紫光公开嵌入式多层SeDRAM内存:带宽、能效遥遥领先

紫光公开嵌入式多层SeDRAM内存:带宽、能效遥遥领先本年度的VLSI会议共收到全球投稿632篇,最终录取212篇,只有2篇来自中国内地企业,其中1篇就是西安紫光国芯的贡献的。西安紫光国芯的新一代多层阵列SeDRAM,相较于上一代单层阵列结构,主要采用了低温混合键合技术(HybridBonding)、微型硅穿孔(mini-TSV)堆积技术。这种内存的每Gbit(十亿比特)由2048个数据接口组成,每个接口的数据速度都达到541Mbps,最终实现了业界领先的135GBps/Gbit带宽、0.66pJ/bit能效,基于此实现了逻辑单元和DRAM阵列三维集成。2020年,西安紫光国芯发布了第一代SeDRAM技术,之后实现了多款产品的大规模量产,而这次发布的新一代多层阵列SeDRAM技术,实现了更小的电容电阻、更大的带宽和容量,可广泛应用于近存计算、大数据处理、高性能计算等领域。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1368767.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1368767.htm

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铠侠正在出样符合JEDECeMMCVer5.1新标准的消费级嵌入式闪存产品铠侠(Kioxia)美国公司今日宣布,其符合JEDECeMMCVer5.1标准、适用于消费级市场的最新一代嵌入式闪存产品已开始出样。即使UFS的参数更加引人注目,但随着平板电脑、物联网等设备对中端存储容量的需求持续增长,铠侠也适时地推出了新一代eMMC产品。据悉,作为消费类应用/移动存储产品的业内领先供应商,铠侠自2007年以来就一直积极支持e-MMC方案,并于2013年初成为了售价推出更高性能的e-MMC后续解决方案(UFS)的供应商。时至今日,铠侠的e-MMC和UFS解决方案已得到相当广泛的运用,涵盖4GB~1TB的各种存储密度。而今日发布的中端容量新品,不仅提供了64/128GB的容量选项,还于单个封装中整合了闪存+主控。以下是基于最新一代BiCSFLASH3D闪存的消费级e-MMC新品的主要特点:●改进架构,减少内部写入放大,实现更稳定的持续写入性能。●预编程用户数据,在客户制造过程/发送回流前具有更高的可靠性。●闲置到自动休眠时间较上一代减少100×6,有助延长电池续航。●通过访问设备内的多个裸片,以实现更快的性能。●支持更快接口速率的JEDECeMMC5.1标准(HS400)。铠侠北美公司存储业务部副总裁ScottBeekman表示:随着新一代e-MMC设备的推出,铠侠可通过提供广泛的高性能产品系列,来巩固自身的市场领先地位。展望未来,铠侠将继续为基于e-MMC嵌入式存储器解决方案的各类应用提供全力支持。目前该公司已在出样下一代e-MMC存储产品,预计将于今年10月全面上市。PC版:https://www.cnbeta.com/articles/soft/1310695.htm手机版:https://m.cnbeta.com/view/1310695.htm

