Intel 20A工艺杀手锏之一惊艳首秀 反超台积电就靠它

Intel20A工艺杀手锏之一惊艳首秀反超台积电就靠它Intel20A工艺将引入两种全新的工艺,PowerVia背部供电、RibbonFET全环绕栅极晶体管。PwoerVia技术将传统位于芯片正面的供电层改到背面,与信号传输层分离,通过一系列TSV硅穿孔为芯片供电,可以大大降低供电噪声、电阻损耗,优化供电分布,提高整体能效。计划6月11-16日举办的VLSISymposium2023研讨会上,Intel将首次展示PowerVia技术,不过用的不是20A工艺,而是基于Intel4工艺的一颗测试芯片,架构则是E核。这颗核心的面积仅为2.9平方毫米,得益于PowerVia技术,大部分区域的标准单元利用率都超过了90%(图中橙色区域),其余的也基本都在80%之上(图中绿色区域)。同时,PowerVia技术还带来了超过5%的频率提升,吞吐时间略高但可以接受,功耗发热情况符合预期。除了用于自家产品,Intel也将使用PowerVia技术为客户代工,这也是提前展示其能力的一个原因。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358389.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1358389.htm

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IntelPowerVia背面供电测试成功“2nm”工艺见、频率提升6%传统的正面供电技术,信号走线、供电走线都位于晶圆的正面,需要共享甚至争夺每一个金属层的资源,必须竭力扩大金属层引脚间距,进而增加成本和复杂度。背面供电技术,则将信号走线、供电走线分离,后者转移到晶圆背面,可以分别单独优化,带来更高性能、更低成本,不过也面临良品率、可靠性。散热、调试等各方面的挑战。为了加速研发,Intel选择了PowerVia、RibbonFET两项技术分开研发的方式,率先推进的就是PowerVia。Intel通过测试证实,PowerVia技术确实能显著提高芯片的使用效率,大部分区域的标准单元利用率都超过了90%,同时晶体管体积大大缩小,单元密度大大增加,因此能显著降低成本。同时,PowerVia已在测试中达到了相当高的良率和可靠性指标,证明了这一技术的预期价值。测试还显示,PowerVia将平台电压降低了30%,并带来了6%的频率增益。为了应对这种全新的晶体管供电方式,Intel开发了全新的散热技术,展示了良好的散热特性,可避免出现过热。同时,调试团队也开发了新技术,确保这种新的晶体管设计结构在调试中出现的各种问题都能得到适当解决。根据此前披露的信息,IntelPowerVia技术的测试芯片采用了Intel4制造工艺,22个金属层,单个核心面积仅为2.9平方毫米,1.1V电压下达到了3GHz频率。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1363683.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1363683.htm

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“1.8nm”工艺喜事连连Intel代工业务营收暴涨307%在先进工艺上,Intel4工艺今年开始提升产量了,年底的MeteorLake首发,之后还有改良版的Intel3工艺。再往后就要进入埃米级工艺了,主要是Intel20A及Intel18A,等效友商的2nm及1.8nm工艺,率先使用PowerVia背面供电、RibbonFET全环绕栅极两个黑科技。这两个工艺中,18A更是重点,Intel自己就有5款CPU基于这个工艺打造,同时也是对外代工的关键节点,跟台积电三星抢市场就靠它了。18A工艺这段时间也是喜事连连,Intel正在推进内部和外部测试芯片,有望在2024年下半年实现生产准备就绪。Intel这边确定用上18A工艺的是ClearwaterForest家族,未来两代的至强处理器,2025年上市。对外代工方面,除了波音、诺格两大军工巨头之外,Intel这几天又靠18A工艺获得了爱立信的5GSoC芯片订单。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1373693.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1373693.htm

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Intel14A工艺至关重要2025年之后稳定领先其中,Intel3作为升级版,应用于服务器端的SierraForest、GraniteRapids,将在今年陆续发布,其中前者首次采用纯E核设计,最多288个。Intel20A和Intel18A两个节点正在顺利推进中,分别相当于2nm、1.8nm,将继续采用EUV技术,并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。凭借它们两个,Intel希望能在2025年重夺制程领先性。之后,Intel将继续采用创新技术,推进未来制程节点的开发和制造,以巩固领先性。其中一个关键点就是HighNAEUV技术,而数值孔径(NA)正是衡量收集和集中光线能力的指标。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统,HighNAEUV光刻技术能够大幅提高分辨率,从而有助于晶体管的进一步微缩。作为Intel18A之后的下一个先进制程节点,Intel14A1.4nm级就将采用HighNAEUV光刻技术。为了制造出特征尺寸更小的晶体管,在集成HighNAEUV光刻技术的同时,Intel也在同步开发新的晶体管结构,并改进工艺步骤,如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、简化流程。此外,Intel还公布了Intel3、Intel18A、Intel14A的数个演化版本,以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1430442.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1430442.htm

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英特尔详解PowerVia芯片背部供电技术:将用于18Å/20Å工艺https://laoyaoba.com/n/864595以前在靠近硅基底的部分造晶体管,然后往上叠好几层电路,信号与供电线路都在晶体管同一侧;现在Intel要把供电线路单独拿出来造在晶体管另一侧。做成夹心饼干。优点是供电线路不需要再穿过15~20层线路,线阻随之下降,功耗更低;减少供电线路对信号线路对干扰;金属层密度可以放宽,大幅度降低工艺的复杂性,有助于提高晶体管密度。缺点是原本的硅基底被移除,晶圆刚性会明显减弱;晶体管夹在两层线路中间,芯片调试难度大增,散热也比以前更困难;制造过程中增加了很多步骤,会使得成本提高。

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