SK hynix发布321层TLC NAND 1Tb闪存技术将于2025年上半年量产

SKhynix发布321层TLCNAND1Tb闪存技术将于2025年上半年量产该公司表示，已量产的全球最高238层NAND的成功为其积累了技术竞争力，为321层产品的顺利开发铺平了道路。"随着解决堆叠限制的又一次突破，SKhynix将开启300层以上NAND的时代，引领市场潮流。"321层1TbTLCNAND与早一代238层512Gb相比，生产率提高了59%，这得益于技术的发展，它可以在单个芯片上堆叠更多的单元和更大的存储容量，这意味着在单个晶圆上可以生产的总容量增加了。ChatGPT的推出加速了生成式人工智能市场的发展，自此，对能以更快速度处理更多数据的高性能、大容量存储器产品的需求迅速增长。因此，在本届FMS上，SKhynix还推出了针对这种人工智能需求进行优化的下一代NAND解决方案，包括采用PCIeGen5接口和UFS4.0的企业级固态硬盘。该公司希望这些产品能够实现业界领先的性能，充分满足客户对高性能的需求。同时，SKhynix还宣布已开始开发下一代PCIeGen6和UFS5.0，并通过这些产品获得了更完善的解决方案开发技术。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1375869.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1375869.htm

NAND闪存需求复苏乏力 三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产

NAND闪存需求复苏乏力三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产外媒最新的报道就显示，同DRAM相比，NAND闪存需求复苏缓慢，包括三星电子、SK海力士在内的存储芯片厂商，也就处在了艰难的境地。随着人工智能需求的增加，DRAM的利润状况有改善，但DRAM闪存的需求受到了抑制。而外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士这两大厂商，正计划在下半年通过减少NAND闪存的产量来管理库存，以避免NAND闪存不理想的市场状况对正在复苏的DRAM市场带来负面影响。从外媒的报道来看，在二季度的财报分析师电话会议上，三星电子表示在下半年将继续削减以NAND闪存为中心的存储半导体的产量；SK海力士也宣布他们计划在下半年将NAND闪存的产量削减5%-10%。外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士半导体产品的库存，在上半年都有一定程度的增加。三星电子负责存储业务的设备解决方案部门的库存，在上半年结束时已增至33.69万亿韩元，高于去年年底时的29.06万亿韩元。SK海力士在上半年结束时的库存为16.42万亿韩元，较去年年底也增加了5%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378465.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1378465.htm

SK 海力士预测存储未来：3D NAND 600 层以上，DRAM 10nm 以下

SK海力士预测存储未来：3DNAND600层以上，DRAM10nm以下https://www.sohu.com/a/457732381_114760SK海力士首席执行官李锡熙说：“我们正在改进DRAM和NAND各个领域的技术发展所需的材料和设计结构，并逐步解决可靠性问题。如果以此为基础，并取得创新，将来有可能实现10nm以下的DRAM工艺和堆叠600层以上的NAND。”