三星考虑将 MUF 技术应用于服务器 DRAM 内存
三星考虑将MUF技术应用于服务器DRAM内存三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充(MUF)技术。三星最近测试了一种用于3D堆栈(3DS)内存的MRMUF工艺,与TCNCF相其吞吐量有所提升,但物理特性却出现了一定恶化。经过测试,该公司得出结论,MUF不适用于高带宽内存(HBM),但非常适合3DSRDIMM,而目前3DSRDIMM使用硅通孔(TSV)技术制造,主要用于服务器。(TheElec)
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