消息称台积电3nm工艺将于9月量产

消息称台积电3nm工艺将于9月量产据台媒报道，台积电3nm（N3）制程在完成技术研发及试产后，预计第三季下旬投片量开始大幅拉升，第四季月投片量将达上千片水准，开始进入量产阶段。半导体设备业者指出，以台积电N3制程试产情况来看，预期9月进入量产后，初期良品率表现会比之前5nm（N5）制程的初期更好。台积电总裁兼联合行政总裁魏哲家此前也表示过，台积电的N3制程进度符合预期，将在2022年下半年量产并具备良好良品率。在HPC（高性能计算机群）和智能手机相关应用的驱动下，N3制程2023年将稳定量产，并于2023年上半年开始贡献营收。据悉，台积电3nm仍然采用了鳍式场效晶体管（FinFET）架构，但N3制程已采用创新的TSMCFINFLEX技术，将3nm家族技术的PPA（效能、功耗效率以及密度）进一步提升。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1306251.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1306251.htm

土豪级客户苹果都用不起 消息称台积电放弃初代3nm工艺 等待发展N3E

土豪级客户苹果都用不起消息称台积电放弃初代3nm工艺等待发展N3E在3nm工艺节点上，三星抢先台积电在6月底完成了量产，实现了超越台积电的夙愿，然而三星的3nm主要问题是没什么客户，这方面台积电的3nm更占优，苹果、Intel、AMD、NVIDIA等公司接下来会使用台积电代工。不过台积电抢到了主要的客户也不代表就没有隐忧，本来Intel也是台积电3nm首发的两大客户之一，但前不久有消息称Intel取消了订单，14代酷睿上的GPU模块使用的是5nm工艺，没有使用台积电3nm工艺。现在台积电3nm工艺的唯一客户苹果也动摇了，来自产业链的消息人士@手机晶片达人爆料称，台积电的N3工艺已经被内部放弃，因为客户都不用，苹果也放弃。不过N3工艺被放弃，并不代表台积电的3nm工艺就完了，实际上N3只是第一代3nm工艺，相比N5工艺功耗可降低约25-30％，性能可提升10-15％，晶体管密度提升约70％。不过N3工艺应用范围较窄，只适合制造特定的产品，面向超强投资能力、追求新工艺的早期客户。简单来说，初代的N3工艺性能、密度都很好，但是太贵了，只适合愿意烧钱的土豪客户，比如苹果、Intel，结果这两家已经不用了。初代的N3工艺放弃之后，苹果、Intel、AMD等公司使用的主要是第二代的N3E工艺，在N3的基础上提升性能、降低功耗、扩大应用范围，对比N5同等性能和密度下功耗降低34％、同等功耗和密度下性能提升18％，或者可以将晶体管密度提升60％。N3E跟N3工艺相比，晶体管密度是下降的，但这也意味着它的成本更低，接下来会是台积电量产3nm的主力。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1309403.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1309403.htm

消息称苹果A17存在双版本 采用台积电两种3nm工艺

消息称苹果A17存在双版本采用台积电两种3nm工艺据悉，台积电3nm工艺包含很多个节点，比如N3B、N3E、N3P、N3X和N3S等等。其中N3B工艺具有45nm的CGP，与N5相比缩小了0.88倍，这领先于Intel4的50nmCGP、三星4LPP的54nmCGP和台积电N5的51nmCGP。对比N5，N3B同等功耗性能提升10-15%、同等性能功耗降低25-30%，逻辑密度提升70%，SRAM密度提升20%，模拟密度提升10%。不过N3B的短板在于成本高、良率低，因此台积电还开发了N3E节点，后者良率高，成本相对要低一些，但是N3E的逻辑密度不如N3B，这意味着N3E的性能略低于N3B。最重要的是，苹果A17芯片将会使用上述两种3nm工艺，前期A17基于台积电N3B工艺制造，后期会切换到良率更高、成本更低的N3E。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1366547.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1366547.htm

