三星考虑将 MUF 技术应用于服务器 DRAM 内存

三星考虑将MUF技术应用于服务器DRAM内存三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充(MUF)技术。三星最近测试了一种用于3D堆栈(3DS)内存的MRMUF工艺,与TCNCF相其吞吐量有所提升,但物理特性却出现了一定恶化。经过测试,该公司得出结论,MUF不适用于高带宽内存(HBM),但非常适合3DSRDIMM,而目前3DSRDIMM使用硅通孔(TSV)技术制造,主要用于服务器。(TheElec)

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SK海力士在服务器DRAM市场超过三星稳居第一市场份额计算不包括主要用于人工智能(AI)服务器的高带宽内存(HBM),如果包括HBM在内,SK海力士和三星电子之间的差距估计会更大。据悉,服务器DRAM约占整个DRAM市场的35%-40%,SK海力士在服务器DRAM市场份额激增超越三星电子,主要因为SK海力士在模块类产品竞争中的领先地位,其中包括最新标准服务器DRAM以及第五代双倍数据速率内存(DDR5)。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1401677.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1401677.htm

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三星发布32GbDDR5DRAM为最高128GB容量内存模块打好基础三星电子今天宣布,该公司采用12纳米(nm)级工艺技术,开发出业界首款容量最高的32千兆位(Gb)DDR5DRAM。此前,三星已于2023年5月开始量产其12纳米级16GbDDR5DRAM。它巩固了三星在下一代DRAM技术领域的领先地位,并预示着大容量内存产品阵容将翻开新的篇章。三星电子DRAM产品与技术执行副总裁SangJoonHwang表示:"凭借我们的12nm级32GbDRAM,我们已经获得了可实现高达1TB的DRAM模块的解决方案,使我们能够在人工智能(AI)和大数据时代满足对大容量DRAM不断增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发DRAM解决方案,打破内存技术的界限。"自1983年开发出第一款64千位(Kb)DRAM以来,三星在过去40年间成功地将DRAM容量提高了50万倍。三星最新开发的内存产品采用尖端工艺和技术,提高了集成密度并优化了设计,拥有业界最高的单个DRAM芯片容量,在相同封装尺寸下,其容量是16GbDDR5DRAM的两倍。以前,使用16GbDRAM制造的DDR5128GBDRAM模块需要采用硅通孔(TSV)工艺。然而,通过使用三星的32GbDRAM,现在可以在不使用TSV工艺的情况下生产128GB模块,与使用16GbDRAM的128GB模块相比,功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品可以成为数据中心等注重能效的企业的解决方案。以12nm级32GbDDR5DRAM为基础,三星计划继续扩大其大容量DRAM产品线,通过向数据中心以及需要人工智能和下一代计算等应用的客户供应12纳米级32GbDRAM,该产品还将在三星与其他关键行业参与者的持续合作中发挥作用。全新12nm级32GbDDR5DRAM计划于今年年底开始量产。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1380963.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1380963.htm

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三星推出全球首款LPCAMM内存:体积缩小60%据三星介绍,目前的电脑传统的LPDDRDRAM或So-DIMM(小型双重内嵌式内存模组),但是这两种技术都存在一定的局限性。LPDDR受结构限制需要直接安装在主板上,导致维修或者升级更换比较难。So-DIMM虽然安装拆卸比较方便,但是性能和功耗上却存在着一定的限制。而LPCAMM技术则有望同时克服了LPDDR和So-DIMM的缺陷,做为可拆卸的内存模组,LPCAMM在大大减少了设备内部空间占用的同时,还大幅提高了性能及能效。与So-DIMM相比性能提高50%,能效提高70%,体积缩小60%。LPDDR由于其良好的省电特性被应用于服务器上,然而LPDDR在实际使用中还是有一定的限制,例如在升级服务器DRAM规格时必须更换整个主板才行,而使用LPCAMM则可以有效避免这些问题。英特尔内存和IO技术副总裁表示:“LPCAMM的能效和易修优势使这种新形态有机会改变当今PC市场的游戏规则。我们很高兴能参与制定新标准,为PC生态系统提供支持,并为未来在更广泛的细分市场中被采用,以及为技术的创新奠定基础。”三星表示将于今年与包括英特尔在内的主要客户一起,将LPCAMM应用于下一代系统进行测试,并计划将于2024年实现其商业化。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1386341.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1386341.htm

