长江存储再次实现突破 全球最先进的3D NAND存储芯片被发现
长江存储再次实现突破全球最先进的3DNAND存储芯片被发现本次的发现,超越了同样在开发232层QLC3DNAND芯片的美光和英特尔(Solidigm)。长江存储232LQLC芯片致态Ti6001TB固态硬盘TechInsights表示,尽管受到制裁后困难重重——包括该公司受限于向苹果供应基于中国生产的iPhone零部件,以及被列入美国的实体名单,但长江存储仍在静静地开发最先进的技术。近期存储市场的低迷,以及许多内存制造商专注于节省成本的举措,可能为长江存储提供了机遇,使其具有领先的更高比特密度的3DXtackingNAND。值得注意的是,三星目前的战略是专注于V93DNAND的TLC和QLC,因此没有在236层(V8)3DNAND上开发QLC。但是,三星在上周举行的“内存技术日”上,首次公开了面向移动市场的QLC产品——采用176层(V7)技术的512GBUFS3.1产品。SK海力士的主要业务是TLC,而不是QLC产品。越来越多的证据表明,中国正在努力克服贸易限制、建立本土半导体供应链的势头比预期的要成功。此前,TechInsights是首批拆解华为Mate60Pro的机构,在拆解完之后,TechInsights副主席DanHutcheson给出了如下评价:“这确实是一个令人惊叹的质量水平,是我们始料未及的,它肯定是世界一流的。因此,我们要祝贺中国,能够制造出这样的产品。这意味中国拥有非常强大的能力,而且还在继续发展技术。”...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1392211.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1392211.htm
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