先进工艺过剩 台积电计划关闭部分EUV光刻机以节电

先进工艺过剩台积电计划关闭部分EUV光刻机以节电EUV光刻机是半导体制造中的核心设备，只有ASML公司才能生产，单台售价约10亿人民币，之前三星、台积电等公司还要抢着买，然而今年半导体形势已经变了，EUV光刻机反而因为耗电太多，台积电计划关闭省电。来自产业链的消息人士手机晶片达人的消息称，由于先进制程产能利用率开始下滑，而且评估之后下滑时间会持续一段周期，台积电计划从年底开始，将部分EUV设备关机，以节省EUV设备巨大的耗电支出。据了解台积电目前拥有大约80台EUV光刻机，主要用于7nm、5nm及以下的先进工艺，今年9月份还会量产3nm工艺，都需要EUV光刻机，然而随着PC、手机、显卡等产品的需求下滑，先进工艺生产的芯片势必会受到影响。苹果今年的iPhone14Pro系列的A16处理器也没有急着上3nm工艺，还在用4nm工艺，此外苹果还因为3nm能效问题，取消了初代3nm生产芯片的计划。相比之前的DUV光刻机，EUV光刻机需要使用高能激光器，而且光线会多次折射导致损耗极大，早期效率只有0.02%，现在量产的说是可以达到2%效率，但也意味着绝大多数电力都要消耗掉。EUV光刻机生产一天需要3万度电左右，一年耗电大约1000万度，是十足的电老虎。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1311049.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1311049.htm

网传“国产光刻机工厂落地雄安” 中国电子院澄清

网传“国产光刻机工厂落地雄安”中国电子院澄清针对“清华大学EUV项目把阿斯麦（ASML）的光刻机巨大化，实现光刻机国产化”的传闻，中国电子院回应称，该项目并非网传的国产光刻机工厂，而是北京高能同步辐射光源项目。据澎湃新闻早前报道，一则在各大社交平台上广为流传的视频称，北京清华大学科研团队弯道超车，突破美国技术封锁，实现光刻机的巨大化，国产EUV光刻机获得突破，并称该项目已在河北省保定市雄安新区落地。中国电子工程设计院有限公司星期一（9月18日）通过官方微信公众号澄清，上述项目并非网传的中国国产光刻机工厂，而是北京高能同步辐射光源项目（HEPS）。中国电子院介绍，HEPS坐落于北京怀柔雁栖湖畔，是国家“十三五”重大科技基础设施，是中国第一台高能量同步辐射光源，也是世界上亮度最高的第四代同步辐射光源之一。这个项目早在2019年就开始建设、将于2025年底投入使用。中国电子院表示，HEPS可以被视为一个超精密、超高速、具有强大穿透力的巨型X光机，它产生的小光束可以穿透物质、深入内部进行立体扫描，从分子、原子的尺度多维度地观察微观世界。中国电子院强调，HEPS是进行科学实验的大科学装置，并不是网传的光刻机工厂。

