三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存SK海力士出局而SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB12H（12层堆叠）HBM3EDRAM内存。据介绍，HBM3E12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM38H，在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20petaflops的AI性能。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424907.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424907.htm

英伟达寻求从三星采购HBM芯片

英伟达寻求从三星采购HBM芯片黄仁勋表示，英伟达正在对三星的HBM芯片进行资格认证，并将在未来开始使用它们。HBM已成为人工智能热潮的重要组成部分，因为与传统存储芯片相比，它提供了更快的处理速度。黄仁勋表示：“HBM是一个技术奇迹。”他补充说，HBM还可以提高能效，并且随着耗电的人工智能芯片变得更加普遍，将帮助世界保持可持续发展。SK海力士实际上是AI芯片领导者英伟达的HBM3芯片的唯一供应商。虽然没有透露新HBM3E的客户名单，但SK海力士高管透露，新芯片将首先供货英伟达并用于其最新的BlackwellGPU。三星一直在HBM上投入巨资，以追赶竞争对手。三星于2月宣布开发出HBM3E12H，这是业界首款12层堆栈HBM3EDRAM，也是迄今为止容量最高的HBM产品。三星表示，将于今年上半年开始量产该芯片。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424347.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424347.htm

三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片 12层堆叠

三星开发业界首款36GBHBM3E存储芯片12层堆叠三星电子存储产品规划执行副总裁YongcheolBae表示，业界AI服务供应商越来越需要更高容量的HBM，而我们开发的全新HBM3E12H产品正是为满足这一需求设计的。技术方面，三星HBM3E12H采用先进的热压非导电薄膜（TCNCF），使12层产品具有与8层HBM芯片相同的高度，以满足当前HBM封装要求。该技术预计将在未来带来更多优势，特别是更高层数堆叠方面，因为业界正在努力减轻芯片裸片变薄带来的翘曲问题。三星不断降低NCF材料的厚度，并实现了当前业界最小的芯片间隙（7微米），同时消除了层间空隙。与此前的HBM38H产品相比，新技术的进步使得垂直密度提高了20%以上。三星表示，TCNCF技术还能够通过在芯片之间使用不同大小的凸块，来改善HBM的热性能。在芯片键合层面，较小的凸块用于信号传输区域，而较大的凸块用于需要散热的区域；该方法还有助于提高产品产量。集微网了解到，英伟达目前的H200旗舰AI芯片宣布采用HBM3E存储，下一代B100预计将同样采用HBM3E，目前三大存储芯片巨头三星、SK海力士、美光均重点发力HBM。三星表示，HBM3E12H将成为未来最佳解决方案，并降低数据中心总成本（TCO）。性能方面，新产品与HBM38H相比，人工智能训练平均速度可提高34%，用于推理服务支持的用户数量最高可增加11.5倍以上。目前三星已开始向客户提供HBM3E12H样品，计划于今年上半年量产。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1421103.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1421103.htm

NVIDIA据称正在测试SK Hynix的12层HBM3E原型样品

NVIDIA据称正在测试SKHynix的12层HBM3E原型样品2023年年中的报道称，NVIDIA在夏季前后获得了8层HBM3E（第4代）单元的样品，SKHynix也很快收到了批准通知。另一家韩国媒体DealSite认为，英伟达的内存认证流程暴露了多家制造商的HBM产量问题。SK海力士、三星和美光在HBM3E领域展开了激烈的竞争，希望能将各自的产品应用到英伟达的H200AIGPU上。DigiTimesAsia称，SKHynix准备在本月某个时间点"开始量产第五代HBM3E"。业内人士认为，SKHynix的良品率足以通过NVIDIA的早期认证，先进的12层样品有望在不久的将来获得批准。ZDNet认为，SKHynix的发展势头使其处于有利地位："（他们）在去年下半年提供了8层HBM3E样品，并通过了最近的测试。虽然官方时间表尚未公布，但预计最早将于本月开始量产。此外，SKHynix上个月还向英伟达提供了12层HBM3E样品。该样品属于极早期版本，主要用于建立新产品的标准和特性。SKHynix将其称为UTV（UniversalTestVehicle）。由于海力士已经完成了8层HBM3E的性能验证，预计12层HBM3E的测试不会花费太多时间"SKHynix副总裁最近透露，公司2024年的HBM产能已经预定一空，领导层已经在为2025年及以后的创新做准备。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1422828.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1422828.htm