Arm下代超大核X4已流片 全球首发台积电3nm N3E工艺

Arm下代超大核X4已流片全球首发台积电3nmN3E工艺台积电3nm工艺家族依旧成员众多，而且在不断调整升级，目前包括N3(N3B)、N3E、N3P、N3X、N3S等等。N3是最初版本，又称N3B，号称对比N5同等功耗性能提升12％、同等性能功耗降低27％，但性能、功耗、量产良率和进度等都未达预期，于是有了增强版的N3E。N3E修复了N3B上的各种缺陷，设计指标也有所放宽，对比N5同等功耗性能提升15-20％、同等性能功耗降低30-35％，逻辑密度约1.6倍、芯片密度约1.3倍。N3E工艺预计最快2023年年中量产，Arm、AMD、NVIDIA、博通、高通、联发科、美满电子等都会采纳。N3P将是N3E的后续升级版，继续优化性能和工艺，性能提升5％，功耗降低5-10％，芯片面积提升4％。N3X面向高性，对比N3P性能再提升5％，芯片密度不变。N3S被视为终极版，深入优化集成密度。3nm也台积电最后一次使用FinFET晶体管架构，有望和当年极为成功的28nm以上获得非常强的生命力，尤其是N3E。另外根据路线图，Arm明年将按期推进带来下一代平台TCS24，包括超大核心Blackhawk、大核心Chaberton、能效核心Hayes、高端GPUKrake，等等。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1362271.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1362271.htm

消息称台积电3nm良率已达80% 利好苹果A17、AMD Zen5

消息称台积电3nm良率已达80%利好苹果A17、AMDZen5台积电已经确认会在9月份量产3nm工艺，只是苹果iPhone14系列用的A16处理器今年赶不上了，还是使用台积电的5nm或者改进版的4nm工艺，首发3nm的可能是M2Pro，但产量不会太多。初代的N3工艺主要面向有超强投资能力、追求新工艺的早期客户，比如苹果、AMD这种，但是应用范围较窄，只适合制造特定的产品。台积电的3nm工艺要到明年的第二版N3E工艺，也就是3nmEhanced增强版，在N3的基础上提升性能、降低功耗、扩大应用范围，对比N5同等性能和密度下功耗降低34％、同等功耗和密度下性能提升18％，或者可以将晶体管密度提升60％。尽管密度可能比如第一代的N3，但N3E工艺会是各大厂商量产所用的主力，包括苹果的新一代处理器，如iPhone15的17处理器、下一代的M3处理器，还有AMD未来的Zen5等等。N3E工艺预计在2023年下半年量产，今年会有试产，日前有泄露的内部PPT显示台积电的N3E工艺进展非常好，良率喜人。其中N3E工艺生产的256MbSRAM芯片良率可达80%，移动及HPC芯片良率也是80%，环式振荡器良率甚至能达到92%。当然这些都是一些比较简单的芯片，良率高也是正常的，实际的处理器包含非常复杂的电路单元，良率还要继续打磨，不过台积电3nm工艺没有三星那么激进，总体上还是很稳的。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1307669.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1307669.htm

台积电 3nm 工艺 A17 升级大，供应商称苹果 iPhone 15 Pro 系列将激发用户换机需求

台积电3nm工艺A17升级大，供应商称苹果iPhone15Pro系列将激发用户换机需求据DigiTimes报道，苹果公司iPhone供应链中的供应商称，今年推出的iPhone15Pro系列手机可能会引发老用户换机需求，因为这款手机将搭载A17处理器，这是苹果公司首次使用台积电3纳米工艺制造的iPhone芯片，性能和效率都有显著提升。据了解，第一代3纳米工艺（也称为N3）相比台积电基于4纳米工艺制造的N4工艺，能够提高35%的功耗效率。而N4工艺则是用来制造A16仿生芯片的，这款芯片搭载于iPhone14Pro和ProMax。N3技术还能使得芯片性能相比目前基于4纳米制造的芯片有大幅提升。