晶圆代工厂下半年营运不旺 今年衰退恐大于半导体业

晶圆代工厂下半年营运不旺今年衰退恐大于半导体业台积电与力积电对于下半年营运展望皆持保守看法，台积电虽然看好第3季在人工智能（AI）需求增加，以及3纳米强劲成长，第3季业绩可望止跌回升，不过季营收将约167亿至175亿美元，以中间值171亿美元计，季增约9.1%，增幅较传统季节性水准温和。台积电第4季业绩可望进一步回升，但下半年美元营收将仅较上半年增加1成左右水准，与先前外界期待的2成有不小的落差。台积电因而再度下修全年营运目标，美元营收减幅恐扩大至10%。力积电同样感受到市场需求旺季不旺情况，指出目前缺乏长期需求讯号，没有超过1季的长期订单，第3季营运展望保守，预期营收将小幅震荡，下半年营运状况将与第2季相当。联电曾多次表示，手机市况低迷，先前状况较佳的车用及工业市场，在库存建置完备后，需求出现停滞情况，第3季整体需求未见到强劲复苏情况。世界先进也指出，通膨、升息会影响终端市场购买力和消费意愿，下半年将温和复苏，回温力道较几个月前多一点变数。市场预期，联电和世界先进对于未来景气恐难有乐观期待。受晶圆代工厂客户下单谨慎影响，台积电预估，今年晶圆代工业营收恐将减少中十位数百分比（约14%至16%），减幅将高于不计存储的半导体业中个数百分比（约4%至6%）水准。台积电副总经理暨财务长黄仁昭说明，个人电脑及电视市况虽有回温，但客户并未下更多单，还在销售库存，是影响晶圆代工厂营运表现不如预期的主因。因客户下单谨慎，存货消化时间较预期久，第3季库存水位可望降至健康水位，第4季将更加健康，未来复苏力道可望更强劲。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1372629.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1372629.htm

半导体业内：晶圆代工环节稼动率的持续提升以及部分代工厂的满产将带来价格上涨弹性

半导体业内：晶圆代工环节稼动率的持续提升以及部分代工厂的满产将带来价格上涨弹性“下半年不能说是供不应求，但至少会处于一个不错的供需状态。”芯联集成CEO赵奇近日向记者表示。沉寂已久的半导体行业近日有点热闹，台积电传出针对3nm、5nm先进制程和先进封装执行价格调涨的消息。而有机构跟进预计，华虹半导体下半年或将涨价10%，结束两年跌势。需要注意的是，晶圆代工厂的“内卷”已经出现收敛的信号。虽然目前晶圆厂涨价尚未成为既定事实，但各大晶圆厂的产能利用率已经明显提升，不少厂商已出现满产、甚至利用率超100%的情况。而在业内看来，晶圆代工环节稼动率的持续提升以及部分代工厂的满产，未来将带来价格上涨的弹性。（中国基金报）

中国大陆第二大晶圆代工厂华虹半导体将于科创板上市

中国大陆第二大晶圆代工厂华虹半导体将于科创板上市主营业务华虹半导体是全球领先的特色工艺晶圆代工企业，也是行业内特色工艺平台覆盖最全面的晶圆代工企业，可向客户提供从0.35微米至65/55纳米等制程节点范围的产品。公司立足于先进“特色IC+功率器件”的战略目标，以拓展特色工艺技术为基础，提供包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频等多元化特色工艺平台的晶圆代工及配套服务。根据ICInsights发布的2021年度全球晶圆代工企业排名中，华虹半导体位居第六位，中国大陆第二位。根据华虹半导体在官网和招股书上的表述，华虹半导体的主营业务为“特色工艺晶圆代工”。因此从业务角度上看华虹半导体更加偏重于模拟芯片与存储芯片的制造，数字芯片方面涉猎较少，其2022年“逻辑与射频”的收入占比仅为10.94%。这点与中芯国际有着很大的不同。中芯国际的业务更加全面，具备逻辑电路、电源/模拟、高压驱动、嵌入式非挥发性存储、非易失性存储、混合信号/射频、图像传感器等多个技术平台的量产能力，可为客户提供智能手机、智能家居、消费电子等不同领域集成电路晶圆代工及配套服务。