再次确认从上代的 256GB 存储芯片改用 2 个 128GB 存储芯片。

苹果M3基础款MacBookAir拆解：确认改用2个128GB存储芯片https://www.ithome.com/0/755/511.htmIT之家3月14日消息，维修团队iFixit近日发布视频，拆解了苹果搭载M3芯片的基础MacBookAir机型，再次确认从上代的256GB存储芯片改用2个128GB存储芯片。via匿名

长鑫存储正式推出LPDDR5 DRAM存储芯片

长鑫存储正式推出LPDDR5DRAM存储芯片官方表示，12GBLPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。至此，长鑫存储成为国内首家推出自主研发生产的LPDDR5产品的品牌。据介绍，与上一代LPDDR4X相比，长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%。并且加入了RAS功能，通过内置纠错码等技术，实现实时纠错，减少系统故障，确保数据安全，增强稳定性。长鑫存储官网显示，长鑫存储创立于2016年，目前已在合肥、北京建成12英寸晶圆厂并投产，专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。长鑫存储已推出多款DRAM商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1400437.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1400437.htm

三星推出用于人工智能的“迄今为止最高容量”的新型 HBM 存储芯片

三星推出用于人工智能的“迄今为止最高容量”的新型HBM存储芯片三星电子周二表示，它已经开发出一种新型高带宽存储芯片，具有业界“迄今为止最高容量”。三星称HBM3E12H“将性能和容量提高了50%以上”。三星表示，已开始向客户提供芯片样品，并计划于2024年上半年量产。它将确保已经与三星签约的Nvidia在基于更高层(12L)的更高密度(36GB)HBM3E产品方面的领先地位。三星表示，HBM3E12H具有12层堆叠，但采用先进的热压非导电薄膜，使12层产品具有与8层产品相同的高度规格，以满足当前的HBM封装要求。其结果是芯片具有更强的处理能力，而不增加其物理占用空间。三星表示：“三星不断降低其NCF材料的厚度，实现了业界最小的芯片间隙(7微米)，同时还消除了层间空隙。与HBM38H产品相比，这些努力使垂直密度提高了20%以上。”——