佰维推出LPDDR5+UFS3.1封装芯片 速度提升100%

佰维推出LPDDR5+UFS3.1封装芯片速度提升100%据介绍，该产品依托多层叠Die、超薄Die等先进封装工艺将LPDDR5和UFS3.1二合一多芯片堆叠封装，最终芯片尺寸仅为11.5mm×13.0mm×1.0mm，相较于UFS3.1和LPDDR5分离的方案可节约最高55%的主板空间。节约的空间可以简化手机主板的电路设计，为提高电池容量、主板其他零部件布局腾出空间，从而实现手机更灵活的设计。据佰维官方表示，相比于其基于LPDDR4X的uMCP产品，基于LPDDR5的uMCP产品依托自研固件算法及多种固件功能加持，读速提升100%至2100MB/s。同时，该产品还支持多BankGroup模式、采用WCK信号设计等，数据传输速率从4266Mbps提升50%至6400Mbps。LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V，VDDQ由0.6V降至0.5V，功耗降低30%。佰维官方透露，未来将推出12GB+512GB的更大容量版本uMCP产品，进一步满足市场对于高性能、大容量存储的需求...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1389321.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1389321.htm

佰维存储：为 Meta 最新款 AI 智能眼镜 Ray-Ban Meta 提供 ROM+RAM 存储器芯片

佰维存储：为Meta最新款AI智能眼镜Ray-BanMeta提供ROM+RAM存储器芯片佰维存储12月27日在互动平台表示，公司为Meta最新款AI智能眼镜Ray-BanMeta提供ROM+RAM存储器芯片，Ray-BanMeta智能眼镜系列搭载高通第一代骁龙AR1平台，该平台专门针对散热限制在功耗方面进行独特设计优化，以打造轻量化的智能眼镜。公司研发封测一体化的布局，在智能可穿戴领域具有较强的竞争优势，能够在低功耗、快响应等方面进行固件算法优化设计的同时，通过先进封测工艺能力，助力产品的轻薄小巧。

HyperX 被惠普收购，金士顿推出全新高端存储品牌 FURY

HyperX被惠普收购，金士顿推出全新高端存储品牌FURY昨日，金士顿宣布推出金士顿FURY游戏品牌，名字来源于2014年推出的FURY内存，原来归属于HyperX旗下的内存、闪存、SSD硬盘这些产品都会划归到金士顿FURY品牌下，并会将其作为核心业务，会投入足够资源来打造下一代高性能产品。金士顿FURY品牌将包含以下产品线：•金士顿FURYRenegade：兼具高性能和低延迟等特点，拥有出色的性能和稳定性（RGB/非RGB可选），频率高达DDR45333MHz。•金士顿FURYBeast：适合PC发烧友和游戏玩家的高性价比内存产品（拥有DDR3和DDR4RGB/非RGB可选），频率最高可达3733MHz。•金士顿FURYImpact：性能强大的SO-DIMM内存产品，适用于笔记本电脑、NUC和其他小型PC主机（DDR3和DDR4两种规格），频率最高可达3200MHz。https://www.ithome.com/0/555/001.htm—————————福瑞

随着存储产品价格回升，赛道内企业迎来业绩兑现。除佰维存储之外，还有澜起科技、德明利、全志科技等多家存储产业链上市公司已披露202

随着存储产品价格回升，赛道内企业迎来业绩兑现。除佰维存储之外，还有澜起科技、德明利、全志科技等多家存储产业链上市公司已披露2024年第一季度业绩预告，根据预告，这些公司集体迎来业绩爆发，一季度预计归母净利润同比增幅下限均超200%。TrendForce集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷表示：“2024年第一季度，存储产品价格环比上涨幅度达到20%左右。接下来的第二季度，价格上涨趋势将延续，具体涨幅有待观察，赛道内企业有望持续受益。”（证券日报）

长鑫存储正式推出LPDDR5 DRAM存储芯片

长鑫存储正式推出LPDDR5DRAM存储芯片官方表示，12GBLPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。至此，长鑫存储成为国内首家推出自主研发生产的LPDDR5产品的品牌。据介绍，与上一代LPDDR4X相比，长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%。并且加入了RAS功能，通过内置纠错码等技术，实现实时纠错，减少系统故障，确保数据安全，增强稳定性。长鑫存储官网显示，长鑫存储创立于2016年，目前已在合肥、北京建成12英寸晶圆厂并投产，专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。长鑫存储已推出多款DRAM商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1400437.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1400437.htm

佰维发布 CXL 2.0 DRAM，赋能高性能计算

佰维发布CXL2.0DRAM，赋能高性能计算据佰维存储官微，近日，佰维成功研发并发布了支持CXL2.0规范的CXLDRAM内存扩展模块。佰维CXL2.0DRAM采用EDSFF（E3.S）外形规格，内存容量高达96GB，同时支持PCIe5.0×8接口，理论带宽高达32GB/s，可与支持CXL规范及E3.S接口的背板和服务器主板直连，扩展服务器内存容量和带宽。同时，佰维可针对无E3.S接口的服务器背板提供CXLAIC转接卡。人工智能（AI）和机器学习（ML）对高速数据处理的需求持续增长，佰维CXL2.0DRAM兼具支持内存容量和带宽扩展、内存池化共享、高带宽、低延迟、高可靠性等特点，赋能AI高性能计算。目前，佰维可为客户和合作伙伴提供32GB~96GBCXL2.0DRAM的功能样机，进行联合评估和测试。未来，佰维将持续关注CXL技术，赋能高性能计算需求。