郑州合晶：12 英寸大硅片已获硅晶圆头部供应商签单 部分订单排到 2026 年

郑州合晶：12英寸大硅片已获硅晶圆头部供应商签单部分订单排到2026年河南郑州航空港区官微消息，上海合晶全资子公司郑州合晶硅材料有限公司，已实现高纯度单晶硅的量产，代表着河南省半导体生产水平已迈进国际先进行列。郑州合晶相关负责人表示，该公司生产的产品已得到台积电、中芯国际、华润微电子等全球硅晶圆头部供应商的认可和青睐，改变了我国长期以来对进口产品的依赖状况，并为我国自主研发和生产“中国芯”提供了坚实的后盾和有力的支撑。目前，公司正积极推进12英寸大硅片的小批量生产，并已成功吸引全球硅晶圆头部供应商签单，部分订单已排到2026年。据介绍，郑州合晶通过自主研发，已成功生产出了12英寸大硅片，不仅大幅拓展了应用领域，更将产品推向了高端市场，如手机、计算机、通信等领域。公司全年24小时不停工，年产能将达到180万片。

联电：预期第四季晶圆出货量将环比下降约 5%

联电：预期第四季晶圆出货量将环比下降约5%联电指出，虽然电脑和通讯领域的短期需求逐渐回温，但车用市场状况仍具挑战性，客户持续采取谨慎保守方式管理库存水位，因此，在出货量方面，预期第四季晶圆出货量将环比下降约5%、在新产能陆续开出下，第四季稼动率将稼动率自67%左右，下降至60~63%，至于第四季平均售价则是估和第三季大致持平，在出货减少、稼动率下滑之下，估计第四季毛利率也将由第三季的35.85%降至30~33%。

上海微系统所：开发了可批量制造的新型光学 “硅” 与芯片技术，新硅聚合已具备异质晶圆量产能力

上海微系统所：开发了可批量制造的新型光学“硅”与芯片技术，新硅聚合已具备异质晶圆量产能力中国科学院今日官网消息，5月8日，中国科学院上海微系统所的欧欣研究员团队联手瑞士洛桑联邦理工学院TobiasJ.Kippenberg团队，在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展，相关成果以《可批量制造的钽酸锂集成光子芯片》为题发表于国际学术期刊《自然》。其中，钽酸锂光子芯片所展现出的极低光学损耗、高效电光转换和孤子频率梳产生等特性有望为突破通信领域速度、功耗、频率和带宽四大瓶颈问题提供解决方案，并在低温量子、光计算、光通信等领域催生革命性技术。据悉，该团队孵化的上海新硅聚合半导体有限公司已经具备异质晶圆量产能力，并开发出8英寸异质集成材料技术，为更大规模的国产光学和射频芯片的发展奠定了核心材料基础。

台环球晶圆新厂落脚美国得州

台环球晶圆新厂落脚美国得州台湾硅晶圆大厂环球晶圆（GlobalWafers）周一（6月27日）宣布，于美国得克萨斯州谢尔曼市兴建全新12寸硅晶圆厂，总投资额达50亿美元（约69亿新元）。综合法新社和台湾《自由时报》报道，环球晶圆新厂设立地点也是环球晶圆美国子公司GlobiTech的所在地。环球晶圆新厂预计2025年开出，将分阶段建设，可为美国得州制造1500个就业机会。环球晶圆说，12寸硅晶圆是所有先进半导体制造厂不可或缺的关键材料，随格罗方德（GlobalFoundries）、英特尔（Intel）、三星（Samsung）、得州仪器（TexasInstruments）与台积电（TSMC）等国际级大厂纷纷宣布在美国的扩产计划，美国对于优质的上游材料硅晶圆的需求也将大幅成长。环球晶圆指出，由于先进的12寸硅晶圆的生产基地目前几乎全部位于亚洲，使得美国半导体产业高度仰赖进口硅晶圆。这项扩厂计划将打造美国本土暌违20多年的首座12寸新硅晶圆厂，有望弥补半导体供应链的关键缺口。环球晶圆说，此座全新厂房将依客户长约需求数量分阶段建设，设备也陆续进驻，待所有工程竣工后，完整厂房面积将达320万平方尺，最高产能可达每月120万片12寸硅晶圆。与相同性质的其他工厂相比，这座12寸硅晶圆厂不仅是全美最大、更是世界数一数二的大型厂房之一。此外，因土地辽阔，新厂兴建完成后，仍有充分空间支持进一步增长。环球晶圆董事长暨执行长徐秀兰说：“随全球晶片短缺和地缘政治隐忧持续，环球晶圆值此时机建设先进节点、当代最创新的12寸硅晶圆工厂来增加半导体供应链的韧性。透过当地生产、就近供应，从而在当前全球ESG浪潮中显着减少碳足迹，环球晶圆与客户双方皆将因此受益。”美国商务部长雷蒙多说，环球晶圆的声明对于重建美国国内半导体供应链、加强美国的经济和国家安全、创造美国制造业就业机会至关重要。拜登政府努力不懈地使美国成为对于制造半导体及其组件的业者而言，具有吸引力的地方，并对环球晶圆选择得州作为他们的新厂落脚处感到十分兴奋。...发布：2022年6月28日8:46AM

