台积电推出A16新型晶片制造技术 预计将于2026年量产

台积电推出A16新型晶片制造技术预计将于2026年量产台湾积体电路制造公司（简称台积电）公布，所推出的A16新型晶片制造技术，A16晶片预计将于2026年下半年量产。据路透社报道，台积电星期三（4月24日）在美国加州圣克拉拉举行的一场技术论坛上，做出上述宣布。台积电高管说，人工智能晶片制造商将比智能手机制造商更早采用上述技术。台积电说，这项新科技将允许电力从晶片背面输送到计算晶片，有助于加快人工智能晶片的运算速度，而这是台积电与美国竞争对手英特尔一直在竞争的领域。台积电商业发展高级副总裁张晓强对记者说，因应人工智能晶片公司的需求，公司比预期更早完成A16新型晶片制造技术的开发，但未具体说明是为哪些人工智能晶片公司制造这些晶片。张晓强说，台积电不认为需要荷兰半导体巨头阿斯麦（ASML）出产的高数值孔径（High-NA）极紫外光刻机（EUV）制造A16晶片。英特尔上周宣布，将向阿斯麦购买制造每台售价3亿7300万美元（约5亿800万新元）的高数值孔径紫外光刻机，用于制造14A晶片。英特尔今年2月称，公司所推出的14A新型晶片制造技术，将让他们超越台积电，生产出全世界运算速度最快的晶片。2024年4月25日3:04PM

台积电首度发布 A16 新型芯片制造技术，预计 2026 年量产

台积电首度发布A16新型芯片制造技术，预计2026年量产当地时间4月24日，台积电在美国加州圣克拉拉举行的北美技术论坛上，发布了一项名为TSMCA16的新型芯片制造技术，预计于2026年量产。据悉，台积电这次首度发布TSMCA16技术，结合领先的纳米片电晶体及创新的背面电轨（backsidepowerrail）解决方案以大幅提升逻辑密度及效能，预计于2026年量产。

台积电计划2026年下半年量产1.6纳米芯片

台积电计划2026年下半年量产1.6纳米芯片台积电4月24日在美国加州圣克拉拉举行的一场会议上宣布，名为“A16”的新芯片制造技术将于2026年下半年量产。据《日经新闻》报道，“A16”是指1.6纳米芯片技术。称引入1.6纳米芯片制造技术可以“极大地提高逻辑芯片密度和性能”。与此同时，英特尔的目标是到2025年采用2纳米和1.8纳米技术，三星的目标是到2027年采用1.4纳米技术。——、

台积电为 A16 工艺推出背面供电网络技术

台积电为A16工艺推出背面供电网络技术台积电A16工艺最重要的创新是引入了超级电源轨(SPR)，这是一种复杂的背面供电网络(BSPDN)。新工艺节点有望在相同电压下将时钟频率提高10%，在相同频率和复杂度下将功耗降低15%-20%，根据实际设计使晶体管密度提高7%-10%。BSPDN可以将信号网络和供电网络分离，提高晶体管密度并改善供电，从而影响性能。台积电的SPR使用特殊接触将背面供电网络插入每个晶体管的源极和漏极，同时还可以降低电阻，以获得尽可能高的性能和功率效率。从生产角度来看，这是最复杂的BSPDN实现之一，比英特尔的PowerVia更复杂。——

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机

传台积电A161.6nm制程不会采用High-NAEUV光刻机访问：NordVPN立减75%+外加3个月时长另有NordPass密码管理器据台湾业界消息，台积电并没有为A16制程准备High-NA（高数值孔径）EUV光刻机，而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下，英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NAEUV光刻机。关于背面供电技术，英特尔原本计划在20A（2nm）制程导入，称其为“PowerVia”，但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN，根据早些时候消息，三星代工部门首席技术官JungKi-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。目前英特尔已经收到了ASML首台High-NAEUV光刻机，并完成组装。业界认为，台积电选择在这时推出A16制程，给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NAEUV设备上抢先一步，但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机，也展现了其技术实力，可以在不采用最新设备的情况下，将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上，去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式，在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时，还降低了缺陷密度。台湾分析师表示，台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求，尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NAEUV设备产能有限，如何在三大晶圆代工巨头之间分配，势必成为一大挑战。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431296.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431296.htm

SK 海力士、台积电 宣布合作开发 HBM4 芯片，预期2026年投产

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片，预期2026年投产在此次合作前，所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺，包括制造封装内最底层的基础裸片，然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。从HBM4产品开始，海力士准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。另外，双方还计划合作优化HBM产品和台积电独有的CoWoS技术融合（2.5D封装）。https://api3.cls.cn/share/article/1652041