SK海力士在美组建闪存开发子公司SKHNASK海力士日前在美国组建了一家名为SKHNA的子公司,并通过“挖英特尔墙角”招募了多位

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SK海力士在美组建闪存开发子公司SKHNA,“挖英特尔墙角”募集工程师提升自家NAND竞争力https://www.ithome

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SK海力士正在测试低温蚀刻设备 可在-70℃低温下生产闪存

SK海力士正在测试低温蚀刻设备可在-70℃低温下生产闪存与传统的蚀刻工艺相比,东京电子的这款低温蚀刻设备在工作温度上形成了鲜明对比。传统蚀刻工艺通常在0℃到30℃的温度范围内进行,而这款新设备能在-70℃的低温下运行,这样的低温环境为生产更高性能的3DNAND提供了可能。据东京电子提供的论文数据,这款新的蚀刻机能在短短33分钟内完成10微米深的高深度比蚀刻,效率比现有工具高出三倍以上。这一显著的技术进步不仅提高了3DNAND的生产效率,还有望进一步推动闪存技术的发展。目前,SK海力士的321层3DNAND采用了三重堆栈结构。而采用东京电子的新设备后,该公司可能实现以单堆栈或双堆栈的方式构建400层的3DNAND,这将进一步提升生产效率。然而,这一目标的实现还需等待新设备在可靠性及性能一致性方面的进一步验证。值得一提的是,东京电子的这款低温蚀刻设备在环保方面也表现出色。它采用氟化氢(HF)气体作为蚀刻介质,相较于传统系统使用的氟碳化物气体,具有更低的温室效应,为半导体行业的绿色发展提供了有力支持。此外,全球半导体巨头三星也在验证这一新技术。与SK海力士不同,三星选择了直接引进东京电子的新设备进行测试,显示出其对新技术的高度关注和积极态度。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429938.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1429938.htm

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SK海力士中国公司经营异常

SK海力士中国公司经营异常天眼查经营风险信息显示,近日,SK海力士半导体(中国)有限公司因未依照规定的期限公示年度报告,被无锡国家高新技术产业开发区(无锡市新吴区)市场监督管理局列入经营异常名录。该公司成立于2005年4月,法定代表人为郭鲁正(KWAKNOHJUNG),注册资本约51.96亿美元,经营范围为生产、加工、销售8英寸和12英寸集成电路芯片,自有房屋租赁,物业管理,半导体设备的销售、租赁,由SK海力士株式会社全资持股。——

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SK海力士展示321层NAND闪存样品https://news.skhynix.com.cn/sk-hynix-showcase

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传SK海力士收购英特尔NAND闪存业务最终获得批准,交易将在2025年完成https://www.expreview.com/81515.html

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SK海力士股价上涨4.1%SK海力士股价上涨4.1%,市值突破1000亿美元。

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