也就是说中芯国际的主营业务既包括“特色工艺”，还包括“逻辑工艺”。核心优势在嵌入式非易失性存储器领域，公司是全球最大的智能卡IC制造代工企业以及境内最大的MCU制造代工企业；在功率器件领域，公司是全球产能排名第一的功率器件晶圆代工企业，也是唯一一家同时具备8英寸以及12英寸功率器件代工能力的企业，拥有全球领先的深沟槽式超级结MOSFET以及IGBT技术；在独立式非易失性存储器平台，公司提供基于自主知识产权的NORD闪存架构技术，产品拥有广泛的应用；在模拟与电源管理平台，公司的BCD技术工艺在国内晶圆代工行业中起步最早，并已在90纳米工艺节点上实现量产；在逻辑与射频领域，公司拥有自主开发的射频SOI工艺平台。公司在特色工艺领域代表了行业领先的技术研发和生产制造水平，拥有大量国内外专利。在0.35μm至90nm工艺节点的8英寸晶圆代工平台，以及90nm到55nm工艺节点的12英寸晶圆代工平台上，公司形成了行业内特色工艺平台覆盖最全面的代工服务，多元化的技术品类能够满足不同下游市场的应用场景以及同一细分市场中不同客户的多元化需求。在各类器件性能方面，公司追求全球领先水平，帮助客户产品对标全球高端芯片。募集资金用途华虹半导体本次募投项目预计使用募集资金180亿元，计划投入华虹制造（无锡）项目、8英寸厂优化升级项目、特色工艺技术创新研发项目以及补充流动资金，其中，华虹制造（无锡）项目是华虹半导体此次募投的重点。华虹制造（无锡）项目计划建设一条投产后月产能达到8.3万片的12英寸特色工艺生产线，实施主体为控股子公司华虹半导体制造（无锡）有限公司。该项目依托上海华虹宏力在车规级工艺与产品积累的技术和经验，进一步完善并延展嵌入式/独立式存储器、模拟与电源管理、高端功率器件等工艺平台。该项目将显著提升公司产能并助力公司的特色工艺技术迈上新台阶，增强公司核心竞争力并提升公司行业地位。本项目预计总投资67亿美元，具体情况如下：本项目新建生产厂房预计2023年初开工，2024年四季度基本完成厂房建设并开始安装设备。2025年开始投产，产能逐年增长，预计最终达到8.3万片/月。华虹制造（无锡）项目预计总投资额为67亿美元，其中40.2亿美元将由该项目实施主体各股东以增资方式向华虹制造投入资金，发行人的出资来源为本次发行的募集资金，如果本次发行募集资金不足，公司将通过自筹资金解决募投项目资金缺口其他股东将同比例增资；剩余26.8亿美元将以债务融资方式筹集，相关银行已出具贷款意向承诺的函。毛利及毛利率分析报告期内，公司主营业务毛利分别116,857.64万元、290,329.36万元和593,143.79万元，主营业务毛利率分别为17.60%、27.59%和35.59%。2021年及2022年，尽管12英寸产线折旧成本仍旧较高，公司通过新产品新技术导入、生产规模的扩大、产品组合的优化、产品价格的提升，同时降本增效，有效提升了公司主营业务毛利水平。报告期内，公司主营业务毛利及毛利率按晶圆规格分类列示如下：报告期内，公司主营业务毛利主要来自于8英寸产品，报告期内8英寸产品的毛利率分别为28.55%、36.05%和46.42%；2021年及2022年公司通过优化产品组合、提升产品价格，实现了8英寸产品整体毛利率的提升。公司12英寸产线于2019年四季度开始投产，由于投产初期12英寸产线尚在产能爬坡阶段，而固定资产折旧、人工费用等固定成本较高，使得12英寸产品单位成本较高，2020年毛利及毛利率为负值；2021年及2022年，随着公司12英寸产品产销规模的快速增长，规模效应显现使得单位成本持续快速下降，毛利及毛利率均实现转正。未来随着生产规模的扩大，规模效应进一步显现，12英寸产品的毛利率将进一步提升。报告期内，公司与同行业上市公司综合毛利率水平的对比情况如下：2020年公司综合毛利率高于可比公司均值，主要系可比公司晶合集成、格罗方德毛利率为负，2021年及2022年，公司通过新产品新技术导入、优化产品组合、提升产品价格，同时华虹无锡12英寸产线规模化效应逐步显现，公司产品单位成本相应下降，公司毛利率水平快速提升，由于公司华虹无锡12英寸仍在产能爬坡阶段，导致2021年及2022年公司整体毛利率水平略低于同行业可比公司均值。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1372843.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1372843.htm

