晶合集成：55 纳米单芯片、高像素背照式图像传感器批量量产

晶合集成：55纳米单芯片、高像素背照式图像传感器批量量产晶合集成今日宣布，继90纳米CIS和55纳米堆栈式CIS实现量产之后，该公司CIS再添新产品。晶合集成55纳米单芯片、高像素背照式图像传感器（BSI）近期迎来批量量产，实现赋能智能手机的不同应用场景，并由中低端向中高端应用跨越式迈进。晶合集成方面表示，公司规划CIS产能将在今年内迎来倍速增长，出货量占比将显著提升，成为显示驱动芯片之外的第二大产品主轴。(科创板日报)

SK海力士投资10亿美元开发关键先进封装工艺

SK海力士投资10亿美元开发关键先进封装工艺SK海力士封装开发负责人LeeKang-Wook表示，该公司今年将在韩国投资超过10亿美元，以扩大和改进其芯片制造流程中的最后几个步骤，特别是先进封装工艺。该工艺的创新是HBM作为最受欢迎的AI内存的优势的核心，进一步的进步将是降低功耗、提高性能和巩固公司在HBM市场领先地位的关键。虽然SK海力士尚未披露今年的资本支出预算，但分析师平均估计该数字为105亿美元。这表明先进封装（可能占其中的十分之一）是一个主要优先事项。Lee在接受采访时表示，“半导体行业的前50年一直是前端为主”，即芯片的设计和制造。“但接下来的50年将是全部是后端为主”，即封装。Lee表示，SK海力士正在将大部分新投资投入到推进大规模回流成型底部填充（MR-MUF）和硅通孔（TSV）技术中，Lee曾领导这两种技术的发明，现在均已成为HBM制造的基础核心技术。——