HBM3e产量激增 机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35%

HBM3e产量激增机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35%HBM的生产将因其盈利能力和不断增长的需求而得到优先考虑。然而，约50-60%的有限产量和比DRAM产品大60%的晶圆面积意味着需要更高的晶圆投入比例。根据各公司的TSV容量，预计到今年年底，HBM将占先进工艺晶圆投入的35%，其余晶圆容量将用于LPDDR5(X)和DDR5产品。关于HBM的最新发展，TrendForce指出，HBM3e将成为今年的市场主流，出货量将集中在下半年。目前，SKhynix和美光仍是主要供应商，两者都采用1beta纳米工艺，并已向英伟达出货。采用1Alphanm工艺的三星公司预计将在第二季度完成认证，并于今年年中开始供货。除了HBM需求的比例不断增加外，个人电脑、服务器和智能手机的单位容量不断增长也推动了先进工艺产能的逐季增长。其中，服务器的产能增幅最大，主要是由单位容量达1.75TB的人工智能服务器推动的。随着英特尔蓝宝石Rapids和AMDGenoa等需要DDR5内存的新平台的量产，预计到今年年底，DDR5的渗透率将超过50%。同时，由于HBM3e的出货量预计将集中在下半年，而下半年又是内存需求的旺季，因此市场对DDR5和LPDDR5(X)的需求预计也将增加。不过，由于2023年出现财务亏损，制造商对产能扩张计划持谨慎态度。总体而言，由于HBM生产的晶圆投入比例较高，先进工艺的产出将受到限制。因此，下半年的产能分配将是决定供应能否满足需求的关键。如果不充分扩大先进工艺的产能，对HBM生产的更多关注可能会导致DRAM供应短缺。目前，新工厂计划如下：三星预计到2024年底，现有设施将全部使用完毕。新的P4L工厂计划于2025年完工，而15号生产线工厂将从1Y纳米工艺过渡到1beta纳米及以上工艺。SKhynix的M16工厂的产能预计将在明年扩大，而M15X工厂也计划于2025年竣工，并在明年年底开始量产。美光在台湾的工厂将于明年恢复满负荷生产，未来的扩产重点将放在美国。博伊西工厂预计将于2025年竣工，随后进行设备安装，并计划于2026年量产。TrendForce指出，虽然新工厂计划于2025年竣工，但量产的确切时间表仍不确定，取决于2024年的盈利情况。这种依靠未来利润为进一步购买设备提供资金的做法，加强了制造商今年维持内存涨价的决心。此外，英伟达（NVIDIA）将于2025年量产的GB200将采用HBM3e192/384GB，有可能使HBM产量翻番。随着HBM4的开发在即，如果不在扩大产能方面进行大量投资，HBM的优先发展可能会导致DRAM因产能限制而供应不足。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431653.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431653.htm

SEMI预估2025全球200mm晶圆厂产能大涨20%至历史新高

SEMI预估2025全球200mm晶圆厂产能大涨20%至历史新高在上周分享了对全球300mm晶圆市场的分析与展望之后，SEMI现又发布了针对200mm晶圆市场的最新报告。预计从2021-2025年，全球半导体制造商的200mm晶圆厂产能将迎来20%的增长。与此同时，随着晶圆月产达到700万片的历史新高，预计全球半导体行业还将迎来13条新增的200mm晶圆生产线。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1328703.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1328703.htm