SK hynix将在2023年CES上展示节能、高性能的内存产品

SKhynix将在2023年CES上展示节能、高性能的内存产品随着全球科技公司追求处理数据速度更快、同时消耗更少能源的产品，对高能效内存芯片的关注一直在上升。SKhynix称将在2023年CES上展出的产品将以出色的每瓦特性能和表现来满足客户的这种需求。此次展会上提出的核心产品是PS1010E3.S，这是一款由多个176层4DNAND组成的eSSD产品，支持第五代PCIe接口。SKhynix表示，尽管目前行业不景气，但服务器芯片市场仍在继续增长，因此，结合公司的行业领先技术，推出PS1010是非常及时的。与上一代产品相比，PS1010产品在读和写的速度上都有提高，分别为130%和49%。其每瓦性能也提高了75%以上，帮助客户降低服务器运行成本和碳排放。将在展会上推出的其他产品有：用于高性能计算的全球最佳规格的存储器产品HBM3、采用PIM技术的GDDR6-AiM以及能够灵活扩展存储器容量和性能的CXL存储器。SKhynix还将展示SKenmove的浸入式冷却技术，该技术专注于能源效率，该技术旨在帮助冷却服务器在运行过程中产生的热量。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1336499.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1336499.htm

紫光公开嵌入式多层SeDRAM内存：带宽、能效遥遥领先

紫光公开嵌入式多层SeDRAM内存：带宽、能效遥遥领先本年度的VLSI会议共收到全球投稿632篇，最终录取212篇，只有2篇来自中国内地企业，其中1篇就是西安紫光国芯的贡献的。西安紫光国芯的新一代多层阵列SeDRAM，相较于上一代单层阵列结构，主要采用了低温混合键合技术(HybridBonding)、微型硅穿孔(mini-TSV)堆积技术。这种内存的每Gbit(十亿比特)由2048个数据接口组成，每个接口的数据速度都达到541Mbps，最终实现了业界领先的135GBps/Gbit带宽、0.66pJ/bit能效，基于此实现了逻辑单元和DRAM阵列三维集成。2020年，西安紫光国芯发布了第一代SeDRAM技术，之后实现了多款产品的大规模量产，而这次发布的新一代多层阵列SeDRAM技术，实现了更小的电容电阻、更大的带宽和容量，可广泛应用于近存计算、大数据处理、高性能计算等领域。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1368767.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1368767.htm

佰维推出LPDDR5+UFS3.1封装芯片 速度提升100%

佰维推出LPDDR5+UFS3.1封装芯片速度提升100%据介绍，该产品依托多层叠Die、超薄Die等先进封装工艺将LPDDR5和UFS3.1二合一多芯片堆叠封装，最终芯片尺寸仅为11.5mm×13.0mm×1.0mm，相较于UFS3.1和LPDDR5分离的方案可节约最高55%的主板空间。节约的空间可以简化手机主板的电路设计，为提高电池容量、主板其他零部件布局腾出空间，从而实现手机更灵活的设计。据佰维官方表示，相比于其基于LPDDR4X的uMCP产品，基于LPDDR5的uMCP产品依托自研固件算法及多种固件功能加持，读速提升100%至2100MB/s。同时，该产品还支持多BankGroup模式、采用WCK信号设计等，数据传输速率从4266Mbps提升50%至6400Mbps。LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V，VDDQ由0.6V降至0.5V，功耗降低30%。佰维官方透露，未来将推出12GB+512GB的更大容量版本uMCP产品，进一步满足市场对于高性能、大容量存储的需求...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1389321.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1389321.htm

