台积电系统级晶圆技术将迎重大突破 有望于2027年准备就绪

台积电系统级晶圆技术将迎重大突破有望于2027年准备就绪台积电的新技术不仅整合了SoIC、HBM等关键零部件，更致力于打造一个强大且运算能力卓越的晶圆级系统。这一系统的运算能力，将有望与资料中心服务器机架，甚至整台服务器相媲美。这无疑为超大规模数据中心未来对人工智能应用的需求提供了强有力的支持。在制程工艺方面，台积电同样取得了令人瞩目的进展。公司首次公布的A16制程工艺，结合纳米片晶体管和背面供电解决方案，旨在大幅度提升逻辑密度和能效。相较于传统的N2P工艺，A16制程工艺在相同工作电压下，速度提升了8-10%；在相同速度下，功耗则降低了15-20%，同时密度也得到了1.1倍的提升。此外，台积电还在积极推进车用先进封装技术的研发。继2023年推出支持车用客户的N3AE制程后，公司继续通过整合先进芯片与封装技术，以满足车用客户对更高计算能力的需求，并确保符合车规安全与品质要求。目前，台积电正在开发InFO-oS及CoWoS-R等解决方案，以支持先进驾驶辅助系统（ADAS）、车辆控制及中控电脑等应用。据悉，这些技术预计将于2025年第四季完成AEC-Q100第二级验证。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428707.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1428707.htm

1.6nm、晶圆级超级封装、硅光子集成...台积电北美6大技术王炸

1.6nm、晶圆级超级封装、硅光子集成...台积电北美6大技术王炸  研究机构TechInsights报告显示，台积电2023年总销售额达到692.76亿美元，成为全球半导体产业冠军。摩根大通（小摩）、摩根士丹利等金融服务机构均对台积电的后续发展给出乐观预测，小摩在最新报告中认为，台积电在技术创新和先进封装领域的领先地位，以及在AI时代的关键作用，通过一系列技术突破，有望在未来几年继续保持在半导体产业的领先地位。以下为台积电在2024北美论坛公布的六大半导体技术：A161.6nm制程技术台积电A16制程节点是其首个整合纳米片晶体管（nanosheet）以及背面供电技术“SuperPowerRail”的节点，特别适合高性能计算（HPC）及人工智能（AI）应用，是台积电N2P制程的迭代。根据台积电此前公布的路线图，N2、N2P2nm节点定于2025年量产，A16预计将于2026年下半年量产。与2nmN2P节点相比，A16提高了晶体管密度和能效，在相同Vdd（正电源电压）下可实现8~10%的速度提升；在相同速度下，功耗可以降低15~20%。该技术可以帮助数据中心计算芯片实现1.07~1.10倍的芯片密度。台积电在北美峰会同时宣布A14工艺节点，预计将采用第二代纳米片晶体管以及更先进的背面供电网络，有望在2027~2028年开始生产，预计不会采用HighNAEUV光刻机。根据路线图，台积电1nm制程A10已在规划中。消息人士于2024年1月透露，台积电将更先进制程的1nm晶圆厂规划在嘉义科学园区，已派人前往目标地块勘测。这一选址离嘉义高铁站车程仅七分钟，往北串起台积电中科、竹科厂，往南串连南科厂及高雄厂，便于工程师通勤交流。NanoFlex创新纳米片晶体管台积电即将推出的N2制程工艺将采用NanoFlex创新纳米片晶体管技术，这是该公司在设计与技术协同优化方面的又一突破。NanoFlex为N2制程标准单元提供设计灵活性，其中短小晶体管单元可实现更小的面积和更高能效，而高单元则最大限度提高性能。客户能够在同一设计内优化小单元和大单元的组合，调整设计，以达到最佳功耗、性能和面积平衡。N4C制程技术台积电宣布推出N4C技术，是N4P的迭代，可降低8.5%的芯片成本，计划于2025年量产。该技术提供具有高效面积利用率的基础IP和设计规则，与广泛应用的N4P兼容，缩小芯片尺寸并提高良率，为客户提供高性价比选择。CoWoS、SoIC和系统级晶圆（TSMC-SoW）台积电表示，CoWoS先进封装已成为AI芯片的关键技术，被广泛采用，允许客户将更多的处理器内核与HBM高带宽存储堆叠封装在一起。与此同时，集成芯片系统（SoIC）已成为三维芯片堆叠的领先解决方案，客户正越来越多地将CoWoS与SoIC及其他组件搭配使用，以实现最终的系统级封装（SiP）集成。台积电宣布推出CoW-SoW封装技术（TSMC-SoW），基于台积电于2020年推出的InFO-SoW晶圆上系统集成技术迭代而成。通过晶圆级系统集成封装技术（SoW），可以在单片12英寸晶圆上制造大型芯片阵列，提供更强算力的同时，减少空间占用，并将每瓦性能提升多个数量级。此前特斯拉的DojoD1超级芯片，就利用台积电的此类工艺实现，利用单片晶圆实现强大算力。据悉，特斯拉自研的DojoD1超级芯片采用台积电7nm制程，并结合InFO-SoW先进封装、垂直供电结构制造而成，用于训练自动驾驶汽车AI大模型。参数方面，每个模组包含5×5总计25颗芯片，每个单芯片包含高达354个核心，因此片上SRAM换从总计达11GB，算力9050TFLOPS。台积电表示，首款SoW产品——基于集成扇出型封装（InFO）技术的纯逻辑晶圆已投入生产。利用CoWoS技术的CoW-SoW晶圆预计将于2027年问世，届时将可以集成SoIC、HBM和其他组件，创建强大的单晶圆级系统，其计算能力可以与整个机架甚至整个服务器相媲美。这类芯片将拥有巨大的面积，可以集成四个SoIC芯片+12个HBM存储芯片以及额外的I/O芯片，功率可达数千瓦。硅光子集成COUPE台积电正在开发紧凑型通用光子引擎（COUPE）技术，以支持人工智能热潮带来的数据传输爆发式增长。COUPE采用SoIC-X芯片堆叠技术，在硅光子芯片堆叠电子芯片，并保证两片芯片之间最低的传输阻抗，能效比传统堆叠方式更高。台积电计划在2025年将COUPE技术用于小尺寸插拔式设备，速度可达1.6Tbps，相比当前最先进的800G以太网成倍提升。2026年，台积电将其整合入CoWoS封装中，作为共同封装光学器件（CPO）直接将光学连接引入封装中，这样可以实现高达6.4Tbps的速度。第三个迭代版本有望进一步改进，速度翻倍至12.8Tbps。汽车芯片先进封装继2023年推出N3AE“AutoEarly”制程后，台积电将继续通过整合先进芯片和先进封装，满足汽车客户对更高算力的需求，以及车规级认证的要求。台积电正在为高级辅助驾驶系统（ADAS）、车辆控制和车载中央计算机等应用开发InFO-oS和CoWoS-R解决方案，目标是在2025年第四季度之前获得AEC-Q1002级认证。日前台积电法说会之后，大摩预计台积电Q2营收将环比增长5%~7%，并给出860元新台币的目标股价预测。小摩预测台积电今年毛利率维持在52%~54%区间，预计今年年底3nm产能将达到10万片规模，明年将增加到15万片，并给出900元新台币的目标股价。小摩同时预计，台积电在未来3~4年内，在AI芯片的市场占有率仍将维持在90%以上，到2027年AI相关收入占比将升至总营收的25%。台积电法说会、多场技术论坛过后，给市场释出稳健信号，包括花旗银行、美银证券、瑞银在内的金融机构，均对台积电给出全年营收增长的预测。在人工智能市场需求持续增长的带动下，以及美日芯片工厂新产能的释放，预计台积电未来几年将持续领衔全球半导体产业，并凭借技术实力保持AI芯片领域的龙头地位。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429780.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429780.htm

