三星发布旗舰新机皇,与谷歌、高通联手开发XR#抽屉IT

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安卓新机皇预定?三星Galaxy S23全系上手体验

安卓新机皇预定?三星GalaxyS23全系上手体验外观拿到手我们先来看外观,三星S23系列这一代的大小、设计确实和上代大差不差,镜头模组依旧是传承红绿灯式的家族设计,背部的整体视觉效果依旧简洁极致,但摄像头外圈的这层包边更为明显,让整个镜头模组的存在感更强。在之前的邀请函中也能看到,这次新加入了绿色和紫色,这次的三个型号一共有四种颜色可选择,悠远黑、悠柔白、悠野绿、悠雾紫,悠悠家族。这个紫色从S21就有,而这一代的紫色更淡,有些偏粉色,在强光下有些偏粉,有点像去年大火的藕荷色;而这个绿色的颜色更深邃,边框呈亮墨色,整体感觉更低调;黑色和白色这两个常规颜色也有变化,白色采用了一个偏金色的边框,在白色后盖的映衬下有种珠光宝气的效果,黑色后盖的雾面感更强,边框为亮黑色,十分低调内敛。在尺寸方面,S23的尺寸大小同样和上代没什么变化。这一代S23依旧是6.1英寸的屏幕,厚度与重量也和上代没有太大变化;S23和S23+的边框圆弧曲率变小了,边框的线条存在感也更强了,但拿在手里的整体手感依旧保持着一贯的轻盈小巧。而大杯S23+,其实拿在手里的感觉更踏实,尺寸要比S23更大,存在感要更强,但是比S23Ultra更轻薄,这种感觉就像是拿到iPhone14Plus的感觉,屏幕尺寸够用,同时还兼顾轻与薄。超大杯S23Ultra作为更大尺寸的机型,背部的摄像头的开孔更大;同时S23Ultra边框的曲率并没有上代那么大,做出了一些平面;其实手感上更偏直角边的设计,握在手里的手感也会更扎实,但是在视觉上会感觉S23厚度更厚了。拍照接着我们再来看一下影像方面,在配置上,S23和S23+都没有太大没有变化,依旧采用了一颗5000万像素的主摄,1200万像素的超广和1000万像素的3倍长焦,S23Ultra最大的变化就是主摄升级到了2亿,1200万的超广和1000万的3倍长焦,外加一颗1000万的10倍长焦。而前置摄像头这次全系都改为了1200万,同时还支持了HDR模式、60fps视频和夜间人像功能,可以通过算法将人物和背景进行分离,在前置自拍也能拍出景深感,增强背景虚化的效果。S23Ultra的这颗2亿像素主摄是三星首次采用的HP2传感器,这颗传感器在1月17号发布后,网上已经有了很多技术解读,这是一颗将16个像素合成一个大像素的传感器。最大的提升就是在解析力、感光和对焦方面,在夜晚能够吸收更多光线,减少躁点,拍出一个清晰明亮的照片。再来和上代对比一下对焦。同时S23Ultra在视频方面,光学防抖的角度增加了一倍,我们也试了一下剧烈跑动下拍摄,画面防抖表现十分出色。这次还升级到了8K30fps视频,8K虽然还没有普及,但我们可以通过裁切来增加自己拍摄容错率,保留更多细节。综合配置在核心配置方面,S23全系搭载高通骁龙8Gen2升级版,X3超大核频率升级到了3.36GHz。在屏幕方面,S23和S23+的屏幕规格为1080P分辨率,支持48~120Hz自适应刷新率,但屏幕峰值亮度和S23Ultra持平,来到了1750nits,在强光下播放HDR视频也有很不错的观感。S23Ultra依旧是2K分辨率的屏幕,支持1-120Hz的自适应可变刷新率,同时这次S23全系的屏幕设置新增了一个增强舒适度的功能,可以根据自己的习惯调整色彩和对比度,目的是可以更好的保护双眼。在电池方面,小杯中杯都较上代提升了200mAh,S23为3900mAh,S23+为4700mAh,S23Ultra为5000mAh。充电方面,S23依旧是23W的有线充电,S23+和S23Ultra为45W有线快充。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1342195.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1342195.htm

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谷歌与三星联手:Android的“附近分享”现已更名为“QuickShare”谷歌今天在CES2024上宣布,将通过与三星合作,将双方的共享解决方案合并为一个名为“QuickShare”的单一跨安卓解决方案。为了使设备之间的共享更加无缝,两家公司还将与PC制造商合作,将“QuickShare”作为预装应用程序扩展到WindowsPC。谷歌表示,预计新版“QuickShare”将于下月开始向当前支持“附近分享”的设备推出。——

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AMD与三星将联手开发先进的3纳米芯片相比之下,三星为客户提供了使用更新的全周栅极(GAAFET)晶体管的能力,这种晶体管可以让芯片设计人员改善产品内部的电力流动,但也有一些缺点。据《韩国经济日报》报道,三星和AMD预计将深化合作,利用3纳米工艺技术生产下一代芯片。目前,由于只有苹果公司的Mac系列使用台湾台积电生产的芯片,因此大多数个人电脑都无法使用这种技术生产的芯片。三星的3纳米与台积电的3纳米不同,因为它使用的是栅极环绕(GAAFET)晶体管。GAAFET是一种升级版晶体管设计,优于FinFET,它允许设计人员改进电流量,因为改进后晶体管的沟道可以完全被栅极环绕。GAAFET晶体管使用纳米线或纳米片导电。这些都需要对导线或薄片进行权衡。虽然导线提高了效率,但其较小的面积限制了它们在某些产品(如应用处理器)中的应用。另一方面,纳米片允许更多电流流过,但传导效率却有所降低。三星代工厂的图表显示了晶体管从FinFET到GAAFET再到MBCFET的演变过程。图片:三星电子报道援引AMD首席执行官苏姿丰(LisaSu)最近在比利时举行的一次会议上分享的GAAFET晶体管优于FinFET晶体管的观点,证明两家公司有意深化合作关系。据《韩国经济日报》报道,苏姿丰介绍了她的公司采用全方位栅极技术批量生产AMD下一代产品的计划。由于三星是世界上唯一一家生产3纳米GAAFET产品的公司,分析家们认为,苏的评论是这家韩国公司生产AMD新芯片的线索,他还认为3纳米GAAFET在性能和效率方面都优于以前的技术。合同半导体制造行业目前的态势是三星和英特尔与台积电对峙。台积电在市场上占据主导地位,而它的两个大型竞争对手正忙于采用新技术,以确保在实力雄厚的竞争对手面前取得优势。英特尔正在研究名为高NAEUV的先进芯片制造设备,看能否降低制造成本和复杂性。另一方面,三星不仅比台积电更早开始生产3纳米产品,还在其产品路线图中更早引入先进的GAAFET晶体管,试图从台湾公司手中夺走3纳米产品的市场份额。另一方面,台积电多年来一直强调可以使用传统的EUV机器制造芯片,并宣布将在其2纳米工艺中改用纳米片晶体管。栅极周围晶体管也是更小特征尺寸的结果,因为这些晶体管越小,制造商在制造FinFET时就越困难。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432808.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1432808.htm

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