首台28nm国产光刻机有望年底交付 华为已拿下EUV光刻专利

首台28nm国产光刻机有望年底交付华为已拿下EUV光刻专利近日有消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。光刻机是决定半导体生产工艺水平高低的核心技术，包含光学系统、微电子系统、计算机系统、精密机械系统、控制系统等构件，极为复杂精密。事实上，光刻机是一个泛概念，包括三种不同类型：为前道光刻机、后道光刻机、面板光刻机。前道光刻机就是我们最常说的光刻机，主要用于晶圆制造，可分为DUV、EUV两大类，目前由荷兰阿斯麦(ASML)占绝对垄断地位，日本的尼康、佳能也有很强的实力。后道光刻机用于芯片制造后的封装，实现高性能的先进封装，技术难度相对较小。面板光刻机用于生产屏幕面板，最先进工艺只能达到55-32nm，属于低端光刻机，但因为屏幕面板相对结构简单，集成度要求不高，对于光刻机分辨率的要求也不高。上海微电子装备(集团)股份有限公司(简称SMEE)成立于2002年，定位为“富有国家使命的公司”，主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务，产品广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD面板、MEMS、LED、电源元件等制造领域。在最先进制程的EUV光刻机方面，我国相比于外国起步晚了50年，即使是最好的上海微电子也与国外巨头存在很大的差距。但在非最先进制程的中高端光刻机方面，上海微电子已经具有自主生产、成熟稳定的产品，有着较高的市场占有率，即将交付的SSA/800-10W光刻机就属于这一系列的最新产品。另外，上海微电子还有2.5D/3D封装光刻机，精度在0.6微米左右，和前道光刻机有差距，但依然属于世界领先水平。其实，芯片制造除了光刻，还有各种平行技术，如纳米压印等，在材料上也可能用其他的代替传统硅片作为基底，只是技术难度和成本付出是巨大的。上海微电子此前就曾公开表示，在泛半导体方面有所研究，有多个技术路线，但是具体细节不能透露。当然了，光刻机只是整个半导体制造产业链中的一环，还涉及到光刻胶、光刻气体、光源、物镜、涂胶显影、光掩膜版等诸多环节，我国也都有多家公司在积极突破，提高国产率。有数据显示，当前我国在清洗、热处理、去胶设备的国产化率分别达到34％、40％、90％，在涂胶显影、刻蚀、真空镀膜的国产化率达到10-30％，在原子层沉积、光刻、量测检测、离子注入的国产化率暂时低于5％值得一提的是，华为也在光刻机技术上积极投入，并取得了不俗成果，比如去年底就披露了名为“反射镜、光刻装置及其控制方法”的专利，涉及到EUV光刻关键技术。根据专利描述，这种反射镜、光刻装置及其控制方法涉及光学领域，能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。反射镜的反射面包括多个微反射面，而多个微反射面中包括第一微反射面，以及与第一微反射面相邻的第二微反射面，两个微反射面之间具有高度差。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1374325.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1374325.htm

中国28nm国产光刻机有望年底交付

中国28nm国产光刻机有望年底交付据新华网援引《证券日报》消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。光刻机是决定半导体生产工艺水平高低的核心技术，包含光学系统、微电子系统、计算机系统、精密机械系统、控制系统等构件，极为复杂精密。事实上，光刻机是一个泛概念，包括三种不同类型：为前道光刻机、后道光刻机、面板光刻机。前道光刻机就是我们最常说的光刻机，主要用于晶圆制造，可分为DUV、EUV两大类，目前由荷兰阿斯麦(ASML)占绝对垄断地位，日本的尼康、佳能也有很强的实力。——

日耗电3万度 EUV光刻机要关机省电？台积电回应

日耗电3万度EUV光刻机要关机省电？台积电回应此前有消息称由于先进工艺产能过剩，台积电计划今年底将部分EUV光刻机关机，以便节省电费支出，台积电日前也回应了，表示不评论市场传闻。台积电称，本公司针对机台设备皆有年度规划，并依循计划，在不影响正常营运的前提下，进行例行维护与升级。上周来自产业链的消息人士手机晶片达人的消息称，由于先进制程产能利用率开始下滑，而且评估之后下滑时间会持续一段周期，台积电计划从年底开始，将部分EUV设备关机，以节省EUV设备巨大的耗电支出。据了解台积电目前拥有大约80台EUV光刻机，主要用于7nm、5nm及以下的先进工艺，今年9月份还会量产3nm工艺，都需要EUV光刻机，然而随着PC、手机、显卡等产品的需求下滑，先进工艺生产的芯片势必会受到影响。相比之前的DUV光刻机，EUV光刻机需要使用高能激光器，而且光线会多次折射导致损耗极大，早期效率只有0.02%，现在量产的说是可以达到2%效率，但也意味着绝大多数电力都要消耗掉。EUV光刻机生产一天需要3万度电左右，一年耗电大约1000万度，是十足的电老虎。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1313301.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1313301.htm

国产光刻机工厂落地雄安？中国电子院澄清：这是北京高能同步辐射光源

国产光刻机工厂落地雄安？中国电子院澄清：这是北京高能同步辐射光源近期，一则消息在各大视频平台广为传播，称清华大学EUV项目把ASML的光刻机巨大化，实现了光刻机国产化，并表示这个项目已经在雄安新区落地。对此，中国电子工程设计院有限公司发声，称该项目并非网传的国产#光刻机工厂，而是北京高能同步辐射光源项目（HEPS）