SK海力士展示48/96GB DDR5内存， 美光和三星也会同样计划

SK海力士展示48/96GBDDR5内存，美光和三星也会同样计划在英特尔“IntelInnovation”峰会上，SK海力士在现场展示了一些新的DDR5内存模块。除了DIMM和SO-DIMM，还有RDIMM的产品，更为罕见的是，出现了48GB和96GB这样非常规容量的DDR5内存。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1322655.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1322655.htm

三星推出专为人工智能应用优化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM

三星推出专为人工智能应用优化的10.7GbpsLPDDR5XDRAM4月17日消息，三星近日宣布已开发出其首款支持高达10.7Gbps的LPDDR5XDRAM，采用12纳米级工艺技术，也是三星现有LPDDR中最小的芯片尺寸，将于今年下半年开始量产。据三星方面介绍，该产品可根据工作负载频率调整和优化供电模式，扩展低功耗模式频段，能效较上一代产品提升25%，同时性能提高25%以上，容量提高30%以上，还将移动DRAM的单封装容量扩展至32GB。三星电子内存业务内存产品规划执行副总裁YongCheolBae表示，市场对低功耗、高性能内存需求增加，LPDDRDRAM的应用领域有望从主要的移动领域扩展到PC、加速器、服务器和汽车等其他领域，对内存有更高性能和可靠性要求。——

三星推出HBM3E "Shinebolt"、GDDR7 和LPDDR5x CAMM2内存

三星推出HBM3E"Shinebolt"、GDDR7和LPDDR5xCAMM2内存面向人工智能和数据中心的三星HBM3E"Shinebolt"内存基于三星在2016年将业界首个HBM2商业化并为高性能计算（HPC）打开HBM市场的专业技术，该公司今天发布了名为Shinebolt的下一代HBM3EDRAM。三星的Shinebolt将为下一代人工智能应用提供动力，提高总体拥有成本（TCO），加快数据中心的人工智能模型训练和推理。HBM3E每引脚速度高达9.8千兆比特每秒（Gbps），这意味着它可以实现超过1.2太字节每秒（TBps）的传输速率。为了实现更高的层堆叠并改善热特性，三星优化了其不导电薄膜（NCF）技术，以消除芯片层之间的间隙并最大限度地提高导热性。三星的8H和12HHBM3产品目前已进入量产阶段，Shinebolt的样品也已交付给客户。凭借其作为半导体整体解决方案提供商的优势，该公司还计划提供将新一代HBM、先进封装技术和代工产品结合在一起的定制交服务。适用于下一代游戏显卡的三星GDDR7-32Gbps和32GbDRAM会上重点介绍的其他产品包括业界容量最高的32GbDDR5DRAM、业界首款32GbpsGDDR7以及可显著提升服务器应用存储能力的PBSSD。据三星称，与目前最快的24GbpsGDDR6DRAM相比，GDDR7内存将提高40%的性能和20%的能效，芯片容量最高可达16Gb。首批产品的额定传输速度达32Gbps，比GDDR6内存提高了33%，同时在384位总线接口解决方案上实现了1.5TB/s的带宽。以下是32Gbps引脚速度在多种总线配置中提供的带宽：512位-2048GB/秒（2.0TB/秒）384位-1536GB/秒（1.5TB/秒）320位-1280GB/秒（1.3TB/秒）256位-1024GB/秒（1.0TB/秒）192位-768GB/秒128位-512GB/秒该公司还测试了运行速度高达36Gbps的早期样品，但我们怀疑这些样品是否能大量生产，以满足下一代游戏和人工智能GPU的需求。GDDR7显存的能效也将提高20%，考虑到显存对高端GPU的巨大功耗，这无疑是件好事。据悉，三星GDDR7DRAM将包括专门针对高速工作负载进行优化的技术，还将提供低工作电压选项，专为笔记本电脑等注重功耗的应用而设计。在散热方面，新的内存标准将采用具有高导热性的环氧树脂模塑化合物（EMC），可将热阻降低多达70%。早在8月份就有报道称，三星向英伟达（NVIDIA）提供了GDDR7DRAM样品，用于下一代游戏显卡的早期评估。用于下一代CAMM2模块的三星LPDDR5x简化移动设计为了处理数据密集型任务，当今的人工智能技术正朝着在云和边缘设备之间分配和分配工作负载的混合模式发展。因此，三星推出了一系列内存解决方案，支持边缘设备的高性能、大容量、低功耗和小外形尺寸。除了业界首款7.5GbpsLPDDR5XCAMM2（有望真正改变下一代PC和笔记本电脑DRAM市场的游戏规则）之外，该公司还展示了9.6GbpsLPDDR5XDRAM、专用于设备上人工智能的LLWDRAM、下一代通用闪存（UFS）以及用于PC的大容量四级单元（QLC）固态硬盘BM9C1。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391385.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1391385.htm

