NVIDIA据称正在测试SK Hynix的12层HBM3E原型样品

NVIDIA据称正在测试SKHynix的12层HBM3E原型样品2023年年中的报道称，NVIDIA在夏季前后获得了8层HBM3E（第4代）单元的样品，SKHynix也很快收到了批准通知。另一家韩国媒体DealSite认为，英伟达的内存认证流程暴露了多家制造商的HBM产量问题。SK海力士、三星和美光在HBM3E领域展开了激烈的竞争，希望能将各自的产品应用到英伟达的H200AIGPU上。DigiTimesAsia称，SKHynix准备在本月某个时间点"开始量产第五代HBM3E"。业内人士认为，SKHynix的良品率足以通过NVIDIA的早期认证，先进的12层样品有望在不久的将来获得批准。ZDNet认为，SKHynix的发展势头使其处于有利地位："（他们）在去年下半年提供了8层HBM3E样品，并通过了最近的测试。虽然官方时间表尚未公布，但预计最早将于本月开始量产。此外，SKHynix上个月还向英伟达提供了12层HBM3E样品。该样品属于极早期版本，主要用于建立新产品的标准和特性。SKHynix将其称为UTV（UniversalTestVehicle）。由于海力士已经完成了8层HBM3E的性能验证，预计12层HBM3E的测试不会花费太多时间"SKHynix副总裁最近透露，公司2024年的HBM产能已经预定一空，领导层已经在为2025年及以后的创新做准备。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1422828.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1422828.htm

SK hynix正在为NVIDIA准备HBM3E样品

SKhynix正在为NVIDIA准备HBM3E样品SKhynix与英伟达有着现有的合作关系--它在去年抵御了激烈的竞争，此后为H100"Hopper"TensorCoreGPU生产了（当前版本）HBM3DRAM。该内存制造商希望通过第五代产品保持其在HBM市场上的领先地位--副总裁ParkMyung-soo早在4月就透露说："我们正在准备今年下半年的8GbpsHBM3E产品样品，并准备在明年上半年进行大规模生产"。与英伟达的新合作关系可以帮助SKhynix在HBM制造领域扩大其与最近的竞争对手--三星之间的差距。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1365867.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1365867.htm

美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产

美光领先于SKHynix和三星启动HBM3E内存的生产美光透露其正在大规模生产24GB8-HiHBM3E设备，每个设备的数据传输速率为9.2GT/s，峰值内存带宽超过1.2TB/s。与HBM3相比，HBM3E将数据传输速率和峰值内存带宽提高了44%，这对于像NVIDIA的H200这样对带宽要求极高的处理器尤为重要。NVIDIA的H200产品采用Hopper架构，计算性能与H100相同。同时，它配备了141GBHBM3E内存，带宽达4.8TB/s，比H100的80GBHBM3和3.35TB/s带宽有了显著提升。美光使用其1β（1-beta）工艺技术生产其HBM3E，这对该公司来说是一项重大成就，因为该公司将其最新的生产节点用于数据中心级产品，这是对制造技术的一种考验。随着美光即将于2024年3月发布36GB12-HiHBM3E产品，代表着公司的人工智能内存路线图得到了进一步巩固，与此同时这些设备接下来将用于何处还有待观察。领先于竞争对手SKHynix和三星开始量产HBM3E内存是美光公司取得的一项重大成就，目前美光公司在HBM领域占据10%的市场份额。此举对该公司至关重要，因为它使美光能够比竞争对手更早推出高端产品，从而有可能增加收入和利润率，同时获得更大的市场份额。美光科技执行副总裁兼首席业务官SumitSadana表示："美光在HBM3E这一里程碑上实现了三连冠：领先的上市时间、同类最佳的行业性能以及与众不同的能效特性。人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量，美光通过我们业界领先的HBM3E和HBM4路线图，以及我们面向人工智能应用的全套DRAM和NAND解决方案组合，在支持未来人工智能的大幅增长方面处于非常有利的位置。"...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1420987.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1420987.htm

