消息称三星计划采用英伟达“数字孪生”技术提升芯片良率追赶台积电据EToday的一份报告称,三星将开始测试英伟达Omniverse

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三星据悉将使用英伟达数字孪生技术提高芯片良率三星将开始测试英伟达的数字孪生(DigitalTwin)技术(基于Omniverse

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3nm追赶台积电?三星将首家采用高端EUV薄膜ChosunBiz报道,据业内人士透露,S&STech最早将于2023年上半年进入透光率超过90%的EUV薄膜的批量生产。S&STech的目标是应三星要求——将比率提高到94%。在三星投资的半导体材料和设备供应商中,S&STech获得了最多的投资资金。2020年7月,三星通过注资658亿韩元(5200万美元)获得了S&STech的8%的股份。据悉,薄膜在EUV工艺时代起着至关重要的作用,可以防止EUV受污染而导致良率性能不佳。三星将采用透光率超过90%的薄膜,以尽量减少光源的损失并稳定其3nm芯片的生产良率。据报道,目前还没有一家晶圆代工厂采用透光率超过90%的薄膜。目前,主要的EUV薄膜供应商包括荷兰的ASML、日本的三井化学、同属韩国公司的S&STech和FST。三星现在投资S&STech和FST,以开发自用EUV薄膜。根据接受BusinessNext采访的专门从事半导体的分析师和专家估计,目前台积电的3nm良率可能低至60%至70%,也可能高达75%至80%。与此同时,金融分析师DanNystedt也在Twitter上表示,台积电目前的3nm良率与5nm良率在其生产初期相似,据媒体报道,其良率可能高达80%。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1337655.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1337655.htm

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