中国光刻机“”弯道超车”

中国光刻机“”弯道超车”真正的SSMB-EUV光源方案加速器周长100~150米，输出EUV功率>1KW美国的极限制裁极大的加速了中国EUV光刻机的研发速度。中国目前采取的是一种全新的“技术路线方案”目前中国有三条光刻机研发路线。1.国外正统路线，也就是ASML的EUV光刻机路线。HW+上海光机所+宇量升，国家队，走500WLPP光源+复杂镜头组的技术路线。现在进度最快，技术复杂度相对最高，特别是超高功率、超高重复频率二氧化碳激光器技术难度非常高。进度保密2.改进型路线。广东智能机器研究院(广智院)+华中科技大，他们在尝试一种采用分时高功率光纤激光器射击液态锡靶的方式绕开超高功率、超高重复频率二氧化碳激光器的技术路线。如果他们那个400路光纤激光器能够成功，将是使用二氧化碳激光器的LPP光源功率的数倍。何时成功还是未知。3.颠覆式全新路线。清华大学主导的1千瓦级SSMB-EUV光源，直接把光刻机光源变成基础设施--同步辐射光源。直接把光源变成类似工业园中的电力、蒸汽、纯水等可购买原料。比如：深圳产业光源系统规划了EUV光刻线站和EUV检测线站等合计四条光束线，六个实验站。第三条。颠覆性技术路线如果全面成功，可以秒杀上面两条路线。光源外置、极大简化的光路直接把EUV光刻机变成体积大，但是成本相对较低的批量产品。且更匹配中国极高的基础设施建设能力！！！

2nm芯片研发遭遇瓶颈：没ASML下一代NA EUV光刻机搞不掂

2nm芯片研发遭遇瓶颈：没ASML下一代NAEUV光刻机搞不掂在业内，比Intel、台积电、三星还要早就能接触到ASML光刻机新品的是比利时微电子研究中心（IMEC），虽然名气不大，但其实它是世界上最大的半导体专门研究机构。因为离得近，ASML的原型试做机，往往在完工后就第一时间送交IMEC评估尝鲜。日前，IMEC首席执行官LucVandenhove在公开路线图时表示，当前的EUV光刻设备其实可以响应到2nm的微缩水平，不过，想要超越，必须要靠下一代高NAEUV光刻机。他督促ASML在未来3年内，全力投产高NA光刻机。所谓高NA也就是光刻机的透镜和反射镜数值孔径达到0.55，进而增加光刻分辨率，以便制备更精密的为电路图像。当前的EUV光刻机均停留在0.33的水平。一切顺利的话，ASML会在明年推出其首款高NAEUV光刻机，Intel、三星和台积电都争相第一时间部署进厂，其中Intel下手最快。这款光刻机价值高达4亿美元（约合26亿元人民币），组装好的体积有双层巴士大、重超200吨。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1302961.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1302961.htm

俄罗斯完成制造首台 350 纳米制程的光刻机

俄罗斯完成制造首台350纳米制程的光刻机俄罗斯首台光刻机已经制造完成并正在进行测试，俄罗斯联邦工业和贸易部副部长VasilyShpak指出，该设备可支持生产最终到达350纳米工艺的芯片。Shpak告诉媒体：“我们组装并制造了第一台国产光刻机。作为泽廖诺格勒技术生产线的一部分，目前正在对其进行测试。”俄罗斯接下来的目标是在2026年制造可以支持130nm工艺的光刻机。——

日本尼康研发3D ArF光刻机 预计未来销量翻倍

日本尼康研发3DArF光刻机预计未来销量翻倍在光刻机市场上，最近十多年来荷兰ASML公司一家独大，EUV光刻机中更是独一份，10亿一台的价格都供不应求，而传统的光刻机大厂日本佳能、尼康已经被甩开，不过尼康已经制定策略，重点放在3D光刻机上。据报道，日本尼康公司提出新的目标，希望2025财年（2025年3月到2026年3月）期间，尼康的光刻机销量能提升到2019-2021财年的2倍以上。日本光刻机厂商已经没可能在EUV光刻机上抢市场了，但尼康重点放在了能够生产3D芯片的光刻机上，明年将推出支持3D闪存、图像传感器的沉浸式ArF光刻机，这会是未来销量翻倍的杀手锏。根据ASML、Canon佳能、Nikon尼康2020年的数据，全球光刻机销量413台，同比增长15%，按季度依次是95台、95台、97台、126台，分别同比增长19%、25%、8%、12%。2020年413台光刻机中，ASML销售258台占比62%，佳能销售122台（KrF、i-line）占比30%，尼康销售33台占比8%。如果是按销售额计算，ASML、佳能、尼康的光刻机销售额占比依次是91%、3%、6%，日本两家公司占比也不到10%，ASML近乎垄断。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1308891.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1308891.htm