三星推出专为人工智能应用优化的 10.7Gbps LPDDR5X DRAM

三星推出专为人工智能应用优化的10.7GbpsLPDDR5XDRAM三星近日宣布已开发出其首款支持高达10.7Gbps的LPDDR5XDRAM，采用12纳米级工艺技术，也是三星现有LPDDR中最小的芯片尺寸。据三星方面介绍，该产品可根据工作负载频率调整和优化供电模式，扩展低功耗模式频段，能效较上一代产品提升25%，同时性能提高25%以上，容量提高30%以上，还将移动DRAM的单封装容量扩展至32GB。

三星电子将于 2025 年推出新一代 HBM4 内存

三星电子将于2025年推出新一代HBM4内存三星量产了HBM2E和HBM3，并开发了每秒9.8千兆比特（Gbps）的HBM3E，我们将很快开始向客户提供样品，以丰富HPC/AI生态系统。展望未来，HBM4预计将于2025年推出，目前正在开发针对高热性能进行优化的技术，如非导电膜（NCF）组装和混合铜键合（HCB）。帖子中提供的信息显示，三星已经获得了潜在客户对其HBM3内存工艺的兴趣，其中英伟达（NVIDIA）等公司处于领先地位。随着人工智能（genAI）的发展，对相关硬件的要求达到了新的高度，因此对HBM3等必要组件的需求也迅速增加。英伟达正试图实现供应链的多元化，而三星电子在这方面就派上了用场，因为该公司拥有充足的设备来满足人工智能加速器对DRAM的需求。除了当前一代的进展，三星还计划快速推进下一代HBM4工艺，预计将于2025年亮相。虽然有关内存类型的具体细节不多，但三星透露，HBM4将采用"非导电薄膜"和"混合铜键合"，这将有助于提高内存工艺的能效和散热性能。HBM4的确将标志着向下一代人工智能加速器的过渡，为业界的计算能力打开新的大门。三星正在成为一家"与众不同"的供应商，尤其是该公司还在专注于开发芯片封装设备。鉴于该公司成功地赢得了潜在客户的信任，我们有可能看到这家韩国巨头的存储器部门在未来几年重振雄风。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1389583.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1389583.htm

三星正努力在骁龙 8 Gen 4发布前开始生产LPDDR6内存

三星正努力在骁龙8Gen4发布前开始生产LPDDR6内存三星希望为搭载骁龙8Gen4的手机准备好新的内存芯片是因为生成式人工智能模型可能会很快超过100亿参数的门槛。高通公司骁龙8Gen3的NPU支持在设备上生成10亿个参数的人工智能模型。超过100亿步意味着生成式AI可以更好地理解视频，并创建更精确的编程算法，从而提高智能手机的整体性能。LPDDR6仍缺乏清晰的路线图，尤其是在带宽以及有多少带宽将分配给人工智能进程方面。三星一直在改进LPDDR5（达到5X和5T），重点是低价格和高能效，而不是实际性能，一旦负责半导体标准的国际组织JEDEC最终确定新版本，这种情况就必须改变。通俗地说，LPDDR6RAM搭配骁龙8Gen4，最早可在2025年为智能手机带来下一步的人工智能功能。如果一切按计划进行，我们可能会看到手机凭自身实力实时编辑甚至凭空生成实际视频。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1423716.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1423716.htm