SK hynix 1bnm工艺将用于DDR5 RDIMM和HBM3E DRAM解决方案

SKhynix1bnm工艺将用于DDR5RDIMM和HBM3EDRAM解决方案SKHynix还确认，下一代1bnm节点将被用于生产DDR5和HBM3E（高带宽内存）解决方案。该企业表示，XeonScalable平台获得了英特尔认证，支持在1bnm节点上构建的DDR5产品。1bnmDDR5内存的成功评估发生在1anm（第四代10nm节点）实现准备就绪并同时完成英特尔认证的时候。SKHynix预计，在成功验证了1anm服务器DDR5产品与第四代英特尔至强可扩展处理器的兼容性之后，与英特尔合作的1bnmDDR5产品的验证过程将顺利进行。在人们对内存市场将从下半年开始复苏的期望越来越高的情况下，我们相信我们业界领先的DRAM技术，通过这次1bnm工艺的大规模生产再次得到证明，将帮助我们从下半年开始提高收益。开发初期试运行的DDR5产品运行速度为4.8Gbps，而JEDEC标准中规定的DDR5的最高速度为8.8Gbps。提供给英特尔的DDR5产品的运行速度为6.4Gbps（目前为业界最高），比DDR5开发初期的测试产品的数据处理速度提高了33%。此外，1bnmDDR5内存的功耗将比1anm节点低20%，这是因为采用了高K金属栅极工艺，引入了高介电常数材料，可以防止泄漏电流并提高电容。HBM3E（HBM3扩展）：HBM3E是第五代高带宽内存产品，继承了前几代HBM、HBM2、HBM2E和HBM3。SKhynix计划在下半年准备好HBM3E产品的样品，以8Gbps的数据处理速度运行，并在2024年开始大规模生产。该企业还表示，该公司将在2024年下半年前采用1bnm工艺生产基于LPDDR5T和HBM3E的产品。SKHynix计划准备以8Gbps数据处理速度运行的HBM3E产品的样品，并在2024年开始大规模生产。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1362529.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1362529.htm

SK海力士全球首家量产HBM3E内存 1秒处理超1TB数据

SK海力士全球首家量产HBM3E内存1秒处理超1TB数据随后SK海力士发布公告称，其最新的超高性能AI内存产品HBM3E已开始量产，并将从本月下旬起向客户供货。据介绍，在存储半导体三大巨头（三星电子、SK海力士、美光）中，SK海力士是首家实现量产HBM3E供应商。HBM3E每秒可处理1.18TB数据，相当于在1秒内可处理230部全高清（FHD）级电影。在散热方面，SK海力士表示其HBM3E采用了MR-MUF技术，散热性能较上一代产品提高了10%，从而在散热等所有方面都达到了全球最高水平。SK海力士高管表示：“公司通过全球首次HBM3E投入量产，进一步强化了领先用于AI的存储器业界的产品线。”其还表示，公司积累的HBM业务成功经验，将进一步夯实与客户的关系，并巩固全方位人工智能存储器供应商的地位。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424206.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424206.htm

SK hynix推出24GB容量12层HBM3内存 正向客户提供样品

SKhynix推出24GB容量12层HBM3内存正向客户提供样品"继去年6月量产全球首款HBM3之后，公司成功开发了24GB封装产品，该产品的内存容量比之前的产品增加了50%，"SKhynix说。"我们将从今年下半年开始向市场供应新产品，以配合人工智能驱动的聊天工具行业对高端内存产品不断增长的需求。"SKhynix的工程师通过在最新产品中应用先进的大规模回流模塑（MR-MUF）技术，提高了工艺效率和性能稳定性，而硅通孔（TSV）技术将单个DRAM芯片的厚度减少了40%，实现了与16GB产品相同的堆叠高度水平。"SKhynix通过其在后端工艺中使用的领先技术，能够持续开发一系列超高速和高容量的HBM产品，"SKhynix封装和测试主管SangHooHong说。"公司计划在今年上半年完成新产品的量产准备，以进一步巩固其在人工智能时代的尖端DRAM市场的领导地位。"由SKhynix在2013年首次开发的HBM，因其在实现高性能计算（HPC）系统中运行的生成式人工智能中的关键作用，已经引起了存储芯片行业的广泛关注。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1355881.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1355881.htm