺要求的影响。虽然看起来三星可能拥有最低的128层工艺成本,但它的裸片尺寸并不是最低的。这很重要,因为裸片面积越小,在300mm晶圆上可以制造的NANDFlash裸片数量就越多,利润也就越高。三星已开始在176层3DNAND(三星的第7代3DNAND)采用外围单元(COP)方法,这导致芯片尺寸相比上一代的73.60mm2显着减小至47.10mm2,存储密度也由6.96Gb/mm2提升至10.87Gb/mm2;美光从32层3DNAND(美光的第一代3DNAND)开始使用类似的方法,美光称之为CMOSunderarray,CuA,其上一代的176层芯片的尺寸为49.84mm2,存储密度为10.27Gb/mm2,而其最新量产的232层芯片存储密度则为14.60Gb/mm2;SK海力士则是从96层3DNAND(SK海力士的第四代3DNAND)开始使用类似的方法,SK海力士将其称为4DNAND,单元下外围或PUC),其176层芯片的尺寸为46.50mm2,存储密度为11.01Gb/mm2;长存在64层3DNAND(长存第二代3DNAND)应用自研的Xtacking技术,通过在外围电路上放置存储器阵列,实现了缩小芯片尺寸的优势,减小的裸片尺寸以及增加的有源字线(AWL)提高了位密度。长江存储最新的Xtacking3.0技术使得其232层3DNAND的存储密度得到了进一步提升,达到了15.03Gb/mm2,是目前最高的。根据长存YMTC232-L六平面1TbTLC芯片拆解来看,其具有CenterX解码器,具有15.03Gb/mm2的最高密度。下图1显示了该芯片的位密度(Gb/mm2)与AWL数量的关系。△图1:YMTC232-L1Tb芯片内部图像TechInsights预计,即将推出的232/238层芯片的平均存储密度将达到大约15Gb/mm2。在ISSCC2022上,三星的200+层测片(配备四平面1TbTLC芯片和边缘X解码器)的位密度为11.55Gb/mm2。当量产时,TechInsights预计其位密度将增加到14.5Gb/mm2。此外,带有CenterX解码器的SK海力士238层六平面1TbTLC芯片的存储密度估计为14.75Gb/mm2,比上一代将增加34%。美光已量产的232层六平面1TbTLC裸片据称为其存储密度为14.60Gb/mm2。显然,在232/238层级别,长存显示出最高的存储密度,预计三星的存储密度最低。但这并不意味着三星已经落后,因为还需要考虑的更重要的因素——总体成本,因此每bit成本的指标是最理想的比较数据。TechInsights表示,目前正通过其最近收购的ICKnowledge在努力计算每位成本,很快将会提供这些信息。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1339507.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1339507.htm
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