Intel 20A工艺杀手锏之一惊艳首秀 反超台积电就靠它
Intel20A工艺杀手锏之一惊艳首秀反超台积电就靠它Intel20A工艺将引入两种全新的工艺,PowerVia背部供电、RibbonFET全环绕栅极晶体管。PwoerVia技术将传统位于芯片正面的供电层改到背面,与信号传输层分离,通过一系列TSV硅穿孔为芯片供电,可以大大降低供电噪声、电阻损耗,优化供电分布,提高整体能效。计划6月11-16日举办的VLSISymposium2023研讨会上,Intel将首次展示PowerVia技术,不过用的不是20A工艺,而是基于Intel4工艺的一颗测试芯片,架构则是E核。这颗核心的面积仅为2.9平方毫米,得益于PowerVia技术,大部分区域的标准单元利用率都超过了90%(图中橙色区域),其余的也基本都在80%之上(图中绿色区域)。同时,PowerVia技术还带来了超过5%的频率提升,吞吐时间略高但可以接受,功耗发热情况符合预期。除了用于自家产品,Intel也将使用PowerVia技术为客户代工,这也是提前展示其能力的一个原因。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358389.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1358389.htm
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