半导体工艺的极限：1nm之战

半导体工艺的极限：1nm之战011nm，念念不忘工艺制成的研发和生产需要大量的资源，一方面是技术积累，如晶体管架构、材料选择、制造过程等方面都需要解决难题；另一方面还需要强大的资金、人才和设备，众所周知从5nm走到3nm，生产成本也翻了一番。并非人人都有“资格”追求1nm。从28nm跳级到1nm这之间的差距绝对令人望而却步。我们来看看，目前有野心追求1nm的机构和企业分别有哪些。最新的消息是日本计划与法国合作开发1nm制程半导体。具体来看，是日本芯片制造商Rapidus、东京大学将与法国半导体研究机构Leti合作，共同开发电路线宽为1nm级的新一代半导体设计的基础技术。法国的CEA-Leti成立于1967年，该研究所的前身是成立于1957年的CENG（格勒诺布尔核研究中心）的电子系。在芯片的发展进程中，CEA-leti的也有很多重要里程碑事迹，如其是推动硅上绝缘体场效应管（FD-SOI）技术的重要推动者之一。日本芯片制造商Rapidus大家应该不陌生了。这家企业成立的时间非常晚——2022年8月，其集合了日本的8家企业和日本政府提供的700亿日元资金。一成立的目标就是，要在4年内量产2nm芯片。当时与IBM建立战略合作关系，向着2nm进发。不过目前，日本国内最先进的制程还停留在45nm。所以日本能否通过这次“豪赌”，从45nm跨越到2nm是业界还在期待的事。现在看来，日本的野心并不仅仅止步于2nm，其也想朝着1nm的目标前进。合作方式是Rapidus与东京大学、Leti研究所进行一些涉及的人员交流和基础研究共享。Leti将探索新型晶体管结构，而Rapidus和其他日本合作伙伴将派出科学家，然后评估和测试原型。IBM在2021年就推出了全球首款2nm芯片，使用了GAA环绕栅极晶体管技术，一时震动了业界。从历史上看，从5nm走到2nm，IBM使用了不到四年。在2nm之后，IBM自然而然的走向了1nm。在2022年末的IEDM会议上，IBM展示了其为通向1nm及以上准备的技术：互连3.0和VTFET。Imec在今年5月公布了1nm以下晶体管的路线图，在其路线图中1nm等于10埃。不仅如此，到了6月，Imec更是表示其与ASML签署了一项重要协议，与ASML共同合作开发1nm以下芯片。ASML将提供最新型号0.55NAEUV、2nm和1nm工艺开发关键的TWINSCANEXE:5200，以及最新型号0.33NAEUVTWINSCANNXE:3800。企业方面，作为目前唯一一家能够成功实现3nm量产的晶圆厂，台积电也早早开始研究1nm。台积电已经选定了其1nm新厂的落脚位置，在竹科龙潭园区。从进展上来看，若一切顺利，竹科龙潭园区三期2026年中即可供厂商展开建厂作业，这也意味着台积电1nm厂最快能够在2026年动工，2027年试产，2028年量产。实际上，这也符合Imec预测的1nm以下路线图。来源：IMEC芯片龙头英特尔对于1nm的诱惑同样无法抗拒。从工艺节点来看，英特尔目前准备将Intel4，用于MeteorLake处理器和GraniteRapids，下一步将是Intel3，它将使用EUV光刻来实现更大的模块化，PPW增加到18%。而英特尔最新的工艺是20A和18A。Intel20A本来被称为Intel1，但是由于英特尔想要“更好的唤起下一个创新时代”，将其命名为20A。现在问题来了：1nm未来，如何实现？022D材料寻找合适的晶体管结构以及合适的晶体管材料来实现1纳米工艺几何结构的工作仍然是一个好的方向。