首台28nm国产光刻机有望年底交付 华为已拿下EUV光刻专利

首台28nm国产光刻机有望年底交付华为已拿下EUV光刻专利近日有消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。光刻机是决定半导体生产工艺水平高低的核心技术，包含光学系统、微电子系统、计算机系统、精密机械系统、控制系统等构件，极为复杂精密。事实上，光刻机是一个泛概念，包括三种不同类型：为前道光刻机、后道光刻机、面板光刻机。前道光刻机就是我们最常说的光刻机，主要用于晶圆制造，可分为DUV、EUV两大类，目前由荷兰阿斯麦(ASML)占绝对垄断地位，日本的尼康、佳能也有很强的实力。后道光刻机用于芯片制造后的封装，实现高性能的先进封装，技术难度相对较小。面板光刻机用于生产屏幕面板，最先进工艺只能达到55-32nm，属于低端光刻机，但因为屏幕面板相对结构简单，集成度要求不高，对于光刻机分辨率的要求也不高。上海微电子装备(集团)股份有限公司(简称SMEE)成立于2002年，定位为“富有国家使命的公司”，主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务，产品广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD面板、MEMS、LED、电源元件等制造领域。在最先进制程的EUV光刻机方面，我国相比于外国起步晚了50年，即使是最好的上海微电子也与国外巨头存在很大的差距。但在非最先进制程的中高端光刻机方面，上海微电子已经具有自主生产、成熟稳定的产品，有着较高的市场占有率，即将交付的SSA/800-10W光刻机就属于这一系列的最新产品。另外，上海微电子还有2.5D/3D封装光刻机，精度在0.6微米左右，和前道光刻机有差距，但依然属于世界领先水平。其实，芯片制造除了光刻，还有各种平行技术，如纳米压印等，在材料上也可能用其他的代替传统硅片作为基底，只是技术难度和成本付出是巨大的。上海微电子此前就曾公开表示，在泛半导体方面有所研究，有多个技术路线，但是具体细节不能透露。当然了，光刻机只是整个半导体制造产业链中的一环，还涉及到光刻胶、光刻气体、光源、物镜、涂胶显影、光掩膜版等诸多环节，我国也都有多家公司在积极突破，提高国产率。有数据显示，当前我国在清洗、热处理、去胶设备的国产化率分别达到34％、40％、90％，在涂胶显影、刻蚀、真空镀膜的国产化率达到10-30％，在原子层沉积、光刻、量测检测、离子注入的国产化率暂时低于5％值得一提的是，华为也在光刻机技术上积极投入，并取得了不俗成果，比如去年底就披露了名为“反射镜、光刻装置及其控制方法”的专利，涉及到EUV光刻关键技术。根据专利描述，这种反射镜、光刻装置及其控制方法涉及光学领域，能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。反射镜的反射面包括多个微反射面，而多个微反射面中包括第一微反射面，以及与第一微反射面相邻的第二微反射面，两个微反射面之间具有高度差。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1374325.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1374325.htm

先进工艺过剩 台积电计划关闭部分EUV光刻机以节电

先进工艺过剩台积电计划关闭部分EUV光刻机以节电EUV光刻机是半导体制造中的核心设备，只有ASML公司才能生产，单台售价约10亿人民币，之前三星、台积电等公司还要抢着买，然而今年半导体形势已经变了，EUV光刻机反而因为耗电太多，台积电计划关闭省电。来自产业链的消息人士手机晶片达人的消息称，由于先进制程产能利用率开始下滑，而且评估之后下滑时间会持续一段周期，台积电计划从年底开始，将部分EUV设备关机，以节省EUV设备巨大的耗电支出。据了解台积电目前拥有大约80台EUV光刻机，主要用于7nm、5nm及以下的先进工艺，今年9月份还会量产3nm工艺，都需要EUV光刻机，然而随着PC、手机、显卡等产品的需求下滑，先进工艺生产的芯片势必会受到影响。苹果今年的iPhone14Pro系列的A16处理器也没有急着上3nm工艺，还在用4nm工艺，此外苹果还因为3nm能效问题，取消了初代3nm生产芯片的计划。相比之前的DUV光刻机，EUV光刻机需要使用高能激光器，而且光线会多次折射导致损耗极大，早期效率只有0.02%，现在量产的说是可以达到2%效率，但也意味着绝大多数电力都要消耗掉。EUV光刻机生产一天需要3万度电左右，一年耗电大约1000万度，是十足的电老虎。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1311049.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1311049.htm