NAND闪存需求复苏乏力 三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产

NAND闪存需求复苏乏力三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产外媒最新的报道就显示，同DRAM相比，NAND闪存需求复苏缓慢，包括三星电子、SK海力士在内的存储芯片厂商，也就处在了艰难的境地。随着人工智能需求的增加，DRAM的利润状况有改善，但DRAM闪存的需求受到了抑制。而外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士这两大厂商，正计划在下半年通过减少NAND闪存的产量来管理库存，以避免NAND闪存不理想的市场状况对正在复苏的DRAM市场带来负面影响。从外媒的报道来看，在二季度的财报分析师电话会议上，三星电子表示在下半年将继续削减以NAND闪存为中心的存储半导体的产量；SK海力士也宣布他们计划在下半年将NAND闪存的产量削减5%-10%。外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士半导体产品的库存，在上半年都有一定程度的增加。三星电子负责存储业务的设备解决方案部门的库存，在上半年结束时已增至33.69万亿韩元，高于去年年底时的29.06万亿韩元。SK海力士在上半年结束时的库存为16.42万亿韩元，较去年年底也增加了5%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378465.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1378465.htm

SK海力士正在测试低温蚀刻设备 可在-70℃低温下生产闪存

SK海力士正在测试低温蚀刻设备可在-70℃低温下生产闪存与传统的蚀刻工艺相比，东京电子的这款低温蚀刻设备在工作温度上形成了鲜明对比。传统蚀刻工艺通常在0℃到30℃的温度范围内进行，而这款新设备能在-70℃的低温下运行，这样的低温环境为生产更高性能的3DNAND提供了可能。据东京电子提供的论文数据，这款新的蚀刻机能在短短33分钟内完成10微米深的高深度比蚀刻，效率比现有工具高出三倍以上。这一显著的技术进步不仅提高了3DNAND的生产效率，还有望进一步推动闪存技术的发展。目前，SK海力士的321层3DNAND采用了三重堆栈结构。而采用东京电子的新设备后，该公司可能实现以单堆栈或双堆栈的方式构建400层的3DNAND，这将进一步提升生产效率。然而，这一目标的实现还需等待新设备在可靠性及性能一致性方面的进一步验证。值得一提的是，东京电子的这款低温蚀刻设备在环保方面也表现出色。它采用氟化氢（HF）气体作为蚀刻介质，相较于传统系统使用的氟碳化物气体，具有更低的温室效应，为半导体行业的绿色发展提供了有力支持。此外，全球半导体巨头三星也在验证这一新技术。与SK海力士不同，三星选择了直接引进东京电子的新设备进行测试，显示出其对新技术的高度关注和积极态度。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429938.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429938.htm