SK海力士确认反对西数与铠侠合并

SK海力士确认反对西数与铠侠合并但SK海力士首席财务官KimWoohyun周四在发布财报后的电话会议上对分析师表示，这笔交易低估了其在铠侠的股份的价值，鉴于对公司在铠侠投资的整体价值的影响，SK海力士“目前不同意这笔交易”。西部数据和铠侠多年来一直在讨论可能的合并，但讨论一直围绕着控制权、领导力、经济和政治等问题。从理论上讲，合并两家公司将有助于两家公司与内存芯片行业最大的公司竞争。这两家公司目前正寻求在本月结束谈判，并希望在西部数据10月30日公布财报之前宣布交易。铠侠已与日本投资公司（JapanInvestmentCorp．）接洽，希望注资以加快交易进程。当贝恩资本（Baincapital）牵头的一个财团从东芝公司手中收购铠侠的控股权时，SK海力士成为了铠侠的间接股东。目前尚不清楚SK海力士的反对将如何影响收购结果。据知情人士称，贝恩资本和铠侠正在制定一项解决方案，尽管遭到SK海力士的反对，但交易仍可能宣布。虽然多位人士表示，SK海力士对这笔交易没有否决权，但也有人表示，SK海力士作为主要投资者，必须征得其同意。相关文章:SKHynix可能会对Kioxia与西部数据合并案施压...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1392387.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1392387.htm

NAND 芯片报价仍未达到厂商盈亏平衡点 未来或再涨 50%

NAND芯片报价仍未达到厂商盈亏平衡点未来或再涨50%NAND芯片价格止跌回升后，目前报价仍与三星、铠侠、SK海力士、美光等供应商达到盈亏平衡点有一段差距。NAND相关厂商表示，NAND芯片供应商为达赚钱目的，将持续强力拉抬报价，预料还要再涨四成以上，才能让大厂达到盈亏平衡点；要能赚钱，未来报价涨幅至少会达五成甚至更高，换言之，NAND行业短期内或将再迎来高达50%的“暴力涨价”。

SK海力士季度亏损创纪录 库存剧增致内存芯片价格大跌

SK海力士季度亏损创纪录库存剧增致内存芯片价格大跌“海力士库存大增，导致内存芯片价格跌幅超过市场预期，”eBest分析师NamDae-jong表示。Nam称，该公司库存将年内仍将保持高位，需要积极调整产能。规模达1，600亿美元的内存芯片行业面临着严重供需失衡局面。内存芯片制造商的产品库存可支撑三到四个月，而客户本身尚有库存。海力士的竞争对手三星电子周二表示，计划将今年的芯片资本支出保持在2022年的水平，或进一步使价格承压。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1342049.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1342049.htm

NAND闪存需求复苏乏力 三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产

NAND闪存需求复苏乏力三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产外媒最新的报道就显示，同DRAM相比，NAND闪存需求复苏缓慢，包括三星电子、SK海力士在内的存储芯片厂商，也就处在了艰难的境地。随着人工智能需求的增加，DRAM的利润状况有改善，但DRAM闪存的需求受到了抑制。而外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士这两大厂商，正计划在下半年通过减少NAND闪存的产量来管理库存，以避免NAND闪存不理想的市场状况对正在复苏的DRAM市场带来负面影响。从外媒的报道来看，在二季度的财报分析师电话会议上，三星电子表示在下半年将继续削减以NAND闪存为中心的存储半导体的产量；SK海力士也宣布他们计划在下半年将NAND闪存的产量削减5%-10%。外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士半导体产品的库存，在上半年都有一定程度的增加。三星电子负责存储业务的设备解决方案部门的库存，在上半年结束时已增至33.69万亿韩元，高于去年年底时的29.06万亿韩元。SK海力士在上半年结束时的库存为16.42万亿韩元，较去年年底也增加了5%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378465.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1378465.htm

长存/三星/SK海力士/美光最新3D NAND芯片对比：谁的密度更高？

长存/三星/SK海力士/美光最新3DNAND芯片对比：谁的密度更高？三星一直凭借其超高纵横比(UHAR)孔蚀刻实现的单层工艺主导了128层3DNAND。目前，三星仍然以最小的字线(WL)间距领先，这允许堆叠更多层，同时最大限度地减少对垂直通道(VC)高度和狭缝深度的工艺要求的影响。虽然看起来三星可能拥有最低的128层工艺成本，但它的裸片尺寸并不是最低的。这很重要，因为裸片面积越小，在300mm晶圆上可以制造的NANDFlash裸片数量就越多，利润也就越高。三星已开始在176层3DNAND（三星的第7代3DNAND）采用外围单元(COP)方法，这导致芯片尺寸相比上一代的73.60mm2显着减小至47.10mm2，存储密度也由6.96Gb/mm2提升至10.87Gb/mm2；美光从32层3DNAND（美光的第一代3DNAND）开始使用类似的方法，美光称之为CMOSunderarray，CuA，其上一代的176层芯片的尺寸为49.84mm2，存储密度为10.27Gb/mm2，而其最新量产的232层芯片存储密度则为14.60Gb/mm2；SK海力士则是从96层3DNAND（SK海力士的第四代3DNAND）开始使用类似的方法，SK海力士将其称为4DNAND，单元下外围或PUC），其176层芯片的尺寸为46.50mm2，存储密度为11.01Gb/mm2；长存在64层3DNAND（长存第二代3DNAND）应用自研的Xtacking技术，通过在外围电路上放置存储器阵列，实现了缩小芯片尺寸的优势，减小的裸片尺寸以及增加的有源字线(AWL)提高了位密度。长江存储最新的Xtacking3.0技术使得其232层3DNAND的存储密度得到了进一步提升，达到了15.03Gb/mm2，是目前最高的。根据长存YMTC232-L六平面1TbTLC芯片拆解来看，其具有CenterX解码器，具有15.03Gb/mm2的最高密度。下图1显示了该芯片的位密度(Gb/mm2)与AWL数量的关系。△图1：YMTC232-L1Tb芯片内部图像TechInsights预计，即将推出的232/238层芯片的平均存储密度将达到大约15Gb/mm2。在ISSCC2022上，三星的200＋层测片（配备四平面1TbTLC芯片和边缘X解码器）的位密度为11.55Gb/mm2。当量产时，TechInsights预计其位密度将增加到14.5Gb/mm2。此外，带有CenterX解码器的SK海力士238层六平面1TbTLC芯片的存储密度估计为14.75Gb/mm2，比上一代将增加34%。美光已量产的232层六平面1TbTLC裸片据称为其存储密度为14.60Gb/mm2。显然，在232/238层级别，长存显示出最高的存储密度，预计三星的存储密度最低。但这并不意味着三星已经落后，因为还需要考虑的更重要的因素——总体成本，因此每bit成本的指标是最理想的比较数据。TechInsights表示，目前正通过其最近收购的ICKnowledge在努力计算每位成本，很快将会提供这些信息。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1339507.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1339507.htm