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三星将推出代号为"Snowbolt"的HBM3P内存每个堆栈带宽达5TB/sZDNetKorea报道,三星于2023年4月26日向专利信息搜索服务机构(KIPRIS)提交了其最新DRAMHBM3PSnowbolt的商标申请。预计它将在今年下半年发布。Snowbolt是三星电子下一代HBMDRAM产品的品牌名称,目前仍未决定该名称是否用于哪一代产品。三星电子HBM分支的前几代产品是:Flarebolt:第一代HBM2内存Aquabolt:三星电子2018年的第二代HBM2内存Flashbolt:该公司的第三代HBM2E内存(2020)Icebolt:这种HBM3内存最初是以原型阶段发布的,但预计将在今年晚些时候量产在上个月给投资者和媒体的电话会议中,引用了三星电子的发言人的话说、我们已经向主要客户提供了HBM2和HBM2E产品,及时提供最高性能和最高能力的产品,满足AI市场的需求和技术趋势,以及HBM3(16GB和12GB)。然而,24GB的产品也正在进行采样,并且已经完成了大规模生产的准备工作。不仅是目前的HBM3,还有市场所需的性能和容量更高的下一代HBM3P产品,都在为下半年的上市做准备,其性能堪称业界一流。这将使HBM3P的整体性能比前代产品提高10%,此外,客户还将利用先进的高多层堆叠和内存宽度实现,预计明年HBM3P内将会出现。路线图还显示,到2025年,HBM3P将采用PIM(内存编程),到2026年将采用HBM4。更多的大型科技巨头正在利用高带宽的内存模块来大幅提高数据的进程,以增强机器学习的AI。在过去的几年里,HBM模块的市场呈指数级增长,HBM的销量慢慢超过了DRAM内存模块。三家公司占据了高带宽内存的市场份额,SK海力士、三星电子和美光。SKHynix占据了50%的市场份额。三星电子紧随SK海力士之后,占40%,美光落到第三位,只占剩余的市场占有率的10%。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358143.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1358143.htm

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SK hynix GDDR7内存将GPU带宽提升至160GB/秒 容量达24Gb

SKhynixGDDR7内存将GPU带宽提升至160GB/秒容量达24Gb虽然有报道称第一代GDDR7内存产品将使用28Gbps的芯片,容量为16GB(2GBVRAM),但DRAM制造商并没有停止展示他们的下一代产品。在GTC2024上,SKhynix展示了其GDDR7内存模块,它将提供40Gbps的针脚速度,每个模块的带宽高达160GB/s。GDDR7标准的基准速度为32Gbps,每个模块的带宽为128GB/s,因此未来的GDDR7变体在带宽方面将提升25%。三星也在加速GDDR7DRAM的生产,该公司还在GTC上展示了其内存模块,不过是16Gb和32Gbps两种规格。该公司还展示了引脚速度37Gbps的模块。此外,该公司还将推出不同容量的x显存,目前已上市的最高容量为24Gb,基准容量为16Gb。使用16Gb模块可获得2GB的VRAM容量,使用24Gb模块可获得3GB的VRAM容量。但我们已经报道过JEDEC公布的规格,这些规格证实GDDR7将达到48Gbps的速度和64Gb的密度(8GBVRAM容量)。这将标志着显存容量的大幅提升,256位标准接口可提供64GB容量。相比之下,目前256位总线接口使用16GbDRAM模块可达到的最大容量为16GB。24GBDRAM模块可将容量提升至24GB。但同样,这些速度和容量也不是我们一开始就能期待的。这样的规格可能要到2026-2027年之后才能实现,而现在距离2026-2027年还有很多年。以下是我们可以期待的第一代GDDR7内存产品:512位/28Gbps/32GB(最大内存)/1792GB/s(最大带宽)384位/28Gbps/24GB(最大内存)/1344GB/秒(最大带宽)256位/28Gbps/16GB(最大内存)/896.0GB/秒(最大带宽)192位/28Gbps/12GB(最大内存)/672.0GB/秒(最大带宽)128位/28Gbps/8GB(最大内存)/448.0GB/s(最大带宽)以下是SKhynix40Gbps和24GbGDDR7DRAM产品上市后的预期:512位/40Gbps/48GB(最大内存)/2560GB/秒(最大带宽)384位/40Gbps/36GB(最大内存)/1920GB/秒(最大带宽)256位/40Gbps/24GB(最大内存)/1280GB/秒(最大带宽)192位/40Gbps/18GB(最大内存)/960.0GB/秒(最大带宽)128位/40Gbps/12GB(最大内存)/640.0GB/秒(最大带宽)除了GDDR7内存模块,SKhynix还展示了DDR5MCRDIMM,每个模块的容量达64GB,速度达8800MT/s,电压为1.1V。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424510.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1424510.htm

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