AMD预告MI300加速显卡：1460亿晶体管怪兽 集成24核Zen4 CPU

AMD预告MI300加速显卡：1460亿晶体管怪兽集成24核Zen4CPUInstinctMI300是AMD面向数据中心打造的新一代加速卡，升级CDNA3架构，而且还会首次集成24核Zen4CPU，号称全球首款集成CPU+GPU的数据中心加速卡。InstinctMI300也采用了小芯片设计，涉及多种工艺，其中5nm工艺的小芯片有9块，6nm工艺的小芯片有4块，还有128GBHBM3显存。整个InstinctMI300显卡拥有高达1460亿晶体管，这是当前最复杂、集成度最高的加速卡了，NVIDIA的H100也不过800亿晶体管，Intel的PonteVecchio加速卡之前做了1000亿晶体管，现在MI300创新高了。至于MI300加速卡的性能，AMD没有公布太多细节，只简单对比了当前的MI250X显卡的部分性能，其中AI性能提升8倍，每瓦AI性能提升5倍。InstinctMI300显卡现在已经有实验室样品了，预计下半年上市，首发可能用于美国新一代超算ElCapitan，性能冲上200亿亿次，比当前TOP500最强超算Frontior性能提升一倍，后者也是基于AMDCPU及GPU的超算。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1337681.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1337681.htm

AMD"Zen 4"芯片、晶体管数量、缓存大小和延迟细节初步解析

AMD"Zen4"芯片、晶体管数量、缓存大小和延迟细节初步解析我们正在等待AMD详细介绍其新的"Zen4"微架构的技术文件，特别是所有重要的CPU核心前端和分支预测单元，这些单元为比上一代"Zen3"核心多出13%的IPC贡献了三分之二，虽然实物还没有出现，技术爱好者社区已经在解读Ryzen7000系列发布会上的图片。"Skyjuice"展示了"Zen4"内核的第一个注释，揭示了它的大型分支预测单元、扩大的微操作缓存、TLB、加载/存储单元以及能够支持AVX-512的双泵送256位FPU。该核心四分之一的芯片面积也被1MB的专用二级缓存所占用。Chiakokhua（又名退休工程师）发布了一张表格，详细介绍了各种缓存及其延迟，并与"Zen3"内核的缓存进行了比较。正如AMD的MarkPapermaster在Ryzen7000发布会上透露的那样，该公司已经将该核心的微操作缓存从4KB扩大到6.75KB。L1I和L1D缓存的大小仍为32KB；而L2缓存的大小增加了一倍。L2高速缓存的扩大略微增加了延迟，从12个周期增加到14个周期。共享L3高速缓存的延迟也增加了，从46个周期增加到50个周期。调度阶段的重新排序缓冲器（ROB）已经从256个条目扩大到320个条目。L1分支目标缓冲器（BTB）的大小从1KB增加到1.5KB。尽管晶体管数量较多，但Zen4的CCD比Zen3的CCD略小，这要归功于5纳米（TSMCN5工艺）制程的转换。新一代CCD的尺寸为70mm²，而"Zen3"的CCD尺寸为83mm²。Zen4"CCD的晶体管数量为65.7亿，比"Zen3"CCD及其41.5亿晶体管数量增加了58%。cIOD（客户端I/O芯片）有很大一部分创新。它建立在6纳米（台积电N6）节点上，与Ryzen5000系列处理器的cIOD所采用的GlobalFoundries12纳米节点相比，这是一个巨大的飞跃。它还吸收了Ryzen6000"Rembrandt"处理器的某些电源管理功能。除了DDR5内存控制器和一个PCI-ExpressGen5根复合体，这个CIOD还配备了一个基于RDNA2图形架构的iGPU。新的6纳米cIOD尺寸为124.7平方毫米，相比之下，Ryzen5000系列的cIOD略大124.9平方毫米。"Raphael"多芯片模块为6核和8核SKU配备一个CCD，为12核和16核SKU配备两个CCD。"Raphael"是在SocketAM5封装中构建的。据传，AMD正在为高性能笔记本平台准备一种薄BGA封装的"Raphael"，它的代号为"DragonRange"。这些处理器将有各种45W、55W和65W的TDP选项，可以为高端游戏笔记本提供多种选择。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1310445.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1310445.htm

Intel预告万亿晶体管芯片时代：FinFET将被淘汰

Intel预告万亿晶体管芯片时代：FinFET将被淘汰过去50多年来，半导体行业都深受摩尔定律的影响，这一黄金定律引领着芯片技术的进步，不过近年来摩尔定律也被认为落伍了，作为铁杆捍卫者的Intel现在站出来表示摩尔定律没死，2030年芯片密度就提升到1万亿晶体管，是目前的10倍。在上周的Hotchips2022会议上，IntelCEO基辛格做了主题演讲，他提到先进封装技术将推动摩尔定律发展，将发展出SystemonPackage，简称SOP，芯片制造厂提供的不再是单一的晶圆生产，而是完整的系统级服务，包括晶圆生产、先进封装及整合在一起的软件技术等。根据基辛格所说，目前的芯片最多大概有1000亿晶体管，未来SOP技术发展之后，到2030年芯片的密度将提升到1万亿晶体管，是目前的10倍。不过要想实现10倍的晶体管密度提升，还要有技术突破，目前在用的FinFET晶体管技术已经到了极限，Intel将会在2024年量产的20A工艺上放弃FinFET技术，转向RibbonFET及PowerVIA等下一代技术。根据Intel所说，RibbonFET是Intel对GateAllAround晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1309749.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1309749.htm