台积电正开发先进芯片封装技术：矩形代替圆形晶圆 可放更多芯片

台积电正开发先进芯片封装技术：矩形代替圆形晶圆可放更多芯片不仅如此，新基板还有助于减少生产过程中的损耗，进一步提升了制造效率。尽管此项研究尚处早期，但已面临一系列技术挑战。尤其是在新形状基板上进行尖端芯片封装时，光刻胶的涂复成为了一个关键的瓶颈。这要求台积电这样的芯片制造巨头发挥其深厚的财力优势，推动设备制造商进行设备设计的革新。在当前的科技浪潮中，AI服务器、高性能计算（HPC）应用以及高阶智能手机AI化正不断推动半导体产业的发展。在这样的背景下，台积电3纳米家族制程产能成为了市场上的热门焦点。据悉，其产能已经供不应求，客户的排队现象已经延续至2026年。值得一提的是，台积电在为英伟达、AMD、亚马逊和谷歌等科技巨头生产AI芯片时，已采用了先进的芯片堆叠和组装技术。这些技术目前基于12英寸硅晶圆，这是目前业界最大的晶圆尺寸。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1435484.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435484.htm

消息称台积电研究新的先进芯片封装技术：矩形代替圆形晶圆

消息称台积电研究新的先进芯片封装技术：矩形代替圆形晶圆https://www.ithome.com/0/776/502.htm消息人士透露，矩形基板目前正在试验中，尺寸为510mm乘515mm，可用面积是圆形晶圆的三倍多，采用矩形意味着边缘剩余的未使用面积会更少。报道称，这项研究仍然处于早期阶段，在新形状基板上的尖端芯片封装中涂覆光刻胶是瓶颈之一，需要像台积电这样拥有深厚财力的芯片制造商来推动设备制造商改变设备设计。