使用非硅材料有利于制造非常微小的晶体管——小至1纳米。2019年时，IMEC就在IEEE会议上，展示2D材料可实现1nm以下的工艺节点。当时IMEC已经展示了具有微小特征尺寸的二硫化钼(MoS2)MOSFET可以为晶体管的极端缩放开辟途径，远低于硅器件短沟道效应的水平。MoS2是一种二维材料，这意味着它可以以稳定的形式生长，厚度仅为一个原子，最重要的是，在该尺度上具有原子精度。麻省理工学院、南洋理工大学和台积电的研究人员发现，二维材料与半金属铋(Bi)结合可实现极低的电阻，克服了实现1纳米芯片的挑战。台积电也同样宣布，其在2D材料方面取得突破，逼近1nm。在2022年时，台积电和麻省理工学院、南洋理工大学联合发表了一篇论文，描述金属引起的导电间隙带来的制造挑战，以及单层技术如何受到这些金属引起的间隙的影响。这篇文章中建议使用后过渡金属铋和一些半导体单层过渡金属二硫族化物来减小间隙的尺寸，从而生产出比以前小得多的2D晶体管。在实验中，台积电尝试了目前各种低电阻的半导体材料，二硫化钼（MoS2）、二硫化钨（WS2）和二硒化钨（WSe2）。03改变铜(Cu)互连在计算机芯片之中，半导体组件之间的布线被称为互连。简单解释，互连就是电流在芯片中各个晶体管、存储器、处理单元和其他组件之间的流动方式，如果互连的传输越有效，那么芯片的效率就会越高。在1997年以前，大家往往都在使用铝互连。之后，IBM又发现了更有效的铜互连。铜线的导电电阻比铝线低约40%，这意味着处理速度提高约15%。在过去的几十年里，这种巨大的转变导致铜成为互连的行业标准。现在，铜互连也开始遇到了瓶颈。铜互连始终需要阻挡衬里材料来形成适当的布线结构。随着器件缩小，可用于铜布线和衬垫材料的空间变得更小。目前业界一直在寻找其他金属可以替代铜互连。碳纳米管(CNT)、单层石墨烯(SLG)和少层石墨烯(FLG)）与其他相关互连材料（钨(W)、铜(Cu)和钌(Ru)）的性能比较来源：IMECIBM：使用钌IBM找的方式是使用钌。钌可以扩展到1纳米及以上节点，并且仍然是一种有效的导体，因此不需要衬垫，这有助于节省空间。通过减色图案化方法形成的钌也有可能用于一种新型互连集成方案，称为顶通孔集成。在这种情况下，互连通孔形成在导线的顶部，而不是导线的下方，从而允许为最关键的互连层形成连续的导线和自对准通孔。此外，通过这种顶通孔集成牢固地形成嵌入式气隙，从而减少互连寄生电容，也将有助于实现更快、更低功耗的芯片。IBM的研究人员使用极紫外光刻(EUV)双图案现有的机器上创建测试结构，结果表明能够实现突破。IMEC、台积电：使用石墨烯与IBM的方式不同，台积电尝试使用石墨烯进行多层布线。人们对石墨烯互连应用的兴趣并不令人意外。石墨烯表现出高本征载流子迁移率（高达200,000cm2V-1s-1）和大载流能力（高达108A/cm2）。此外，石墨烯具有高导热性和抗电迁移的竞争稳健性。它还可以制成原子级厚度，这有助于减轻厚度对RC延迟的影响。台积电表示，当制作不同宽度的互连原型并将其电阻与铜互连进行比较时，发现宽度为15nm或更小的石墨烯互连的电阻率低于铜互连的电阻率。石墨烯的接触电阻率也比铜低四个数量级。将金属离子嵌入石墨烯中可以改善互连的电性能，使其成为下一代互连的有前途的材料。IMEC则认为石墨烯和金属的混合结构，非常有希望成为1nm的候选者。此外，IMEC也在考虑钌(Ru)作为铜互连的替代品。04改变器件架构如上文提到，IBM对于1nm的努力除了选择钌互连外，还有一个就是VTFET架构。IBM认为，使用VTFET，晶体管组件垂直堆叠在一起，而不是横向堆叠，这是自计算机时代诞生以来设计芯片的标准。这极大地增加了单个芯片上可以安装的晶体管数量，就像摩天大楼城市的人口密度远高于联排别墅郊区的人口密度一样。IBM的研究表明，VTFET设计的规模可以远远超出IBMResearch于2021年首次推出的最先进的2纳米节点纳米片设计的性能。IMEC则认为能够超越2nm的器件架构，是Forksheet架构。新的forksheet器件架构是GAA纳米片器件的自然演变，允许轨道高度从5T扩展到4.3T，同时仍然提供性能增益。或者，通过叉板设计，可用空间可用于增加板宽度...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1401405.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1401405.htm

