英特尔继续推进摩尔定律:芯片背面供电,突破互连瓶颈
英特尔继续推进摩尔定律:芯片背面供电,突破互连瓶颈据澎湃新闻,12月9日,英特尔在IEDM2023(2023IEEE国际电子器件会议)上展示了使用背面电源触点将晶体管缩小到1纳米及以上范围的关键技术。英特尔表示将在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。英特尔表示,其将继续推进摩尔定律的研究进展,包括背面供电和直接背面触点(directbacksidecontacts)的3D堆叠CMOS晶体管,背面供电研发突破的扩展路径(如背面触点),并在同一块300毫米晶圆上(而非封装)中实现硅晶体管与氮化镓(GaN)晶体管的大规模单片3D集成。
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