为满足英伟达 H200、B100 大量订单，台积电 3/4nm 产能已接近满载

为满足英伟达H200、B100大量订单，台积电3/4nm产能已接近满载英伟达H200加速卡预计于第二季度上市，而使用Chiplet设计架构的B100也已下单投片，H200及B100分别利用台积电的4nm及3nm制程。台积电表示其2月产能利用率持续超过9成，因AI需求不减而产能持续满载。台积电目前HPC/AI应用平台占营收比重约43％，已与智能手机芯片齐平。——

台积电涨超 6% 创新高 消息称英伟达 H200 及 B100 将分别采其 4nm 及 3nm 制程

台积电涨超6%创新高消息称英伟达H200及B100将分别采其4nm及3nm制程台积电(TSM.US)涨超6%，最高触及141.99美元，创历史新高。台积电台股今日收涨近5%，亦创历史新高。有台媒称，英伟达H200将于第二季上市，B100采用Chiplet设计架构、已下单投片，H200及B100将分别采台积电4nm及3nm制程。有机构指出，英伟达订单强劲，台积电3、4nm产能几近满载。