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新技术推动内存市场复苏美光要失势了?我认为包括ChatGPT在内的生成AI(人工智能)的兴起及其对高带宽内存(“HBM”)的需求一直是DRAM增长的催化剂。我能够收集到的新数据是,2023年HBM市场份额在SK海力士和三星之间平分秋色,占45%,美光占10%。SK海力士目前专门为英伟达提供HBM3,用于H100TensorCoreGPU。三星HBM产品进入超级计算机,如英特尔的AuroraProject和美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室的AMD的ElCapitan以及AMD的MI300AI超级芯片。根据相关报告分析,该分析师预测HBM芯片的销量将在2023年同比增长40%,在2024年同比增长5%,导致市场好转期间利润急剧增长。HBM需要复杂的生产工艺和高度先进的技术。HBM的平均售价(ASP)至少是DRAM的三倍。下图显示了美光2023财年第三季度的DRAM收入。SK海力士报告第二季度DRAM初步收入为58%,而三星仅为3%,美光为0%。SK海力士和三星的收入上升表明,客户已经大大减少了库存积压,并开始再次购买芯片,尽管价格很低。影响SK海力士强劲收入增长的另一个因素是128GBDDR5芯片的较高平均售价,该公司已经能够限制平均售价的下降,如图2所示。SK海力士以预估90%的收益率主导市场。DDR5的性能是目前广泛使用的DDR4DRAM的两倍,是目前领先的服务器DRAM,也是内存半导体制造商的最大收入来源。估计到2023年底,DDR5将占服务器内存需求的30%。因此,虽然DDR4DIMM(双列直插式内存模块)的容量最高可达64GB(使用SDP),但基于DDR5SDP的DIMM是其四倍,达到256GB。DRAM市场的增长不平衡,因为HBM和DDR5的技术优势促进了服务器市场的复苏,该领域需要最大的内存量。这种复苏得益于英特尔(INTC),英特尔是服务器中央处理器(CPU)市场的主导头号玩家,该公司推出了支持DDR5DRAM的SapphireRapidsCPU。当然还有英伟达(NVDA),它在服务器AIGPU市场的主导地位。美光在AI/HBM业务方面进展甚微,计划于3年初开始量产HBM2024。根据EETimes:“SK海力士开发了MR-MUF技术,并将其应用于HBM产品。该技术提高了HBM超过100,000个微凸块互连的质量。此外,与竞争对手相比,这种封装技术充分增加了凸块的数量,同时在散热方面表现出色,因为它采用了具有高导热性的模制底部填充(MUF)材料。MR-MUF是指在堆叠芯片时,将半导体芯片连接到电路上,并用称为“液体EMC”(环氧模塑料)的材料填充芯片和凸块间隙之间的空间的过程。到目前为止,NCF技术已被用于这一过程。NCF是一种通过在芯片之间使用一种薄膜来堆叠芯片的方法。与NCF相比,MR-MUF方法的导热系数约为其两倍,并且会影响工艺速度和产量。MR-MUF封装对HBM芯片的外部结构有重大影响。SK海力士在创建50层HBM3时,将一个产品中堆叠的DRAM数量从8(16GB)增加到12,从而将容量提高了约3%。对于DDR5,虽然SK海力士是唯一一家全面生产128GB芯片的公司,三星刚刚开始生产,但MU刚刚推出了96GB芯片。总体而言,内存衰退可能正在达到最低点,上升将在2023年下半年开始。另一个肯定来自ASML最近关于内存公司收入的财报电话会议。ASML(ASML)报告称,内存收入占总收入的比例从2023年第一季度的30%下降到2023年第二季度的16%。内存预订量有所改善,为1.4B欧元,上一季度为7.88亿欧元(+77%环比)和去年同期为3.38亿欧元(同比-59%)。该分析师重申对美光科技的卖出评级。作者  RobertCastellano编译丨华尔街大事件...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1372499.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1372499.htm

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