半导体资本支出骤降 代工巨头扩张速度减缓

半导体资本支出骤降代工巨头扩张速度减缓实际上，早在去年底就有行业机构预测，随着全球通货膨胀及经济疲软，2023年全球半导体行业将进入产能周期下行阶段。对此，半导体厂商相继调整了原有的扩张计划，大幅削减2023年预算。资本支出骤减，半导体市场仍未回暖不过从上图来看，各领域企业的发展曲线走向不一。大幅削减资本支出的公司通常是与PC和智能手机等消费电子市场相关度较高，而这两个市场在2023年陷入低迷。IDC数据预测，2023年PC出货量将下降14%，智能手机将下降3.2%。个人电脑的衰退很大程度上影响了英特尔和内存公司。智能手机的疲软主要影响台积电（苹果、高通、联发科等是其最大的客户）以及内存公司。可见，市场不景气，消费电子市场低迷，许多客户砍单，台积电和存储芯片厂商业绩承压。值得注意的是，三星、台积电和英特尔等三大支出方，2023年资本支出将占半导体资本支出总额的60%左右。代工巨头扩张速度减缓TrendForce集邦咨询发布报告指出，2023年第一季度晶圆代工从成熟至先进各项制程需求持续下修，各大IC设计厂晶圆砍单从第一季度将蔓延至第二季度。受此影响，各晶圆代工厂第一季度至第二季度产能利用率表现均不理想，第二季度部分制程产能利用率甚至低于第一季度。预估2023年晶圆代工产值同比减少4%。对此，各晶圆代工厂纷纷缩减2023年用于设备采购等的资本支出，产能扩张速度减缓。今年4月，台积电在法说会中预期，2023年全年资本支出在320亿-360亿美元区间，低于2022年的363亿美元，为近八年来首次年度资本支出出现下滑。台积电财务长黄仁昭重申，台积电每年资本支出规划均以客户未来数年需求及成长为考量，因应短期不确定因素，台积电适度紧缩资本支出规划。有多位业内人士认为，如果台积电释放出下修今年资本支出的消息，不仅意味该公司投资态度相对审慎，也透露出半导体市场情况确实不如预期。其实早在去年，台积电便已启动了资本支出下修动作。尽管台积电2022年资本支出为363亿美元，创下历史新高，但其此前曾预估2022年的资本支出规划是400亿至440亿美元，因受全球经济下滑及新冠疫情等因素影响，去年支出已进行下修。在芯片需求下滑，厂商的业绩普遍受到影响的大背景下，台积电2023年第一季度营收也出现了下滑，以美元计算，台积电Q1收入为167.2亿美元，同比下降4.8%，环比下降16.1%，这一数字勉强达到台积电此前的预期值（167亿美元到175亿美元之间）。据了解，由于苹果和联发科等企业大量砍单，加上AMD、英伟达、高通和英特尔等企业下单也较为保守，台积电产能利用率持续下降。台积电表示，2023年的营收表现受到了整体经济形势衰退和客户因终端市场需求疲软进行的调整影响，进入第二季后，预期台积电的整体业绩会持续受到客户库存调整的影响。与此同时，台积电下调了2023年全年的营收预期，从原来的微幅增长改为下滑1%-6%，终止了连续13年的增长势头。反映到建厂扩产方面，有供应链消息指出，台积电在中国台湾高雄、南科、中科与竹科的多个扩产项目将全面放缓，产能重新调配。原本台积电计划于高雄建两座厂房，包括7nm及28nm，但继高雄厂7nm厂房因智能手机和PC市场需求疲软影响计划宣布暂缓后，市场传出28nm项目也推迟，高雄工厂的相关机电工程标案延后1年，相关无尘室及装机作业随之延后，而该厂计划采购的28nm设备清单也全数取消。此外，被台积电寄予厚望的3nm也由快进模式进入缓慢扩张模式。原计划2023年量产的Fab18厂P7现已延至2024年，2023年下半原定单月6万片产能也将会减少。