世界第一AI芯片“WSE-3”升级4万亿晶体管、90万核心

世界第一AI芯片“WSE-3”升级4万亿晶体管、90万核心2021年的第二代WSE-2升级台积电7nm工艺，面积不变还是46225平方毫米，晶体管增至2.6万亿个，核心数增至85万个，缓存扩至40GB，内存带宽20PB/s，互连带宽220Pb/s。如今的第三代WSE-3再次升级为台积电5nm工艺，面积没说但应该差不多，毕竟需要一块晶圆才能造出一颗芯片，不可能再大太多了。晶体管数量继续增加达到惊人的4万亿个，AI核心数量进一步增加到90万个，缓存容量达到44GB，外部搭配内存容量可选1.5TB、12TB、1200TB。乍一看，核心数量、缓存容量增加的不多，但性能实现了飞跃，峰值AI算力高达125PFlops，也就是每秒12.5亿亿次浮点计算，堪比顶级超算。它可以训练相当于GPT-4、Gemini十几倍的下一代AI大模型，能在单一逻辑内存空间内存储24万亿参数，无需分区或者重构。用它来训练1万亿参数大模型的速度，相当于用GPU训练10亿参数。四颗并联，它能在一天之内完成700亿参数的调教，而且支持最多2048路互连，一天就可以完成Llama700亿参数的训练。WSE-3的具体功耗、价格没公布，根据上代的情况看应该在200多万美元。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1423559.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1423559.htm

苏姿丰：没有台积电协助 AMD无法推出AI应用芯片

苏姿丰：没有台积电协助AMD无法推出AI应用芯片苏姿丰在出席AMD创新日（AMDInnovationDay）活动时表示，中国台湾对于所有半导体厂都非常重要，AMD与中国台湾供应商有长期合作关系，台积电是制造供应合作伙伴，感谢合作伙伴的支持。至于是否委托三星代工生产，苏姿丰说，不会谈论产品具体细节，不过AMD依赖中国台湾供应商最佳技术生产产品，尤其是其AI加速器InstinctMI300系列的复杂度高，如果没有台积电的协助，就无法推出，未来会持续与中国台湾厂商合作。苏姿丰强调，AMD是国际级企业，会有多元化供应链，台积电是AMD重要合作伙伴，目前台积电在美国亚利桑那州设厂，对其海外投资感到高兴。当被问到“韩国媒体表示，为了与竞争对手英伟达竞争，AMD下一代AI芯片将会采用三星的制程来打造时”，苏姿丰回答指出，你相信韩国的媒体报道吗？她强调，相较于英伟达，目前AMD在服务器市场领域的份额不只20%，甚至以金额来计算，将会超过25%。因此，就当前的情况来说，AMD目前与中国台湾的供应链有良好的合作关系，相信接下来也会持续下去。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1372011.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1372011.htm

AMD与三星将联手开发先进的3纳米芯片

AMD与三星将联手开发先进的3纳米芯片相比之下，三星为客户提供了使用更新的全周栅极（GAAFET）晶体管的能力，这种晶体管可以让芯片设计人员改善产品内部的电力流动，但也有一些缺点。据《韩国经济日报》报道，三星和AMD预计将深化合作，利用3纳米工艺技术生产下一代芯片。目前，由于只有苹果公司的Mac系列使用台湾台积电生产的芯片，因此大多数个人电脑都无法使用这种技术生产的芯片。三星的3纳米与台积电的3纳米不同，因为它使用的是栅极环绕（GAAFET）晶体管。GAAFET是一种升级版晶体管设计，优于FinFET，它允许设计人员改进电流量，因为改进后晶体管的沟道可以完全被栅极环绕。GAAFET晶体管使用纳米线或纳米片导电。这些都需要对导线或薄片进行权衡。虽然导线提高了效率，但其较小的面积限制了它们在某些产品（如应用处理器）中的应用。另一方面，纳米片允许更多电流流过，但传导效率却有所降低。三星代工厂的图表显示了晶体管从FinFET到GAAFET再到MBCFET的演变过程。图片：三星电子报道援引AMD首席执行官苏姿丰（LisaSu）最近在比利时举行的一次会议上分享的GAAFET晶体管优于FinFET晶体管的观点，证明两家公司有意深化合作关系。据《韩国经济日报》报道，苏姿丰介绍了她的公司采用全方位栅极技术批量生产AMD下一代产品的计划。由于三星是世界上唯一一家生产3纳米GAAFET产品的公司，分析家们认为，苏的评论是这家韩国公司生产AMD新芯片的线索，他还认为3纳米GAAFET在性能和效率方面都优于以前的技术。合同半导体制造行业目前的态势是三星和英特尔与台积电对峙。台积电在市场上占据主导地位，而它的两个大型竞争对手正忙于采用新技术，以确保在实力雄厚的竞争对手面前取得优势。英特尔正在研究名为高NAEUV的先进芯片制造设备，看能否降低制造成本和复杂性。另一方面，三星不仅比台积电更早开始生产3纳米产品，还在其产品路线图中更早引入先进的GAAFET晶体管，试图从台湾公司手中夺走3纳米产品的市场份额。另一方面，台积电多年来一直强调可以使用传统的EUV机器制造芯片，并宣布将在其2纳米工艺中改用纳米片晶体管。栅极周围晶体管也是更小特征尺寸的结果，因为这些晶体管越小，制造商在制造FinFET时就越困难。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432808.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432808.htm