三星展望HBM4内存 工艺学习Intel 22nm

三星展望HBM4内存工艺学习Intel22nm工艺方面,三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管,改用FinFET立体晶体管,从而降低所需的驱动电流,改善能效。FinFET立体晶体管技术是Intel22nm率先引用的,这些年一直是半导体制造工艺的根基,接下来在Intel20A、台积电2nm、三星3nm上,都将转向全环绕立体栅极晶体管。封装方面,三星计划从微凸点键合转向无凸点键合(bumplessbongding),将铜层与铜层直接互连。事实上,这在逻辑芯片领域也是相当先进的技术,仍在研发之中。显然,这些都有助于HBM内存继续扩大容量、提升频率和带宽,但成本也将居高不下,注定它不会和普通用户产生多大关联,依然是HPC、AI领域的专属。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391567.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1391567.htm

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三星:2025年量产2nm工艺2027年挺进1.4nm据悉,三星第一代2nm工艺SF2将于明年准备就绪,最先进的2nm工艺节点SF2Z将于2027年量产商用,它采用先进的后端供电网络(BSPDN)技术,可以提高电源效率。值得注意的是,三星2nm工艺进一步完善了多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构,具有独特的外延和集成工艺,与基于FinFET的工艺技术相比,晶体管性能提升了11%-46%,可变性降低26%,同时漏电降低约50%。值得注意的是,在今年2月,三星宣布与Arm展开合作,提供基于最新的GAA晶体管技术,优化下一代ArmCortex-X/Cortex-ACPU内核,尽可能地提高了性能和效率。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1434596.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1434596.htm

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功耗降低34%三星发布第二代3nm工艺:4年后直奔1.4nm三星的3nm工艺很激进,相比台积电2nm工艺才会转向GAA晶体管的保守,三星在第一代3nm工艺上就使用了GAA晶体管技术,而且是MBCFET多桥通道场效应晶体管,被称为SF3E,也就是3GAE工艺。这次宣布的是SF3工艺,也就是之前的3GAP高性能工艺,三星提到该工艺相比SF4(4nmLPP)工艺,在相同功耗及晶体管密度下速度提升22%,或者功耗降低34%,面积缩小21%。这个提升幅度很大,但是三星对比的是二代3nm与4nm,没有直接提及两代3nm工艺之间的变化。根据三星公布的路线图,SF3工艺预计在2024年量产,之后还会有增强版的SF3P,也就是3GAP+,2025年量产。再往后还有2nm节点的SF2、SF2P工艺,2027年甚至连1.4nm节点的SF1.4工艺也规划好了。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358973.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1358973.htm

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领先台积电也没戏三星3nm工艺遭遇尴尬:大客户都没用在先进工艺竞争上,三星跟台积电一直是领先的两家,而且这两家公司可谓一时瑜亮,三星最近10年被台积电各种压制,直到6月底的3nm工艺上三星终于搬回了一局,抢先量产3nm,而且是GAA晶体管技术。相比之下,台积电的3nm工艺还是基于成熟的FinFET晶体管技术,9月份量产,GAA晶体管要到2024年2nm工艺上才会使用,在技术先进程度上确实被三星领先了一次。然而三星赢了面子,但首发的3nm工艺依然很尴尬——三星没有什么客户使用,目前唯一可以确定的客户是一家中国矿机芯片厂商PanSemi(上海磐矽半导体技术有限公司)。前几天韩国媒体称三星找到了第二家3nm客户,是一家手机芯片厂商,甚至传出了产能供不应求的消息,然而这个客户到底是谁一直没明确。台积电这面正相反,除了苹果会首发3nm工艺之外,AMD、高通、NVIDIA、联发科、博通等传统客户几乎也会选择台积电3nm,Intel也会在15代酷睿上使用台积电的3nm制造的GPU模块,这些客户都是基本确定的。对三星来说,虽然3nmGAA工艺上取得了领先,并且代工价格相比台积电还有优势,但是以往的良率、产能、能效等负面问题的影响还没完全消除,台积电依然是半导体大厂稳定可靠的选择。相关文章:三星第二代3nmGAA工艺将于2024年量产功耗降低50%三星第二代3nm已有手机芯片厂商中意三星已找到第二家3nm芯片客户产能开始供不应求...PC版:https://www.cnbeta.com/articles/soft/1308675.htm手机版:https://m.cnbeta.com/view/1308675.htm

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三星目标2025年量产2nm工艺期待获得显著的性能和效率提升据BusinessKorea报道,三星将在今年6月16日至20日举行的“VLSISymposium2024”上发表一篇关于2nm(SF2)工艺中应用第三代GAA(Gate-All-Around)晶体管工艺技术特性的论文,并带来更多关键细节。三星称,新工艺将进一步完善多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构,具有独特的外延和集成工艺。与基于FinFET的工艺技术相比,晶体管性能提升了11%至46%,可变性降低26%,同时漏电降低约50%。按照三星的规划,SF2的技术开发工作将于2024年第二季度完成,届时其芯片合作伙伴将可以选择在该制程节点设计产品。三星的努力不仅仅在突破技术界限上,过去一段时间里正不断加强2nm工艺生态系统的建设,已经拥有50多个合作伙伴。今年2月,三星宣布与Arm展开合作,提供基于最新的GAA晶体管技术,优化下一代ArmCortex-X/Cortex-ACPU内核,尽可能地提高了性能和效率,以将用户体验提升到一个新的水平。与此同时,三星还计划推出第三代3nm工艺,继续提高密度并降低功耗,另外还需要继续提升良品率。三星初代3nm工艺很难说得上成功,传闻早期的良品率仅为20%,主要用于生产加密货币使用的芯片,缺乏大客户的订单支持。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429426.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1429426.htm

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