三星：2025年量产2nm工艺 2027年挺进1.4nm

三星：2025年量产2nm工艺2027年挺进1.4nm据悉，三星第一代2nm工艺SF2将于明年准备就绪，最先进的2nm工艺节点SF2Z将于2027年量产商用，它采用先进的后端供电网络（BSPDN）技术，可以提高电源效率。值得注意的是，三星2nm工艺进一步完善了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，具有独特的外延和集成工艺，与基于FinFET的工艺技术相比，晶体管性能提升了11%-46%，可变性降低26%，同时漏电降低约50%。值得注意的是，在今年2月，三星宣布与Arm展开合作，提供基于最新的GAA晶体管技术，优化下一代ArmCortex-X/Cortex-ACPU内核，尽可能地提高了性能和效率。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1434596.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1434596.htm

外媒称三星电子正计划将BSPDN技术用于2nm制程工艺

外媒称三星电子正计划将BSPDN技术用于2nm制程工艺10月14日消息，据国外媒体报道，三星电子采用全环绕栅极晶体管架构的3nm制程工艺，已在6月30日开始初步生产芯片，所代工的首批晶圆，在7月25日正式发货。在3nm制程工艺开始量产之后，三星电子芯片制程工艺研发的重点，就将集中在更先进的2nm制程工艺上。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1327131.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1327131.htm

三星目标2025年量产2nm工艺 期待获得显著的性能和效率提升

三星目标2025年量产2nm工艺期待获得显著的性能和效率提升据BusinessKorea报道，三星将在今年6月16日至20日举行的“VLSISymposium2024”上发表一篇关于2nm（SF2）工艺中应用第三代GAA（Gate-All-Around）晶体管工艺技术特性的论文，并带来更多关键细节。三星称，新工艺将进一步完善多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，具有独特的外延和集成工艺。与基于FinFET的工艺技术相比，晶体管性能提升了11%至46%，可变性降低26%，同时漏电降低约50%。按照三星的规划，SF2的技术开发工作将于2024年第二季度完成，届时其芯片合作伙伴将可以选择在该制程节点设计产品。三星的努力不仅仅在突破技术界限上，过去一段时间里正不断加强2nm工艺生态系统的建设，已经拥有50多个合作伙伴。今年2月，三星宣布与Arm展开合作，提供基于最新的GAA晶体管技术，优化下一代ArmCortex-X/Cortex-ACPU内核，尽可能地提高了性能和效率，以将用户体验提升到一个新的水平。与此同时，三星还计划推出第三代3nm工艺，继续提高密度并降低功耗，另外还需要继续提升良品率。三星初代3nm工艺很难说得上成功，传闻早期的良品率仅为20%，主要用于生产加密货币使用的芯片，缺乏大客户的订单支持。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429426.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429426.htm

台积电有望2025年量产2nm芯片 美国、日本工厂进展神速

台积电有望2025年量产2nm芯片美国、日本工厂进展神速消息称，台积电组建了全新的2nm任务团队，布局前所未有，将同时冲刺2nm在新竹宝山、高雄两座工厂同步在2024年试产、2025年量产。台积电2nm工艺会首次放弃传统的FinFET晶体管工艺，转向GAA全环绕栅极晶体管，相较于N3E工艺同功耗下性能提升10-15％，同性能下功耗下降25-30％，但晶体管密度提升只有10-20％。不过，代价也是非常高的。3nm代工晶圆已经涨价2万美元，2nm预计会进一步达到2.5万美元，折合超过18万元人民币。此外，魏哲家还披露，台积电位于美国亚利桑那州的工厂计划2025年上半年开始量产，位于日本的工厂则有望2024年底开始量产。相关文章:台积电日本第二座工厂计划采用6nm制程工艺总投资2万亿日元...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391047.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1391047.htm

台积电3nm制程工艺计划29日开始商业化量产 较三星电子晚近半年

台积电3nm制程工艺计划29日开始商业化量产较三星电子晚近半年作为台积电旗下6座12英寸超大晶圆厂之一的晶圆十八厂，一期是在2018年的1月份正式动工建设的，建成之后用于5nm制程工艺的量产，因而这一晶圆厂也是台积电5nm制程工艺的主要生产基地。而随着3nm制程工艺的商业化量产，未来一段时间晶圆十八厂就将是台积电先进制程工艺的主要生产基地，也将是他们主要的营收来源。台积电的3nm制程工艺在本月29日开始商业化量产，也就意味着他们的这一先进制程工艺，在量产的时间上较竞争对手三星电子晚了近半年。在3nm制程工艺上，台积电和三星电子是不同的路线，三星电子率先采用全环绕栅极晶体管架构，台积电则是继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构。三星电子在6月30日，就已开始采用3nm制程工艺为相关的客户代工晶圆，首批产品在7月25日就已出货。相关文章:台积电将以3纳米量产仪式回击岛内批评声音...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1336337.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1336337.htm

三星正在为 Galaxy S26 系列开发 2nm 芯片

三星正在为GalaxyS26系列开发2nm芯片三星电子已经开始开发2纳米(nm)移动应用处理器(AP)。2nm是全球尚未实现商业化的最先进半导体技术。据业内人士5月22日透露，三星电子近期启动了2nmAP开发项目。这是一个名为“Thetis”(开发代号)的开发项目，计划以自己的品牌ExynosAP发布。预计将于2025年下半年量产，并搭载于2026年发布的三星电子智能手机“GalaxyS26”。三星电子去年宣布将从2025年开始量产移动设备的2nm工艺。——