USB4 v2.0规范发布 USB-IF似乎又让命名复杂起来了

USB4v2.0规范发布USB-IF似乎又让命名复杂起来了USB推广组织USB-IF在9月1日公布，计划在11月举办的USB DecDays上发布USB4 2.0新规范，同时预告USB4 2.0的部分功能特性，包括带宽翻倍至80Gbps、更高的充电功率、更新的DisplayPort协议等。速率的提升方面，USB4 2.0的带宽速率将从USB4(1.0)的40Gbps翻倍至80Gbps。USB4 2.0新标准还保留一贯出色的向下兼容性，能够完整的向下兼容USB4、雷电3、USB 3.x、USB 2.0乃至更早的协议。得益于雷电3协议的整合，USB4标准已能够通过Type-C接口实现40Gbps的传输速率。虽然USB-IF通过整合雷电3协议，让USB4的命名简单很多，加上USB-IF强制制造商在线缆接口上标注传输速率，让用户能够更直观的看到线缆、接口的速率。从USB 1.0、1.1(12Mbps)、USB 2.0 Full(12Mbps)、High Speed(480Mbps)、USB 3(最为混乱)到USB4(取消空格)，但USB4似乎依然无法摆脱命名混乱的问题，普通消费者也难以分辨代际之间的变化。而USB4 2.0直接让本来命名简单的USB4再次复杂起来。更新后的USB4 2.0版规范让数据传输性能翻番，为USB Type-C生态系统提供更高性能的支持，新协议将支持更高性能的USB 3.2、DisplayPort(2.0)、PCI Express(PCIe)数据通道，并充分利用更高的可用带宽。可为高性能显示器(DP 2.0、USB4 2.0)、存储、集线器/扩展坞等设备提供更高的带宽速率。由于采用全新物理层架构，USB4 2.0不仅能够支持80Gbps传输速率，同时还能让无源USB-C线缆支持40Gbps速率。协议同时更新数据与显示协议，更好地利用80Gbps的带宽，让USB 3.2数据通道超20Gbps，添加对最新DisplayPort(2.0)和PCIe(5.0)规范的支持。USB4 2.0的协议规范是在USB4的基础上扩展而来，目的就是为了能够兼容即将到来的DisplayPort 2.0(80Gbps)，并加入对更高级别PCIe通道支持。只是USB-IF对协议的命名确实十分“迷”，简单的USB4加了2.0的后缀，让协议名称再次变长，让用户在此陷入混乱当中。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1312733.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1312733.htm

1460亿晶体管超级APU AMD MI300下半年发布

1460亿晶体管超级APUAMDMI300下半年发布AMDCEO苏姿丰近日确认，InstinctMI300将在今年下半年正式推出。MI300采用多芯片、多IP整合封装设计，5nm先进制造工艺，晶体管数量多达疯狂的1460亿个！它同时集成CDNA3架构的GPU单元(具体核心数量未公开)、Zen4架构的24个CPU核心、大容量的InfinityCache无限缓存，还有8192-bit位宽、128GB容量的HBM3高带宽内存。技术方面支持第四代InfinityFabric总线、CXL3.0总线、统一内存架构、新的数学计算格式，号称AI性能比上代提升多达8倍，可满足百亿亿次计算需求。事实上，Intel一年前也宣布了类似的产品“FalconShores”(猎鹰海岸)，称之为XPU，同时集成至强CPU、XeHPCGPU，以及下一代封装、内存、IO技术，号称能效、x86计算密度、内存容量与带宽都比现在提升5倍。不过，Intel的要到明年才会出货。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1342445.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1342445.htm

超薄的兆芯KX-6000G ITX迷你小板发布：四核3.3GHz、高性能GPU三屏输出

超薄的兆芯KX-6000GITX迷你小板发布：四核3.3GHz、高性能GPU三屏输出兆芯开先KX-6000G处理器采用四颗x86架构核心，最高频率3.3GHz，集成高性能GPU，搭配VGA、HDMI、LVDS、eDP输出，最多可同时连接三台显示器，还支持高清流媒体解码。同时集成双通道DDR4内存控制器，PCIe3.0、SATA、USB等高速IO接口，无需额外的芯片组，即可满足整机和主板产品的开发应用需求。按照官方说法，与兆芯上一代产品相比，开先KX-6000G能效比提升多达60％，图形性能提升至4倍，芯片待机功耗降低50％，能效控制表现达到业内先进水平，可用于笔记本、瘦终端、嵌入式工业等各种计算平台。主板采用+12V至+24V直流供电，自带两条DDR4SO-DIMM插槽，最高容量64GB，存储提供一个M.2TypeB、一个M.2KeyE和两个M.2KeyM插槽，支持千兆或2.5千兆以太网，包含用于工业控制的两个RS232/422/485、四个RS-232端口，并板载TCM2.0以增强安全性。在此之前，安勤已经成功推出了Mini-ITX、Micro-ATX、COMe等工业计算板卡，以及无风扇Box-PC、工业平板等工业整机产品，可用于工业自动化、电子看板、工业网关、数据采集、轨道交通闸机等。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1435219.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435219.htm