中国大陆第二大晶圆代工厂华虹半导体将于科创板上市

中国大陆第二大晶圆代工厂华虹半导体将于科创板上市主营业务华虹半导体是全球领先的特色工艺晶圆代工企业，也是行业内特色工艺平台覆盖最全面的晶圆代工企业，可向客户提供从0.35微米至65/55纳米等制程节点范围的产品。公司立足于先进“特色IC+功率器件”的战略目标，以拓展特色工艺技术为基础，提供包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频等多元化特色工艺平台的晶圆代工及配套服务。根据ICInsights发布的2021年度全球晶圆代工企业排名中，华虹半导体位居第六位，中国大陆第二位。根据华虹半导体在官网和招股书上的表述，华虹半导体的主营业务为“特色工艺晶圆代工”。因此从业务角度上看华虹半导体更加偏重于模拟芯片与存储芯片的制造，数字芯片方面涉猎较少，其2022年“逻辑与射频”的收入占比仅为10.94%。这点与中芯国际有着很大的不同。中芯国际的业务更加全面，具备逻辑电路、电源/模拟、高压驱动、嵌入式非挥发性存储、非易失性存储、混合信号/射频、图像传感器等多个技术平台的量产能力，可为客户提供智能手机、智能家居、消费电子等不同领域集成电路晶圆代工及配套服务。也就是说中芯国际的主营业务既包括“特色工艺”，还包括“逻辑工艺”。核心优势在嵌入式非易失性存储器领域，公司是全球最大的智能卡IC制造代工企业以及境内最大的MCU制造代工企业；在功率器件领域，公司是全球产能排名第一的功率器件晶圆代工企业，也是唯一一家同时具备8英寸以及12英寸功率器件代工能力的企业，拥有全球领先的深沟槽式超级结MOSFET以及IGBT技术；在独立式非易失性存储器平台，公司提供基于自主知识产权的NORD闪存架构技术，产品拥有广泛的应用；在模拟与电源管理平台，公司的BCD技术工艺在国内晶圆代工行业中起步最早，并已在90纳米工艺节点上实现量产；在逻辑与射频领域，公司拥有自主开发的射频SOI工艺平台。公司在特色工艺领域代表了行业领先的技术研发和生产制造水平，拥有大量国内外专利。在0.35μm至90nm工艺节点的8英寸晶圆代工平台，以及90nm到55nm工艺节点的12英寸晶圆代工平台上，公司形成了行业内特色工艺平台覆盖最全面的代工服务，多元化的技术品类能够满足不同下游市场的应用场景以及同一细分市场中不同客户的多元化需求。在各类器件性能方面，公司追求全球领先水平，帮助客户产品对标全球高端芯片。募集资金用途华虹半导体本次募投项目预计使用募集资金180亿元，计划投入华虹制造（无锡）项目、8英寸厂优化升级项目、特色工艺技术创新研发项目以及补充流动资金，其中，华虹制造（无锡）项目是华虹半导体此次募投的重点。华虹制造（无锡）项目计划建设一条投产后月产能达到8.3万片的12英寸特色工艺生产线，实施主体为控股子公司华虹半导体制造（无锡）有限公司。该项目依托上海华虹宏力在车规级工艺与产品积累的技术和经验，进一步完善并延展嵌入式/独立式存储器、模拟与电源管理、高端功率器件等工艺平台。该项目将显著提升公司产能并助力公司的特色工艺技术迈上新台阶，增强公司核心竞争力并提升公司行业地位。本项目预计总投资67亿美元，具体情况如下：本项目新建生产厂房预计2023年初开工，2024年四季度基本完成厂房建设并开始安装设备。2025年开始投产，产能逐年增长，预计最终达到8.3万片/月。华虹制造（无锡）项目预计总投资额为67亿美元，其中40.2亿美元将由该项目实施主体各股东以增资方式向华虹制造投入资金，发行人的出资来源为本次发行的募集资金，如果本次发行募集资金不足，公司将通过自筹资金解决募投项目资金缺口其他股东将同比例增资；剩余26.8亿美元将以债务融资方式筹集，相关银行已出具贷款意向承诺的函。毛利及毛利率分析报告期内，公司主营业务毛利分别116,857.64万元、290,329.36万元和593,143.79万元，主营业务毛利率分别为17.60%、27.59%和35.59%。2021年及2022年，尽管12英寸产线折旧成本仍旧较高，公司通过新产品新技术导入、生产规模的扩大、产品组合的优化、产品价格的提升，同时降本增效，有效提升了公司主营业务毛利水平。报告期内，公司主营业务毛利及毛利率按晶圆规格分类列示如下：报告期内，公司主营业务毛利主要来自于8英寸产品，报告期内8英寸产品的毛利率分别为28.55%、36.05%和46.42%；2021年及2022年公司通过优化产品组合、提升产品价格，实现了8英寸产品整体毛利率的提升。公司12英寸产线于2019年四季度开始投产，由于投产初期12英寸产线尚在产能爬坡阶段，而固定资产折旧、人工费用等固定成本较高，使得12英寸产品单位成本较高，2020年毛利及毛利率为负值；2021年及2022年，随着公司12英寸产品产销规模的快速增长，规模效应显现使得单位成本持续快速下降，毛利及毛利率均实现转正。未来随着生产规模的扩大，规模效应进一步显现，12英寸产品的毛利率将进一步提升。报告期内，公司与同行业上市公司综合毛利率水平的对比情况如下：2020年公司综合毛利率高于可比公司均值，主要系可比公司晶合集成、格罗方德毛利率为负，2021年及2022年，公司通过新产品新技术导入、优化产品组合、提升产品价格，同时华虹无锡12英寸产线规模化效应逐步显现，公司产品单位成本相应下降，公司毛利率水平快速提升，由于公司华虹无锡12英寸仍在产能爬坡阶段，导致2021年及2022年公司整体毛利率水平略低于同行业可比公司均值。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1372843.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1372843.htm

