台积电首度发布 A16 新型芯片制造技术,预计 2026 年量产

台积电首度发布A16新型芯片制造技术,预计2026年量产当地时间4月24日,台积电在美国加州圣克拉拉举行的北美技术论坛上,发布了一项名为TSMCA16的新型芯片制造技术,预计于2026年量产。据悉,台积电这次首度发布TSMCA16技术,结合领先的纳米片电晶体及创新的背面电轨(backsidepowerrail)解决方案以大幅提升逻辑密度及效能,预计于2026年量产。

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台积电推出A16新型晶片制造技术 预计将于2026年量产

台积电推出A16新型晶片制造技术预计将于2026年量产台湾积体电路制造公司(简称台积电)公布,所推出的A16新型晶片制造技术,A16晶片预计将于2026年下半年量产。据路透社报道,台积电星期三(4月24日)在美国加州圣克拉拉举行的一场技术论坛上,做出上述宣布。台积电高管说,人工智能晶片制造商将比智能手机制造商更早采用上述技术。台积电说,这项新科技将允许电力从晶片背面输送到计算晶片,有助于加快人工智能晶片的运算速度,而这是台积电与美国竞争对手英特尔一直在竞争的领域。台积电商业发展高级副总裁张晓强对记者说,因应人工智能晶片公司的需求,公司比预期更早完成A16新型晶片制造技术的开发,但未具体说明是为哪些人工智能晶片公司制造这些晶片。张晓强说,台积电不认为需要荷兰半导体巨头阿斯麦(ASML)出产的高数值孔径(High-NA)极紫外光刻机(EUV)制造A16晶片。英特尔上周宣布,将向阿斯麦购买制造每台售价3亿7300万美元(约5亿800万新元)的高数值孔径紫外光刻机,用于制造14A晶片。英特尔今年2月称,公司所推出的14A新型晶片制造技术,将让他们超越台积电,生产出全世界运算速度最快的晶片。2024年4月25日3:04PM

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台积电宣布“A16”芯片制造技术 将于2026年底开始投产

台积电宣布“A16”芯片制造技术将于2026年底开始投产分析师告诉路透社,周三公布的技术可能会让人质疑英特尔2月份的说法,即它将利用英特尔称为"14A"的新技术超越台积电,制造出全球最快的计算芯片。台积电业务发展高级副总裁张晓强(KevinZhang)告诉记者,由于人工智能芯片公司的需求,该公司开发新的A16芯片制造工艺的速度比预期的要快,但他没有透露具体客户的名字。张说,台积电认为它不需要使用ASML的新型"高NAEUV"光刻工具机来制造A16芯片。英特尔上周透露,它计划率先使用这种每台耗资3.73亿美元的设备来开发14A芯片。台积电还披露了一项从芯片背面为计算机芯片供电的新技术,该技术有助于加快人工智能芯片的速度,并将于2026年推出。英特尔公司也宣布了一项类似的技术,旨在成为其主要竞争优势之一。分析师们说,这些公告让人对英特尔将重新夺回世界芯片制造桂冠的说法产生怀疑。分析公司TechInsights的副主席DanHutcheson在谈到英特尔时说:"这是值得商榷的,但在某些指标上,我不认为他们领先。"但TIRIASResearch的负责人凯文-克鲁威尔(KevinKrewell)警告说,英特尔和台积电的技术距离交付仍有数年之遥,需要证明真正的芯片与他们的主题演讲相匹配。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428546.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1428546.htm

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台积电计划2026年下半年量产1.6纳米芯片

台积电计划2026年下半年量产1.6纳米芯片台积电4月24日在美国加州圣克拉拉举行的一场会议上宣布,名为“A16”的新芯片制造技术将于2026年下半年量产。据《日经新闻》报道,“A16”是指1.6纳米芯片技术。称引入1.6纳米芯片制造技术可以“极大地提高逻辑芯片密度和性能”。与此同时,英特尔的目标是到2025年采用2纳米和1.8纳米技术,三星的目标是到2027年采用1.4纳米技术。——、

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台积电2nm制程量产,预计将延迟到2026年底

台积电2nm制程量产,预计将延迟到2026年底据经济日报报道,台积电先进制程近况备受各界关注,根据Counterpoint研究团队发布的最新报告,预计台积电3纳米旗舰智能手机应用将在2024年下半年增长,但2纳米制程量产将推迟至2026年底。CounterpointResearch半导体研究副总监BradyWang表示,台积电的主要增长来源于其先进制程技术。随着人工智能半导体的需求急剧增加,台积电在短期内的表现将更加突出。不过该机构分析也提到,预计台积电2纳米技术的量产将推迟至2026年,届时将随着苹果iPhone18系列的推出而问世。线索:@ZaiHuabot投稿:@TNSubmbot频道:@TestFlightCN

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台积电2纳米芯片或2025年量产台湾芯片代工厂台积电2纳米制程将于2025年量产,市场看好进度可望领先对手三星(Samsung)及英特尔(Intel)。综合中央社和台湾经济日报报道,台积电先进制程进展顺利,3纳米在今年下半年量产,升级版3纳米(N3E)制程将于3纳米量产1年后量产,即2023年量产,2纳米预计于2025年量产。台积电研究发展资深副总经理米玉杰表示,将在2024年取得ASML下世代极紫外光微影设备(high-NAEUV),为客户发展相关的基础设施与构架解决方案。台积电业务开发资深副总经理张晓强则说,2024年取得设备后,初期主要用于与合作伙伴共同研究,尚不会量产。台积电2纳米厂将座落于竹科宝山二期扩建计划用地中,台湾竹科管理局已展开公共设施建设,台积电2纳米厂也开始进行整地作业。台积电2纳米首度采用纳米片架构,相较N3E制程,在相同功率下,速度提升10%至15%,在相同速度下,功耗降低25%至30%。台积电总裁魏哲家此前在台湾技术论坛中强调,台积电2纳米将会是密度最小、效能最好的技术。市场也看好,台积电2纳米进度将领先对手三星及英特尔。发布:2022年9月13日9:12AM

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