陆委会委员：应适时更新核心关键技术清单防外流

陆委会委员：应适时更新核心关键技术清单防外流台湾陆委会咨询委员建议，为了防止台湾高科技技术外流，应适时盘点更新“核心关键技术名单”，并将人工智能项目纳入清单中。陆委会官网星期一（4月22日）刊出咨询委员会议与会委员发言重点纪录。部分咨询委员建议，在中国大陆与美国的科技竞争中，台湾高技术人才成了被挖角对象，导致台湾面临技术外流风险。这些委员说，台湾国家科学及技术委员会去年为此公布“核心关键技术清单”，但政府应适时与相关部会盘点更新，将人工智慧相关项目纳入；台湾政府应厘清大陆制半成品、零组件等适用范围，以免业者陷入国安、资安的疑虑。部分委员还提到，因应中美科技战和供应链分流趋势，海外企业、在陆台商采取“中国+1”策略，转移投资成为趋势。部分台商在大陆经营内需市场，通过与陆商合资或并购，成为有混合身分的“新陆商”或“混血台商”，这将影响两岸产业长期以来合作模式，也为“台商”身分认定、产业辅导政策带来挑战。台湾行政院去年12月首次订定“核心关键技术认定办法”，并设置“核心关键技术审议会”，防止产业核心关键技术流至境外，对台湾安全及产业利益造成重大损害。首次公告的项目清单为具有主导优势与保护急迫性技术，包括国防科技、太空、农业、半导体及资通安全领域。国科会表示，后续将与各相关部会配合技术发展的变动，持续广纳意见，预计今年3、4月推出第二波清单。2024年4月23日9:29AM

让14nm秒变7nm？华为辟谣开发出芯片堆叠技术方案

让14nm秒变7nm？华为辟谣开发出芯片堆叠技术方案甚至还附带了一份华为技术团队的官方通知。据新浪科技的最新消息，华为对此消息回应称，该通知为仿冒，属于谣言。希望大家能在“冲浪”的时候擦亮双眼，避免被蒙骗，也避免给企业造成不必要的负担。不过需要注意的是，其实华为确实一直在研究芯片堆叠方案，去年还被国家知识产权局公布了一项关于“芯片堆叠封装结构及其封装方法、电子设备”的专利。其中显示，这项专利早在2019年10月30日就申请了，描述了一种芯片堆叠封装结构及其封装方法、电子设备，涉及电子技术领域，用于解决如何将多个副芯片堆叠单元可靠的键合在同一主芯片堆叠单元上的问题。在去年3月底的华为2021年年报发布会上，华为轮值董事长郭平也表示，未来华为可能会采用多核结构的芯片设计方案，以提升芯片性能。同时，采用面积换性能、用堆叠换性能的方法，使得不那么先进的工艺，也能持续让华为在未来的产品里面，能够具有竞争力。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1349391.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1349391.htm

上海市 2023 年度区块链关键技术攻关专项项目立项清单公布

上海市2023年度区块链关键技术攻关专项项目立项清单公布据上海市科学技术委员会发布通知，上海市2023年度“科技创新行动计划”区块链关键技术攻关专项项目，经项目申报、形式审查、专家评审等程序，现对《面向区块链即服务的跨虚拟机协同并行计算研究》等14个项目予以立项，市科委资助2795万元，其中2023年拨款2516万元。附件包含上海市2023年度“科技创新行动计划”区块链关键技术攻关专项项目立项清单。

研究公司高管称麒麟9000S采用14nm工艺 中芯国际利用技术手段使其表现更接近7nm

研究公司高管称麒麟9000S采用14nm工艺中芯国际利用技术手段使其表现更接近7nm业内专家称赞采用麒麟9000S的Mate60Pro是因为华为能够在美国贸易制裁的情况下大规模生产芯片。虽然一些研究公司认为最新的芯片是由中芯国际生产的7nm部件，但《南华早报》通过电子邮件与研究公司FomalhautoTechnoSolutions的首席执行官MinatakeMitchellKashio进行了交谈。他认为，显然麒麟9000S并非真正的7nmSoC，而是14nmSoC。总部位于东京的电子研究公司FomalhautTechnoSolutions首席执行官MinatakeMitchellKashio在接受电子邮件采访时告诉《南华早报》，根据他们自己的手机拆解结果，他认为麒麟9000SCPU是采用中芯国际的14纳米工艺制造的。他表示，为了使芯片性能更接近7纳米级处理器，制造过程中还加入了一些特殊技术。一些基准测试也显示，麒麟9000S获得了与7纳米芯片类似的性能表现，而且中芯国际还在使用DUV（深紫外线）设备，可以在这种光刻工艺下制造芯片。遗憾的是，由于美国的制裁，中国公司无法从荷兰的ASML购买先进的EUV设备，因此可能无法突破7纳米的上限。生产7纳米芯片也直接违反了美国的制裁措施，因为美国的出口管制措施旨在将中国的芯片生产限制在14纳米，比最新技术落后10年。一份报告指出，随着麒麟9000S的问世，中国目前已落后美国约四年，大大缩小了技术差距。但研究公司高管给出的看法只是一方面的看法，目前还没有确切证据表明新的SoC是用14nm工艺制造的，因此我们只能等待更多的更新来提供具体信息。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1387593.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1387593.htm

复旦大学成功验证实现 3nm 关键技术 —— GAA 晶体管

复旦大学成功验证实现3nm关键技术——GAA晶体管https://www.eet-china.com/news/202101041645.html随着集成电路制造工艺进入到5纳米技术节点以下，传统晶体管微缩提升性能难以为继，技术面临重大革新。采用多沟道堆叠和全面栅环绕的新型多桥沟道晶体管乘势而起，利用GAA结构实现了更好的栅控能力和漏电控制，被视为3-5纳米节点晶体管的主要候选技术。现有工艺已实现了7层硅纳米片的GAA多桥沟道晶体管，大幅提高驱动电流，然而随着堆叠沟道数量的增加，漏电流也随之增加，导致的功耗不可忽视。

上海副市长陈杰：加强核心技术突破 推动智能芯片关键技术攻关和应用适配

上海副市长陈杰：加强核心技术突破推动智能芯片关键技术攻关和应用适配在2024全球开发者先锋大会上，上海市副市长陈杰表示，上海将加强核心技术突破，推动智能芯片关键技术攻关和应用适配，打造更多元开放的智能计算生态，支持通用大模型和垂直大模型的研发，积极推进大模型和具身智能的融合发展；加大开源开放力度，牵引推动大模型在金融、制造、医疗、教育等典型垂直领域加快应用实践；加快创新创业生态培育，推动人工智能、区块链、元宇宙等前沿技术研发和应用推广。（科创板日报）