SK hynix正在为NVIDIA准备HBM3E样品

SKhynix正在为NVIDIA准备HBM3E样品SKhynix与英伟达有着现有的合作关系--它在去年抵御了激烈的竞争，此后为H100"Hopper"TensorCoreGPU生产了（当前版本）HBM3DRAM。该内存制造商希望通过第五代产品保持其在HBM市场上的领先地位--副总裁ParkMyung-soo早在4月就透露说："我们正在准备今年下半年的8GbpsHBM3E产品样品，并准备在明年上半年进行大规模生产"。与英伟达的新合作关系可以帮助SKhynix在HBM制造领域扩大其与最近的竞争对手--三星之间的差距。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1365867.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1365867.htm

NVIDIA Blackwell B100 GPU将搭配SK Hynix HBM3e显存 预计于2024年Q2推出

NVIDIABlackwellB100GPU将搭配SKHynixHBM3e显存预计于2024年Q2推出英伟达计划在明年第二季度左右发布的下一代人工智能旗舰图形处理器（GPU）B100中包含了HBM3E。市场预测，与英伟达目前最高规格的GPUH100相比，B100将成为更强大的AI规则改变者。该产品主要应用于人工智能云和超级计算领域。英伟达占据了90%以上的AIGPU市场份额。英伟达原计划在明年第四季度发布B100，但据说由于需求快速增长，已将发布日期提前到第二季度末。随着B100发布日期的提前，SKHynix也开始忙碌起来。由于原本预计在第二季度初进行的质量测试日程被推迟到了第一季度，我们正集中精力提高产量。预计质量测试的数量最早将于1月份移交给NVIDIA。报道称，英伟达独家选择SKHynix的HBM3e内存，是因为其具有较高的量产质量。这些芯片将于明年初交给英伟达，以便该公司开始最后的鉴定测试。至于采用新DRAM的产品，据说英伟达的下一代旗舰GPUB100"Blackwell"将采用这种内存。据悉，B100原计划于2024年第四季度推出，但英伟达现在将提前于2024年第二季度推出该芯片。同样，还有消息称英伟达从2023年6月就开始开发BlackwellB100GPU，并在8月份从SKHynix收到了HBM3e内存的初始样品。据悉，这一变化的原因是AIGPU需求激增，需要更强大的AI解决方案。英伟达的AmpereA100和HopperH100GPU已经占据了AIGPU市场90%以上的份额，而BlackwellB100将进一步巩固绿色团队在AI领域无可争议的领导地位。该消息来源还引用了半导体行业内一位消息人士的话，称没有HBM3E，B100是不可能顺利实现批量销售的。半导体行业的一位官员说："没有HBM3E，英伟达不可能销售B100。"他还补充说："一旦质量达标，签约只是时间问题。"最近的一份投资者路线图证实，英伟达将BlackwellB100GPU定位在2024年推出。甚至B100的后续产品X100GPU也被提到将于2025年推出。这表明英伟达在加快人工智能GPU的步伐，并希望在未来几年保持领先地位。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390049.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390049.htm

消息称三星将向英伟达独家供应 12 层 HBM3E

消息称三星将向英伟达独家供应12层HBM3E据韩国alphabiz消息，英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E，后者将向英伟达独家供应12层HBM3E。在日前的GTC2024中，黄仁勋曾在三星电子12层HBM3E实物产品上留下了"黄仁勋认证（JENSENAPPROVED）"的签名。SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。

德邦证券：SK 海力士 HBM3E 良率接近 80% HBM 供不应求

德邦证券：SK海力士HBM3E良率接近80%HBM供不应求德邦证券发布研报称，5月21日，SK海力士高层KwonJae-soon表示，SK海力士的HBM3E良率接近80%，他强调SK海力士今年重点是生产8层堆叠HBM3E。此前，SK海力士CEO郭鲁正于5月2日宣布，公司HBM今年已经全部售罄，明年也基本售罄，并且预计在今年5月提供世界最高性能的12层堆叠HBM3E产品的样品，并准备在第三季度开始量产。同时，美光CEOSanjayMehrotra也表示HBM产能今年已经全部售罄，并且预计其HBM产品在第三财季可为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。建议关注HBM产业链：赛腾股份(603283.SH)、通富微电(002156.SZ)、联瑞新材(688300.SH)、华海诚科(688535.SH)、香农芯创(300475.SZ)、精智达(688627.SH)等。

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存SK海力士出局而SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB12H（12层堆叠）HBM3EDRAM内存。据介绍，HBM3E12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM38H，在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20petaflops的AI性能。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424907.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424907.htm

SK hynix 宣布开发出目前性能最好的HBM3E内存

SKhynix宣布开发出目前性能最好的HBM3E内存SKhynix计划从明年上半年开始量产HBM3E。据该公司称，最新产品不仅在人工智能内存产品的关键规格--速度方面达到了业界最高标准，而且在容量、散热和用户友好性等所有方面都达到了业界最高标准。在速度方面，HBM3E每秒可处理高达1.15TB的数据，相当于在一秒钟内处理230多部每部5GB大小的全高清电影。此外，通过在最新产品中采用先进的大规模回流模塑底部填充（MR-MUF）尖端技术，该产品的散热性能提高了10%。它还具有向后兼容性，即使是为HBM3准备的系统也可以采用最新产品，而无需修改设计或结构。SKhynixDRAM产品规划主管SungsooRyu表示，该公司通过开发HBM3E，进一步增强了HBM产品阵容的完整性，从而巩固了其市场领导地位，而HBM在人工智能技术的发展中备受瞩目。"通过提高高价值HBM产品的供应份额，SKhynix还将寻求快速的业务转型。"...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378373.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1378373.htm