中国半导体巨头华虹登陆科创板 创A股今年最大IPO

中国半导体巨头华虹登陆科创板创A股今年最大IPO中国半导体巨头华虹公司星期一（8月7日）在科创板上市，募集金额约210亿元（人民币，下同，约39亿新元），成为A股今年内最大的首次公开募股（IPO）。综合第一财经和路透社报道，上市首日华虹股票高开低走，开盘涨幅一度超过13%，但很快收窄至约5%。与此同时，华虹在香港上市的股票下跌超过7%。据华虹半导体公司公告，本次发行价格为每股52元，首次公开发行股份数量为4亿零775万股，预计募集金额为212.03亿元。据金融数据机构统计，华虹此次募股为今年A股最大的IPO，在科创板市场排名第三，募资额仅次于中芯国际和百济神州。在募资资金使用方面，根据公告，华虹制造（无锡）项目拟使用募集资金125亿元，8英寸厂优化升级项目、特色工艺技术创新研发项目和补充流动资金拟使用募集资金分别为20亿元、25亿元和10亿元。资料显示，华虹半导体是一家兼具8英寸与12英寸的纯晶圆代工企业，目前有三座8英寸晶圆厂和一座12英寸晶圆厂。公司财务数据显示，近年来华虹公司营收、净利均处于增长态势，其中2020年至2022年间，营业收入分别约为67.37亿元、106.3亿元和167.86亿元；对应归属净利润分别约为5.05亿元、16.6亿元、33.09亿元。路透社引述咨询公司Intralink驻上海的芯片分析师兰德尔（StewartRandall）说，在半导体这样的资本密集型行业，华虹此次筹集的资金并不算多，但这表明芯片制造商除了政府支持外，还在拓宽筹资渠道。

华虹公司：全资子公司华虹宏力与华力微签订《技术开发协议》

华虹公司：全资子公司华虹宏力与华力微签订《技术开发协议》12月1日，华虹公司披露了《关于签订技术开发协议暨关联交易的公告》。据公告信息，公司全资子公司华虹宏力与华力微签订《技术开发协议》，即由华力微授予华虹宏力生产及工艺技术的非独家许可使用权，并提供配套技术咨询服务，以支持华虹制造的12英寸晶圆生产线建设。公司表示，此次技术开发协议的签订，有利于加快华虹宏力12英寸产线40nm特色IC工艺的研发及量产，进一步提升公司特色工艺的技术竞争力及市场竞争力。

民德电子：拟收购广芯微电子约 0.92% 股权 加码功率半导体晶圆代工业务

民德电子：拟收购广芯微电子约0.92%股权加码功率半导体晶圆代工业务民德电子(300656)4月17日晚间公告，近日，公司与丽水市高质量绿色发展产业基金有限公司签署股权转让协议，公司将收购高质量基金持有的浙江广芯微电子有限公司0.9197%股权，股权转让价款为该部分股权增资款原值561万元及按年化5%利率计算的投资收益之和。广芯微电子主营业务为工艺半导体晶圆代工，一期规划年产120万片6英寸硅基晶圆代工产能，并有少量8英寸硅基晶圆代工产能及6英寸碳化硅晶圆代工产能。交易完成后，公司对广芯微电子的持股集中度将进一步提升。

中国转向关注已成熟的芯片技术，国家支持的晶圆厂将生产65纳米、55纳米和40纳米芯片

中国转向关注已成熟的芯片技术，国家支持的晶圆厂将生产65纳米、55纳米和40纳米芯片中国第二大芯片代工企业华虹半导体集团、一家国家支持的半导体投资基金和一家无锡实体企业周三签署了一项协议，在无锡东部建立一个67亿美元的晶圆制造厂，这是自10月份华盛顿对中国芯片行业实施更严格的制裁以来最大的此类投资。根据华虹半导体有限公司周三提交的一份股票文件，该晶圆厂位于江苏省无锡市东部的芯片制造据点，将是华虹在该市的第二个12英寸工厂，并将使用65纳米、55纳米和40纳米等成熟技术节点生产芯片。——

士兰微电子 8 英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目今日开工

士兰微电子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目今日开工据证券时报，6月18日，士兰微电子8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目（士兰集宏）在厦门市海沧区正式开工。项目总投资为120亿元人民币，分两期建设，两期建设完成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片（6万片/月）的生产能力。其中第一期项目总投资70亿元，预计在2025年三季度末实现初步通线，2025年四季度试生产并实现产出2万片的目标；2026年—2028年持续进行产能爬坡，最终将形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。