值得一提的是，尽管台积电众多中国台湾厂房建设按下了“暂停键”，但美国亚利桑那州与日本熊本的海外建厂计划仍将持续推进。而台积电也已传出向供应链表明未来一年，将以在美国、日本建厂为主,在中国台湾扩产放缓的计划。不过，台积电在晶圆代工市场的份额并未下滑，甚至还有小幅提升。研究机构的数据显示，在今年一季度，全球前十大晶圆代工商营收273.3亿美元，环比下滑18.6%。在前十大晶圆代工商273.3亿美元的营收中，台积电份额最高，在这一季度的份额环比提升1.6个百分点，达到了60.1%。而相比之下，三星电子一季度在晶圆代工上的营收为34.46亿美元，环比下滑36.1%，他们在前十大晶圆代工商总体营收中的份额也有下滑，降至12.4%，较上一季度下滑3.4个百分点。三星拥有部分iPhone、Android新机零组件拉货动能，稍微抵销客户修正幅度与先进制程订单流失缺口。但值得留意的是，TrendForce观察三星7纳米以下先进制程客户高通、英伟达等旗舰新品转单出走，但尚无量体相当的新客户填补产能，将导致三星2023全年先进制程产能利用率约60%处低水位，营收成长动力恐不足。不过，三星近期公布了一项支持代工业务的计划，旨在超越市场领导者台积电。三星计划在2025年之前为手机零部件引入先进的2纳米生产技术，并扩大应用范围。为了支撑代工业务的扩大，三星还计划增加位于韩国平泽市和美国德克萨斯州泰勒市的生产产能。这将有助于满足客户对芯片的不断增长需求，并提供更快速、高效的代工服务。联电总经理王石表示：“2023年第一季度，随着客户持续消化库存，联电的业务受到晶圆需求疲软的影响。晶圆出货量环比下降17.5%，制造产能利用率降至70%。”进入2023年第二季度，由于整体需求前景依然低迷，预计客户将继续调整库存，晶圆出货量预计将持平。同时，联电声称继续采取严格的成本控制措施，并尽可能推迟部分资本支出，以确保短期商业周期的盈利能力。去年，格芯（GlobalFoundries）裁员超过800名员工，占公司全球约15000名员工的5.3%。随着全球半导体产业进入下行周期，格芯也开始削减资本支出，放慢扩产进程。相比其他代工厂缩减资本支出，中芯国际是主要代工厂中少数没有降低资本支出的公司，其2023年资本开支计划与2022年相比大致持平。从历史业绩来看，中芯国际2022年年度营收、净利润均创历史新高，增长主要是由于销售晶圆的数量增加及平均售价上升。展望2023年，由于半导体行业周期尚在底部，外部不确定因素带来的影响依然复杂。中芯国际预计2023全年销售收入同比降幅为低十位数，折旧同比增长超两成。但其资本开支计划与2022年相比大致持平，主要用于产能扩产和新厂基建。据了解，近年来中芯国际连续推动中芯深圳、中芯临港、中芯京城、中芯西青四大工厂建设，这四大工厂建成后，中芯国际产能势必会有显著提升。中芯国际也表示，持续投入过程中，毛利率承受高折旧压力，公司会始终以持续盈利为目标，努力把握产能扩建节奏，保证一定的毛利率水平。此外，世界先进召开法说会时也表示，为顺应半导体景气周期进入修正循环阶段，2023年公司资本支出将降至约100亿元新台币，较去年大减48.45%。世界先进营运长尉济时指出，此次资本支出调整主要由于半导体景气周期进入修正循环阶段，因而延后了部分设备的移入时间，同时进行成本控制。未来公司将与客户、供应商间紧密沟通合作，以积极管理设备到货时间。然而，尽管全球半导体2023资本开支下行，但晶圆代工市场在行业中的比重却在提升。与此同时，由于终端系统设备数量和单机算力不断提升等因素，先进制程工艺产能需求仍然保持上升趋势，全球晶圆代工板块2023年占半导体产业整体资本开支的比重将攀升至42%。存储芯片厂商削减力度最大在总体经济形势不佳、高...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1370853.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1370853.htm