被曝未通过英伟达HBM芯片测试 三星回应：正与客户密切合作优化产品

被曝未通过英伟达HBM芯片测试三星回应：正与客户密切合作优化产品三星HBM芯片尚未通过测试随着生成式人工智能热潮的兴起，市场对复杂GPU的需求飙升，对HBM的需求也随之飙升。英伟达目前控制着全球80%的人工智能应用GPU市场，因此，能够通过英伟达的测试被视为HBM制造商未来增长的关键——无论是在企业声誉方面还是在利润增长势头方面。如果不能通过测试，将动摇三星HBM3芯片甚至是即将推出的第五代HBM3E芯片的市场地位。消息人士对媒体称，自去年以来，三星一直试图通过英伟达对HBM3和HBM3E的测试。但目前尚不清楚上述的散热和功耗问题能否轻易解决。三星电子在声明中表示：“HBM是一种定制内存产品，需要根据客户的需求进行优化…正在与客户密切合作，优化产品。”KB证券研究主管JeffKim表示，三星作为全球最大的存储芯片制造商，市场原本对其期望很高，认为三星将很快通过英伟达的测试。不过，HBM等专业产品需要一些时间才能通过客户的性能评估也是很自然的。虽然三星尚未成为英伟达的HBM3供应商，但它确实已经在为AMD等客户供货，并计划在第二季度开始批量生产HBM3E芯片。三星在声明中表示，其产品计划正在按计划进行。或在HBM竞赛中进一步落后？消息人士表示，三星未能满足英伟达的要求，加剧了业界和投资者的担忧，即三星在HBM方面可能进一步落后于竞争对手SK海力士和美光科技。三星的主要竞争对手——SK海力士目前是英伟达的主要HBM芯片供应商。从2022年6月开始，SK海力士就向英伟达供应HBM3。此外，该公司还从今年3月底开始向一家拒绝透露姓名的客户供应HBM3E，据消息人士称，这些产品的发货目的地还是英伟达。此外，目前全球另一家HBM芯片主要制造商美光也已经表示，将向英伟达提供HBM3E。本周，三星更换了其半导体部门的负责人，称需要一位新的高层人物来应对这场影响该行业的“危机”。分析师表示，此举似乎突显了三星对其在HBM领域落后地位的担忧。SK海力士早在2013年就首次开发出HBM芯片，并且在过去的10年里，SK海力士在HBM研发上投入的时间和资源远远超过三星电子，这也是其技术优势的原因。三星电子在声明中表示：“三星在2015年开发了第一个用于高性能计算的商用HBM解决方案，此后一直在HBM领域进行投资。”消息人士还称，英伟达和AMD等GPU制造商迫切希望三星完善其HBM芯片，这样他们就能有更多的供应商选择，并削弱SK海力士的定价能力。在今年3月举行的英伟达人工智能大会上，黄仁勋曾在三星的12层HBM3E实物产品上留下了“黄仁勋认证（JENSENAPPROVED）”的签名，这表明该公司对三星供应这些芯片的前景充满热情。根据研究公司Trendforce的数据，HBM3E芯片可能成为今年市场上主流的HBM产品，出货量集中在2024年下半年。另外，SK海力士预计，到2027年，HBM存储芯片的总体需求将以每年82%的速度增长。分析师表示，投资者已经注意到三星在HBM的相对弱势地位。该公司股价今年迄今持平，而SK海力士的股价上涨了41%，美光的股价上涨了48%。相关文章:路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432167.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432167.htm

美光将于2024年初向英伟达交付HBM3E内存

美光将于2024年初向英伟达交付HBM3E内存美光公司总裁兼首席执行官SanjayMehrotra在公司财报电话会议上表示："我们推出的HBM3E产品受到了客户的强烈关注和热捧。"美光在HBM市场上处于劣势，仅占10%的市场份额，而领先于竞争对手三星和SKHynix推出HBM3E（该公司也称之为HBM3Gen2）对美光来说是一件大事。该公司显然对其HBM3E寄予了厚望，因为这很可能使其领先于竞争对手（赢得市场份额）提供优质产品（提高收入和利润）。通常情况下，内存制造商往往不会透露其客户的名称，但这次美光强调，其HBM3E是客户路线图的一部分，并特别提到英伟达（NVIDIA）是其盟友。与此同时，NVIDIA迄今公布的唯一支持HBM3E的产品是其GraceHopperGH200计算平台，该平台采用了H100计算GPU和GraceCPU。Mehrotra说："在整个开发过程中，我们一直与客户密切合作，并正在成为他们人工智能路线图中紧密结合的合作伙伴。美光HBM3E目前正处于英伟达计算产品的资格认证阶段，这将推动HBM3E驱动的人工智能解决方案的发展。"美光的24GBHBM3E模块基于8个堆叠的24Gbit内存模块，采用公司的1β（1-beta）制造工艺。这些模块的日期速率高达9.2GT/秒，使每个堆栈的峰值带宽达到1.2TB/秒，比目前最快的HBM3模块提高了44%。同时，该公司不会止步于基于8-Hi24Gbit的HBM3E组件。该公司已宣布计划在开始量产8-Hi24GB堆叠之后，于2024年推出容量更高的36GB12-HiHBM3E堆叠。美光首席执行官补充说："我们预计在2024年初开始HBM3E的量产，并在2024财年实现可观的收入。"...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1387065.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1387065.htm